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砷化镓微波单片集成电路在移动通讯中的应用
1
作者 邵凯 《通讯产品世界》 1995年第12期58-60,共3页
随着移动通讯的不断发展,原来主要用于军事目的的砷化镓微波单片集成电路(MMIC)日益受到民用产业的重视。本文主要介绍砷化镓MMIC的基本原理和在移动通讯中的应用概况,并对它的发展前景作了预测。
关键词 移动通信 微波集成电路 单片集成电路 砷化镓
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ADI ADL8105砷化镓单片微波集成电路低噪声宽带放大器解决方案
2
《世界电子元器件》 2022年第9期52-55,共4页
ADI公司的ADL8105是砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带放大器,工作频率范围为5 GHz至20 GHz.在12GHz至17 GHz范围内,ADL8105提供27 dB典型增益,1.8 dB典型噪声系数和30.5dBm典型输出三阶交调... ADI公司的ADL8105是砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带放大器,工作频率范围为5 GHz至20 GHz.在12GHz至17 GHz范围内,ADL8105提供27 dB典型增益,1.8 dB典型噪声系数和30.5dBm典型输出三阶交调截点(OIP3)以及高达20.5 dBm的饱和输出功率(PSAT),采用5 V电源电压时功耗仅为90 mA.可通过牺牲OIP3和输出功率(POUT)来降低功耗. 展开更多
关键词 高电子迁移率晶体管 单片微波集成电路 宽带放大器 工作频率范围 噪声系数 电源电压 砷化镓 饱和输出功率
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宽带低噪声放大器单片微波集成电路 被引量：5
3
作者 戴剑 要志宏 +2 位作者 赵瑞华 宋学峰 刘帅 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期259-263,共5页
从行波放大器设计理论出发，研制了一款基于低噪声GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺设计的2～20GHz单片微波集成电路（MMIC）宽带低噪声放大器。该款放大器由九级电路构成。为了进一步提高放大器的增益，采用了一个共源场效应... 从行波放大器设计理论出发，研制了一款基于低噪声GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺设计的2～20GHz单片微波集成电路（MMIC）宽带低噪声放大器。该款放大器由九级电路构成。为了进一步提高放大器的增益，采用了一个共源场效应管和一个共栅场效应管级联的拓扑结构，每级放大器采用自偏压技术实现单电源供电。测试结果表明，本款低噪声放大器在外加＋5V工作电压下，能够在2～20GHz频率内实现小信号增益大于16dB，增益平坦度小于士0．5dB，输出P-1dB大于14dBm，噪声系数典型值为2．5dB，输入和输出回波损耗均小于-15dB，工作电流仅为63mA，低噪声放大器芯片面积为3．1mm×1．3mm。 展开更多
关键词 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单片微波集成电路(MMIC) 低噪 声放大器 宽带 行波
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GaAs微波单片集成电路中器件的精确建模 被引量：2
4
作者 陈雪军 徐世晖 +3 位作者 岑元飞 李辉 宋军 陈效建 《固体电子学研究与进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期126-132,共7页
论述了精确模型的建立对于微波单片集成电路研制和产品开发的重要意义 ,介绍了工程模型的概念和提取模型的方法 ,给出了在南京电子器件研究所进行的 MMIC有源器件的建模实例及验证结果。
关键词 砷化镓 场效应晶体管 单片集成电路 精确建模
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Ku波段微波单片集成电路6位数字衰减器设计 被引量：4
5
作者 周守利 张景乐 +2 位作者 吴建敏 周赡成 程元飞 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第12期30-34,共5页
基于GaAs 0.25μm增强/耗尽型(E/D)赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,研制了一款Ku波段6位数字衰减器微波单片集成电路(MMIC)。该6位数字衰减器由6个基本衰减位级联组成,可实现最大衰减量为31.5 dB、步进为0.5 dB的衰减量控制。采用... 基于GaAs 0.25μm增强/耗尽型(E/D)赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,研制了一款Ku波段6位数字衰减器微波单片集成电路(MMIC)。该6位数字衰减器由6个基本衰减位级联组成,可实现最大衰减量为31.5 dB、步进为0.5 dB的衰减量控制。采用简化的T型衰减结构,实现了0.5 dB和1 dB的衰减位。16 dB衰减位采用开关型衰减拓扑,在提高衰减平坦度的同时,有效降低其附加相移。测试结果表明,在12~18 GHz的频率内,数字衰减器衰减64态均方根误差(RMS)小于0.25 dB,附加相移为-0.5°^+9.5°,插入损耗小于4.9 dB,输入输出驻波比均小于1.5∶1。芯片尺寸为3.00 mm×0.75 mm。该芯片电路具有宽频带、高衰减精度、小尺寸的特点,主要用于微波相控阵收发组件、无线通讯等领域。 展开更多
关键词 KU波段 砷化镓 数字衰减器 高衰减精度 微波单片集成电路
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GaAs微波单片集成电路的主要失效模式及机理 被引量：12
6
作者 黄云 《电子产品可靠性与环境试验》 2002年第3期9-14,共6页
从可靠性物理的角度,深入分析了引起砷化镓微波单片集成电路(GaAsMMIC)退化或失效的主要失效模式及其失效机理,明确了 GaAs MMIC的可靠性问题主要表现为有源器件、无源器件和环境因素等引入损伤退化,主要的失效部位是MMIC的有源器件。
关键词 砷化镓 微波单片集成电路 失效模式 退化机理 有源器件
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砷化镓集成电路CAD系统
7
作者 吴洪江 薛勇健 +5 位作者 赵正平 刘玲 高学邦 肖军锋 刘贵增.高建军 杜红彦 《半导体情报》 1996年第2期4-10,共7页
介绍了一个在ＳＵＮ工作站上自主开发的砷化镓集成电路ＣＡＤ系统。该系统可完成微波、毫米波集成电路ＣＡＤ及砷化镓超高速数字集成电路ＣＡＤ。应用该系统已完成１５０余种砷化镓集成电路的优化设计，取得良好效果。
关键词 砷化镓 集成电路 毫米波 微波 计算机辅助设计
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微波固态器件与单片微波集成电路技术的新发展 被引量：9
8
作者 周德金 黄伟 宁仁霞 《电子与封装》 2021年第2期47-57,共11页
对不同时代的单片微波集成电路(MMIC)的器件工艺发展和应用发展状况进行概况总结,并结合当前的研究与应用热点,重点分析以砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)为代表的微波化合物固态器件和基于MMIC的异构异质集成新技术路径,并就今后发展的趋势... 对不同时代的单片微波集成电路(MMIC)的器件工艺发展和应用发展状况进行概况总结,并结合当前的研究与应用热点,重点分析以砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)为代表的微波化合物固态器件和基于MMIC的异构异质集成新技术路径,并就今后发展的趋势做出展望。 展开更多
关键词 微波单片集成电路 氮化镓 砷化镓 磷化铟 异质集成
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移动通信用GaAs微波单片集成电路的CAD技术研究 被引量：1
9
作者 徐世晖 陈雪军 +3 位作者 李辉 岑元飞 宋军 陈效建 《半导体情报》 2000年第1期7-11,共5页
介绍了一个移动通信用 Ga As MMIC集成电路 CAD系统。该系统包括单片电路器件模型系统和 CAD软件包。应用该系统已完成多个移动通信电路的优化设计 ,取得良好效果。
关键词 砷化镓 CAD 单片集成电路 移动通信
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高性能GaAs微波单片集成电路负阻压控带通有源滤波器
10
作者 田彤 罗晋生 吴顺君 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期46-50,共5页
在前期对GaAs微波单片集成电路负阻压控带通有源滤波器进行理论及实验研究的基础上 ,针对国内工艺技术的特点 ,提出了提高其性能的电路结构及其设计技术 .该设计采用宽带放大器级联负阻压控带通有源滤波器 ,在输入端设计π型宽带匹配电... 在前期对GaAs微波单片集成电路负阻压控带通有源滤波器进行理论及实验研究的基础上 ,针对国内工艺技术的特点 ,提出了提高其性能的电路结构及其设计技术 .该设计采用宽带放大器级联负阻压控带通有源滤波器 ,在输入端设计π型宽带匹配电路 ,并采用经实验验证和优化设计的平面压控变容管 .模拟结果表明 ,该压控带通滤波器性能优越 ,有 1 0dB以上插入增益 ,通带宽度约 30MHz ,调频范围宽约 4 0 0MHz ,工作于 1 .4 4～ 1 .82GHz. 展开更多
关键词 负阻 压控 有源滤波器 微波单片集成电路 砷化镓
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可变增益的功率放大器单片微波集成电路
11
作者 刁睿 赵瑞华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期264-267,共4页
根据电压控制增益电路理论及放大器设计原理，设计制作了一种基于GaAs工艺的可变增益功率放大器单片微波集成电路（MMIC）。采用电路仿真ADS软件进行了原理图及版图仿真，研究了增益控制电路在放大器中的位置对性能的影响。最终实现了在... 根据电压控制增益电路理论及放大器设计原理，设计制作了一种基于GaAs工艺的可变增益功率放大器单片微波集成电路（MMIC）。采用电路仿真ADS软件进行了原理图及版图仿真，研究了增益控制电路在放大器中的位置对性能的影响。最终实现了在6～9GHz频率范围内，1dB压缩点输出功率大于33dBm，当控制电压在-1～0V之间变化时，放大器的增益在5～40dB之间变化，增益控制范围达到了35dB。将功率放大器与增益控制电路制作在同一个单片集成电路上，面积仅为3．5mm×2．3mm，具有灵活易用、集成度高和成本低的特点，可广泛应用于卫星通信和数字微波通信等领域。 展开更多
关键词 功率放大器 可变增益 单片微波集成电路(MMIC) ADS软件 砷化镓
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330 GHz砷化镓单片集成分谐波混频器 被引量：3
12
作者 刘戈 张波 +3 位作者 张立森 王俊龙 邢东 樊勇 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期252-256,共5页
在太赫兹频段,二极管尺寸与波长相比已不能忽略,二极管的封装会引入很大的寄生参量,因此需建立二极管三维模型提取寄生参数.同时人工装配难度增大,会增加电路不确定性.采用12μm砷化镓单片集成悬置微带线结构,基于电子科技大学与中国电... 在太赫兹频段,二极管尺寸与波长相比已不能忽略,二极管的封装会引入很大的寄生参量,因此需建立二极管三维模型提取寄生参数.同时人工装配难度增大,会增加电路不确定性.采用12μm砷化镓单片集成悬置微带线结构,基于电子科技大学与中国电子科技集团第十三研究所自主联合设计的肖特基二极管研制330 GHz砷化镓单片集成分谐波混频器.实测结果显示在5 mW本振功率的驱动下,在328 GHz可得到最小变频损耗10.4 dB,在320~340 GHz范围内,单边带变频损耗小于14.7 dB. 展开更多
关键词 太赫兹 单片集成分谐波混频器 肖特基二极管 砷化镓 变频损耗
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GaAs及GaN微波毫米波多功能集成电路芯片综述 被引量：4
13
作者 彭龙新 邹文静 +1 位作者 孔令峥 张占龙 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第2期121-135,共15页
综合论述了GaAs和GaN微波毫米波的收发多功能芯片、幅相多功能芯片和GaAs限幅放大器集成芯片的发展状况、电路结构和性能特性,简述了收发多功能中的功率放大器和低噪声放大器的设计方法、幅相多功能中数字移相器和衰减器的设计方法,给... 综合论述了GaAs和GaN微波毫米波的收发多功能芯片、幅相多功能芯片和GaAs限幅放大器集成芯片的发展状况、电路结构和性能特性,简述了收发多功能中的功率放大器和低噪声放大器的设计方法、幅相多功能中数字移相器和衰减器的设计方法,给出了限幅低噪声放大器中限幅器的设计参考。 展开更多
关键词 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 氮化镓高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路 多功能芯片 低噪声放大器 功率放大器 数控衰减器 数控移相器 开关 GaAs数字电路
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DC～35GHz超宽带单刀四掷开关单片集成电路 被引量：3
14
作者 谭超 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第8期576-580,共5页
设计了一款工作频率为DC～35 GHz的超宽带单刀四掷开关单片集成电路,其单片电路内部集成了驱动2∶4译码器。通过ADS软件对多种开关电路拓扑进行优化,设计出了一种合理的开关结构。采用先进的E/D PHEMT工艺进行版图设计并进行了版图电磁... 设计了一款工作频率为DC～35 GHz的超宽带单刀四掷开关单片集成电路,其单片电路内部集成了驱动2∶4译码器。通过ADS软件对多种开关电路拓扑进行优化,设计出了一种合理的开关结构。采用先进的E/D PHEMT工艺进行版图设计并进行了版图电磁场仿真验证,在GaAs PHEMT工艺线上进行了流片,对制作的芯片进行了在片测试,测试结果表明,在DC～35 GHz频率范围内,单刀四掷单片开关的插入损耗(IL)小于3.5 dB,隔离度大于30 dB,回波损耗小于-10 dB,易于控制,满足设计要求,在微波电路T/R组件中有很好的应用前景。目前未见同类超宽带单刀四掷单片开关的相关报道。 展开更多
关键词 超宽带 单刀四掷(SP4T) 单片集成电路(MMIC) 2译码器 砷化镓
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砷化镓集成电路的成品率技术
15
作者 田尔文 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第6期53-56,共4页
本文介绍有关砷化镓单片电路成品率技术的最新进展。阐述了成品率驱动设计策略的原理。
关键词 砷化镓 单片集成电路 成品率
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10～11GHz 1W GaAs功率单片集成电路
16
作者 张玉清 张慕义 +3 位作者 高学邦 李岚 王勇 孙先花 《半导体情报》 1997年第1期32-35,共4页
介绍了以栅宽1.2mm GaAs FET 器件为基础的两级 GaAs 功率单片集成电路的设计、制作及其性能。该两级单片集成电路在10～11GHz 频带内,输出功率1W,增益10dB。
关键词 砷化镓 单片集成电路 设计
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8毫米GaAs功率单片集成电路
17
作者 张慕义 张玉清 +2 位作者 高学邦 王勇 李岚 《半导体情报》 1997年第1期29-31,共3页
介绍了以栅宽0.4mm 器件为基础的8mm 单级单片 IC 的设计、制造及性能测试等。该单片在32～33GHz,输出功率大于100mw,增益大于3dB,最大输出功率达150mW。
关键词 毫米波 砷化镓 单片集成电路
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高成品率砷化镓DPDT单片射频开关 被引量：2
18
作者 李拂晓 蒋幼泉 +4 位作者 陈继义 钮利荣 高建峰 邵凯 杨乃彬 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期202-204,245,共4页
采用砷化镓 76mm 0 .7μm离子注入 MESFET工艺技术研制出手机用砷化镓 DPDT单片射频开关(以下简称单片开关 )。该单片开关面积 1 3 1 0 μm× 1 2 5 0 μm,总栅宽 3 6mm,工作频率 DC～ 2 GHz,1 GHz下插入损耗 IL小于 0 .5 2 d B,... 采用砷化镓 76mm 0 .7μm离子注入 MESFET工艺技术研制出手机用砷化镓 DPDT单片射频开关(以下简称单片开关 )。该单片开关面积 1 3 1 0 μm× 1 2 5 0 μm,总栅宽 3 6mm,工作频率 DC～ 2 GHz,1 GHz下插入损耗 IL小于 0 .5 2 d B,隔离度 ISO大于 1 7d B,驻波 VSWR≤ 1 .3 ,2 GHz下 IL小于 0 .7d B,ISO大于 1 1 d B,驻波≤ 1 .3 ,反向三阶交调 PTOI优于 64 d Bm,1 W射频信号下的栅漏电小于 2 0 μA。连续五批共 60片的统计结果表明 ,该单片开关圆片上芯片的直流成品率最低 84 % ,最高 96% ;微波参数成品率在 75 %～ 86%之间 ,代表着国内 Ga 展开更多
关键词 砷化镓 DPDT 射频开关 单片开关 GAAS 手机
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砷化镓PIN管单片限幅器 被引量：2
19
作者 陈新宇 蒋幼泉 +1 位作者 许正荣 黄子乾 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期F0003-F0003,共1页
在微波功率发射系统中，为防止高灵敏接收机前置低噪声放大器（LNA）被发射的泄漏功率烧毁，需在前置低噪声放大器前面安置PIN二极管限幅器。通过控制PIN二极管的工作状态，在高功率的微波信号通过限幅器时，被衰减到较低的功率电平，... 在微波功率发射系统中，为防止高灵敏接收机前置低噪声放大器（LNA）被发射的泄漏功率烧毁，需在前置低噪声放大器前面安置PIN二极管限幅器。通过控制PIN二极管的工作状态，在高功率的微波信号通过限幅器时，被衰减到较低的功率电平，而小功率微波信号则以较小的插损顺利通过。 展开更多
关键词 限幅器 PIN管 砷化镓 低噪声放大器 PIN二极管 单片 发射系统 微波功率
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X波段五位、C波段六位砷化镓单片数字移相器 被引量：2
20
作者 沈亚 陈堂胜 +1 位作者 林金庭 陈效建 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期357-357,共1页
关键词 移相器 砷化镓 单片数字移相器 X波段 C波段
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