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题名砷化镓衬底上螺旋电感的建模和分析
被引量：4
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作者
黄志忠
殷晓星
崔铁军
洪伟
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机构
东南大学毫米波国家重点实验室暨计算电磁学研究中心
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出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2005年第B04期39-43,共5页
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基金
国家自然科学基金重点项目(90307016)
国家自然科学基金重大项目 (60390540)第 7子课题
+1 种基金
国家杰出青年科学基金(60225001)
国家 863重大项目(2002AA123031)资助
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文摘
针对砷化镓(GaAs)衬底上螺旋电感提出了一种改进形式的集总参数等效电路模型,该等效电路模型能很好地表征螺旋电感的高频效应。同时,应用电磁场全波分析方法对螺旋电感进行仿真,并分析各参数对电感性能的影响。从得到的散射参数中提取出有效电感、Q值和自谐振频率。基于参数优化方法提取等效电路模型中各元件值,并利用曲线拟合技术给出其相应的闭合表达式。这些表达式可用于射频和微波集成电路的设计,从而提高电路设计的性能和效率。
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关键词
单片微波集成电路(MMIC)
螺旋电感
电路模型
参数提取
砷化镓衬底
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Keywords
Monolithic microwave integrated circuits （ MMICs）, Spiral inductor, Circuit model, Parameter extraction, GaAs substrates
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名在砷化镓衬底上用分子束外延法生长锑化铟薄膜
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作者
宋福英
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出处
《红外与激光技术》
CSCD
1994年第2期62-64,共3页
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文摘
用分子束外延方法在ＧａＡｓ上生长ＩｎＳｂ薄膜。方法是先在温度３８０℃生长ＩｎＳｂ有源层。然后低温（３００℃）生长一层约０．０３μｍ厚的ＩｎＳｂ缓冲层。Ｓｂ＿４与Ｉｎ的束流等效压强比为４：１时，可获得温度７７Ｋ最大霍尔迁移率的材料。在２～５μｍ厚度的薄膜中，温度７７Ｋ的霍尔迁移率大于３５０００ｃｍ￣２Ｖ￣（－１）·ｓ￣（－１）和Ｘ射线半峰宽小于２５０（″）。温度７７Ｋ的霍尔迁移率比最近报导的结果大３倍。Ｘ射线半峰宽也相对小。对可改进薄膜性能的几种可能性作了探讨。
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关键词
砷化镓衬底
分子束外延
锑化铟薄膜
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分类号
TN304.23
[电子电信—物理电子学]
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