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GaAs纳米线阵列太阳能电池的设计与优化
被引量：
3
1
作者
刘开贤
蔺吉虹
+1 位作者
史建华
田少华
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第4期82-87,共6页
为了得到纳米线阵列太阳能电池的最优转换效率,通过仿真计算对GaAs轴向pin结纳米线阵列进行了结构优化.首先利用三维有限时域差分法分析了GaAs纳米线阵列的光吸收特性,并对其直径、密度等结构参量进行优化,优化后的GaAs纳米线阵列的光...
为了得到纳米线阵列太阳能电池的最优转换效率,通过仿真计算对GaAs轴向pin结纳米线阵列进行了结构优化.首先利用三维有限时域差分法分析了GaAs纳米线阵列的光吸收特性,并对其直径、密度等结构参量进行优化,优化后的GaAs纳米线阵列的光吸收率可达87.4%.在此基础上,利用Sentaurus软件包中的电学仿真模块分析了电池的电学性能,并根据光生载流子在纳米线中的分布,对轴向pin结结构进行优化,最终优化过的太阳能电池功率转换效率可达到17.6%.分析结果表明,通过钝化处理以降低GaAs纳米线的表面复合速率,可显著提升电池的功率转换效率,而通过减小纳米线顶端高掺杂区域的体积,可减少载流子复合损耗,从而提高电池效率.该研究可为制作高性能的纳米线太阳能电池提供参考.
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关键词
太阳能电池
砷化镓纳米线
有限时域差分
光吸收
模拟
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职称材料
弯曲应变下单根GaAs纳米线的电学性能的原位透射电子显微镜研究
被引量：
5
2
作者
高攀
王疆靖
+5 位作者
王晓东
廖志明
邵瑞文
郑坤
韩晓东
张泽
《电子显微学报》
CAS
CSCD
2015年第2期89-93,共5页
在透射电子显微镜下,对单根GaAs纳米线实施了原位弯曲变形并获得了其弯曲变形下的电输运性能特性。本研究中,利用扫描透射探针系统和电子束诱导碳沉积技术,选取了单根GaAs纳米线并将纳米线两端与两根钨针尖连接固定。控制可移动的钨针尖...
在透射电子显微镜下,对单根GaAs纳米线实施了原位弯曲变形并获得了其弯曲变形下的电输运性能特性。本研究中,利用扫描透射探针系统和电子束诱导碳沉积技术,选取了单根GaAs纳米线并将纳米线两端与两根钨针尖连接固定。控制可移动的钨针尖,使GaAs纳米线发生弯曲变形同时获得相应的电流-电压曲线。有限元分析表明当纳米线的两端都固定时,纳米线同时承受了压缩应变和拉伸应变,其中压缩应变分布更为广泛。随着变形增加,GaAs纳米线的电导率增加了55%,这可能归因于弯曲变形下压缩与拉伸应变对GaAs纳米线能带结构的共同作用。
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关键词
砷化镓纳米线
压阻效应
应变
电导率
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职称材料
题名
GaAs纳米线阵列太阳能电池的设计与优化
被引量：
3
1
作者
刘开贤
蔺吉虹
史建华
田少华
机构
中国传媒大学理学院
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第4期82-87,共6页
基金
国家自然科学基金(No.61071148)资助~~
文摘
为了得到纳米线阵列太阳能电池的最优转换效率,通过仿真计算对GaAs轴向pin结纳米线阵列进行了结构优化.首先利用三维有限时域差分法分析了GaAs纳米线阵列的光吸收特性,并对其直径、密度等结构参量进行优化,优化后的GaAs纳米线阵列的光吸收率可达87.4%.在此基础上,利用Sentaurus软件包中的电学仿真模块分析了电池的电学性能,并根据光生载流子在纳米线中的分布,对轴向pin结结构进行优化,最终优化过的太阳能电池功率转换效率可达到17.6%.分析结果表明,通过钝化处理以降低GaAs纳米线的表面复合速率,可显著提升电池的功率转换效率,而通过减小纳米线顶端高掺杂区域的体积,可减少载流子复合损耗,从而提高电池效率.该研究可为制作高性能的纳米线太阳能电池提供参考.
关键词
太阳能电池
砷化镓纳米线
有限时域差分
光吸收
模拟
Keywords
Solar cells
GaAs nanowires
Finite-difference time-domain method
Optical absorption
Simulation
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
弯曲应变下单根GaAs纳米线的电学性能的原位透射电子显微镜研究
被引量：
5
2
作者
高攀
王疆靖
王晓东
廖志明
邵瑞文
郑坤
韩晓东
张泽
机构
北京工业大学固体微结构与性能研究所
澳大利亚昆士兰大学机械与采矿学院材料系
中国人民武装警察部队学院基础部物理教研室
浙江大学电镜中心材料科学与工程学院
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
2015年第2期89-93,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.11374029)
国家自然科学基金重点项目(No.11234011)
+2 种基金
全国优秀博士学位论文作者专项资金资助项目(No.201214)
北京市科技新星项目(No.Z121103002512017)
北京市教委项目(No.KM201310005009)
文摘
在透射电子显微镜下,对单根GaAs纳米线实施了原位弯曲变形并获得了其弯曲变形下的电输运性能特性。本研究中,利用扫描透射探针系统和电子束诱导碳沉积技术,选取了单根GaAs纳米线并将纳米线两端与两根钨针尖连接固定。控制可移动的钨针尖,使GaAs纳米线发生弯曲变形同时获得相应的电流-电压曲线。有限元分析表明当纳米线的两端都固定时,纳米线同时承受了压缩应变和拉伸应变,其中压缩应变分布更为广泛。随着变形增加,GaAs纳米线的电导率增加了55%,这可能归因于弯曲变形下压缩与拉伸应变对GaAs纳米线能带结构的共同作用。
关键词
砷化镓纳米线
压阻效应
应变
电导率
Keywords
GaAs nanowires
piezoresistance
strain
conductivity
分类号
TB383.1 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs纳米线阵列太阳能电池的设计与优化
刘开贤
蔺吉虹
史建华
田少华
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
弯曲应变下单根GaAs纳米线的电学性能的原位透射电子显微镜研究
高攀
王疆靖
王晓东
廖志明
邵瑞文
郑坤
韩晓东
张泽
《电子显微学报》
CAS
CSCD
2015
5
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