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硅／硅直接键合SDB硅片的减薄研究
1
作者
陈军宁
傅兴华
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第1期40-43,共4页
研究了硅／硅直接键合ＳＤＢ硅片的精密机械／化学抛光减薄方法，进行了实验，分析了减薄后工作硅膜的平整性和膜厚的均匀性等重要技术指标，讨论了影响这些技术指标的因素。
关键词
抛光
减薄
硅/硅直接键合
硅
片
在线阅读
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职称材料
题名
硅／硅直接键合SDB硅片的减薄研究
1
作者
陈军宁
傅兴华
机构
复旦大学电子工程系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第1期40-43,共4页
文摘
研究了硅／硅直接键合ＳＤＢ硅片的精密机械／化学抛光减薄方法，进行了实验，分析了减薄后工作硅膜的平整性和膜厚的均匀性等重要技术指标，讨论了影响这些技术指标的因素。
关键词
抛光
减薄
硅/硅直接键合
硅
片
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
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作者
出处
发文年
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操作
1
硅／硅直接键合SDB硅片的减薄研究
陈军宁
傅兴华
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1996
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