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GaAs微结构中共振隧穿薄膜介观压阻效应研究
被引量：
3
1
作者
王建
张文栋
+2 位作者
薛晨阳
熊继军
张斌珍
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第9期702-705,共4页
设计并利用控制孔技术加工了GaAs基微结构和基于该微结构的共振隧穿薄膜,并通过实验研究了微结构中共振隧穿薄膜的介观压阻效应,试验结果表明其介观压阻灵敏度比硅的最大压阻灵敏度高一个数量级。
关键词
共振隧穿薄膜
介观压阻效应
砷化镓基微结构
在线阅读
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职称材料
题名
GaAs微结构中共振隧穿薄膜介观压阻效应研究
被引量：
3
1
作者
王建
张文栋
薛晨阳
熊继军
张斌珍
机构
中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第9期702-705,共4页
基金
国家自然科学基金资助(50405025
50375050)
文摘
设计并利用控制孔技术加工了GaAs基微结构和基于该微结构的共振隧穿薄膜,并通过实验研究了微结构中共振隧穿薄膜的介观压阻效应,试验结果表明其介观压阻灵敏度比硅的最大压阻灵敏度高一个数量级。
关键词
共振隧穿薄膜
介观压阻效应
砷化镓基微结构
Keywords
resonant tunneling film
meso-piezoresistive effect
GaAs micro-structure
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs微结构中共振隧穿薄膜介观压阻效应研究
王建
张文栋
薛晨阳
熊继军
张斌珍
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006
3
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