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砷注入碲镉汞光电二极管及其电学特性的等效分析
1
作者
李向阳
赵军
+2 位作者
陆慧庆
胡晓宁
方家熊
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第3期176-179,共4页
通过对碲镉汞材料进行Ａｓ注入以及退火，成功地制备了Ｐ－ｏｎ－Ｎ型光伏器件。器件的截止波长为５．５，黑体探测率Ｄ（５００Ｋ，１Ｋ，１００）可达２．１×１０ｃｍＨｚＷ通过对器件的变温电流－电压关系的测量，利用等效电路...
通过对碲镉汞材料进行Ａｓ注入以及退火，成功地制备了Ｐ－ｏｎ－Ｎ型光伏器件。器件的截止波长为５．５，黑体探测率Ｄ（５００Ｋ，１Ｋ，１００）可达２．１×１０ｃｍＨｚＷ通过对器件的变温电流－电压关系的测量，利用等效电路进行拟合后，我们发现，限制器件优质因子Ｒ。Ａ的主要因素是并联电阻。估计此并联电阻可能由表面漏电和体缺陷引起。
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关键词
碲镉汞光电二极管
砷注入及退火
电流电压特性
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职称材料
题名
砷注入碲镉汞光电二极管及其电学特性的等效分析
1
作者
李向阳
赵军
陆慧庆
胡晓宁
方家熊
机构
中科院传感技术国家重点实验室
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第3期176-179,共4页
文摘
通过对碲镉汞材料进行Ａｓ注入以及退火，成功地制备了Ｐ－ｏｎ－Ｎ型光伏器件。器件的截止波长为５．５，黑体探测率Ｄ（５００Ｋ，１Ｋ，１００）可达２．１×１０ｃｍＨｚＷ通过对器件的变温电流－电压关系的测量，利用等效电路进行拟合后，我们发现，限制器件优质因子Ｒ。Ａ的主要因素是并联电阻。估计此并联电阻可能由表面漏电和体缺陷引起。
关键词
碲镉汞光电二极管
砷注入及退火
电流电压特性
分类号
TN15 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
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1
砷注入碲镉汞光电二极管及其电学特性的等效分析
李向阳
赵军
陆慧庆
胡晓宁
方家熊
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
1998
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