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Si(111)表面亚稳态重构的STM研究
1
作者
侯士敏
陶成钢
+4 位作者
申自勇
郭等柱
赵兴钰
刘惟敏
薛增泉
《真空科学与技术》
EI
CSCD
北大核心
2002年第4期243-246,共4页
利用扫描隧道显微镜 (STM) ,研究了Si(111)表面的 2× 2、c2× 4、9× 9和 11× 11等各种亚稳态结构。与已经发表的研究结果相比 :2× 2和c2× 4重构区域规则且面积更大 ,原子分辨的图像清晰稳定 ;在不同亚稳...
利用扫描隧道显微镜 (STM) ,研究了Si(111)表面的 2× 2、c2× 4、9× 9和 11× 11等各种亚稳态结构。与已经发表的研究结果相比 :2× 2和c2× 4重构区域规则且面积更大 ,原子分辨的图像清晰稳定 ;在不同亚稳态之间的畴界处 ,发现存在2种不同的环形结构。从原子密度和能量两方面 。
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关键词
Si(
111
)
表面
亚稳态重构
扫描隧道显微镜
畴界
硅
(
111
)
表面
半导体材料
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职称材料
题名
Si(111)表面亚稳态重构的STM研究
1
作者
侯士敏
陶成钢
申自勇
郭等柱
赵兴钰
刘惟敏
薛增泉
机构
北京大学电子学系
出处
《真空科学与技术》
EI
CSCD
北大核心
2002年第4期243-246,共4页
基金
国家自然科学基金 (No 6990 2 0 0 2 )
国家科技部 973项目 (No 2 0 0 1CB610 5 0 3 )
文摘
利用扫描隧道显微镜 (STM) ,研究了Si(111)表面的 2× 2、c2× 4、9× 9和 11× 11等各种亚稳态结构。与已经发表的研究结果相比 :2× 2和c2× 4重构区域规则且面积更大 ,原子分辨的图像清晰稳定 ;在不同亚稳态之间的畴界处 ,发现存在2种不同的环形结构。从原子密度和能量两方面 。
关键词
Si(
111
)
表面
亚稳态重构
扫描隧道显微镜
畴界
硅
(
111
)
表面
半导体材料
Keywords
Scanning tunneling microscopy
Surface properties
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Si(111)表面亚稳态重构的STM研究
侯士敏
陶成钢
申自勇
郭等柱
赵兴钰
刘惟敏
薛增泉
《真空科学与技术》
EI
CSCD
北大核心
2002
0
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