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AlGaAs/GaAs HBT基区电流的研究
1
作者
廖小平
魏同立
《东南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
1998年第6期34-39,共6页
在ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴＥＭ模型直流参数的研究基础上，对ＨＢＴ的基区电流进行了研究，特别是针对ＢＥ结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流，因为在ＨＢＴ的小偏置情况下，ＨＢＴ的ＢＥ结空间电荷区的复合电流和基区表...
在ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴＥＭ模型直流参数的研究基础上，对ＨＢＴ的基区电流进行了研究，特别是针对ＢＥ结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流，因为在ＨＢＴ的小偏置情况下，ＨＢＴ的ＢＥ结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流在整个基区电流中占有主导地位．当ＢＥ结间外加电压为０．５～１．２Ｖ时，ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ的基区电流的计算机模拟值和测试值比较接近，这一研究结果有助于进一步了解ＨＢＴ的直流特性和１／ｆ噪声特性．
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关键词
基区电流
ALGAAS/GAAS
HBT
空间电荷区
基区表面
复合电流
砷
化
镓
晶体管
砷铝镓化合物晶体管
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职称材料
题名
AlGaAs/GaAs HBT基区电流的研究
1
作者
廖小平
魏同立
机构
东南大学微电子中心
出处
《东南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
1998年第6期34-39,共6页
文摘
在ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴＥＭ模型直流参数的研究基础上，对ＨＢＴ的基区电流进行了研究，特别是针对ＢＥ结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流，因为在ＨＢＴ的小偏置情况下，ＨＢＴ的ＢＥ结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流在整个基区电流中占有主导地位．当ＢＥ结间外加电压为０．５～１．２Ｖ时，ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ的基区电流的计算机模拟值和测试值比较接近，这一研究结果有助于进一步了解ＨＢＴ的直流特性和１／ｆ噪声特性．
关键词
基区电流
ALGAAS/GAAS
HBT
空间电荷区
基区表面
复合电流
砷
化
镓
晶体管
砷铝镓化合物晶体管
Keywords
AlGaAs/GaAs HBT
space charge region
base surface
recombination current
分类号
TN325.3 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
AlGaAs/GaAs HBT基区电流的研究
廖小平
魏同立
《东南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
1998
0
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