期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
3
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
高功率电磁脉冲对砷化镓金属半导体场效应管的影响
1
作者
张寒峭
黄卡玛
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第11期1873-1878,共6页
采用时域有限差分方法,通过求解麦克斯韦方程、热传导方程和载流子方程,模拟了在电磁脉冲辐射下,场效应管器件温度和端口散射参数的变化过程。研究了不同幅度脉冲序列和上升沿不同的脉冲对砷化镓金属半导体场效应管的影响,对比了各种不...
采用时域有限差分方法,通过求解麦克斯韦方程、热传导方程和载流子方程,模拟了在电磁脉冲辐射下,场效应管器件温度和端口散射参数的变化过程。研究了不同幅度脉冲序列和上升沿不同的脉冲对砷化镓金属半导体场效应管的影响,对比了各种不同脉冲作用下场效应管性能的变化规律。该方法克服了传统电路模型无法模拟电磁波与器件内部活动粒子作用过程的缺点,可以直接模拟器件温度和散射参数在高功率电磁脉冲辐射下的时域变化过程。
展开更多
关键词
砷化镓场效应管
全局模型
电磁脉冲
时域有限差分
热
效应
在线阅读
下载PDF
职称材料
一种宽带低功耗电压可变衰减器的研究
被引量：
2
2
作者
杨强
周全
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期332-334,共3页
采用微波薄膜混合集成电路工艺设计并实现了一种砷化镓场效应管电压可变衰减器,在DC～20 GHz带宽内插入损耗小于3 dB,最大衰减量22 dB,输入输出端口驻波比小于2.0,衰减动态范围在10 dB以内时衰减平坦度小于1 dB。该衰减器采用单电压源...
采用微波薄膜混合集成电路工艺设计并实现了一种砷化镓场效应管电压可变衰减器,在DC～20 GHz带宽内插入损耗小于3 dB,最大衰减量22 dB,输入输出端口驻波比小于2.0,衰减动态范围在10 dB以内时衰减平坦度小于1 dB。该衰减器采用单电压源控制衰减量变化,控制电压在-2～0 V内变化时,控制端口电流的实测值低于5μA,具有显著的低功耗优点。
展开更多
关键词
宽带
低功耗
砷化镓场效应管
电压可变衰减器
在线阅读
下载PDF
职称材料
硅锗技术及其在无线射频领域的应用研究
被引量：
1
3
作者
孟令琴
费元春
《兵工学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第1期78-81,共4页
本文概述了硅锗 (SiGe)技术发展趋势及优势 ,阐述了硅锗双极互补型金属氧化物半导体(SiGeBiCMOS)技术 ,硅锗异质结双极晶体管 (SiGeHBT)器件在无线通信领域优良的性能 ,低廉的成本 ,可以说SiGe材料的出现为半导体材料和工艺增添了新的...
本文概述了硅锗 (SiGe)技术发展趋势及优势 ,阐述了硅锗双极互补型金属氧化物半导体(SiGeBiCMOS)技术 ,硅锗异质结双极晶体管 (SiGeHBT)器件在无线通信领域优良的性能 ,低廉的成本 ,可以说SiGe材料的出现为半导体材料和工艺增添了新的活力。硅互补型金属氧化物半导体 (SiCMOS)工艺因其低廉的成本 ,较好的一致性是大规模数字集成电路制造的基础 ,而硅锗互补型金属氧化物半导体 /硅锗双极互补型金属氧化物半导体 (SiGeCMOS/BiCMOS)既有硅互补型金属氧化物半导体 (CMOS)工艺的优点 ,又有良好的高频性能 ,特别是SiGeHBT的出现是SiGe器件的工作频率可直接应用到微波频段 ,而其成本和噪声性能是砷化镓 (GaAs)材料无法比拟的。随着对SiGeHBT ,硅锗场效应晶体管 (SiGeFET)的研究 ,SiGe器件的高频性能 ,低噪声性能 ,功率和线性性能将得到展现 ,为进一步降低收发信机的成本 ,提高其集成度打下了基础 。
展开更多
关键词
硅锗技术
无线射频
半导体技术
异质结双极晶体管
砷化镓场效应管
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
高功率电磁脉冲对砷化镓金属半导体场效应管的影响
1
作者
张寒峭
黄卡玛
机构
四川大学电子信息学院
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第11期1873-1878,共6页
基金
国家自然科学基金资助课题(60471045)
国家863计划项目资助课题
文摘
采用时域有限差分方法,通过求解麦克斯韦方程、热传导方程和载流子方程,模拟了在电磁脉冲辐射下,场效应管器件温度和端口散射参数的变化过程。研究了不同幅度脉冲序列和上升沿不同的脉冲对砷化镓金属半导体场效应管的影响,对比了各种不同脉冲作用下场效应管性能的变化规律。该方法克服了传统电路模型无法模拟电磁波与器件内部活动粒子作用过程的缺点,可以直接模拟器件温度和散射参数在高功率电磁脉冲辐射下的时域变化过程。
关键词
砷化镓场效应管
全局模型
电磁脉冲
时域有限差分
热
效应
Keywords
GaAs MESFET
Global model
Electromagnetic pulse
FDTD
Thermal effects
分类号
TN011 [电子电信—物理电子学]
TN386 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
一种宽带低功耗电压可变衰减器的研究
被引量：
2
2
作者
杨强
周全
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期332-334,共3页
文摘
采用微波薄膜混合集成电路工艺设计并实现了一种砷化镓场效应管电压可变衰减器,在DC～20 GHz带宽内插入损耗小于3 dB,最大衰减量22 dB,输入输出端口驻波比小于2.0,衰减动态范围在10 dB以内时衰减平坦度小于1 dB。该衰减器采用单电压源控制衰减量变化,控制电压在-2～0 V内变化时,控制端口电流的实测值低于5μA,具有显著的低功耗优点。
关键词
宽带
低功耗
砷化镓场效应管
电压可变衰减器
Keywords
broadband
low power consumption
GaAs FET
WA
分类号
TN715 [电子电信—电路与系统]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
硅锗技术及其在无线射频领域的应用研究
被引量：
1
3
作者
孟令琴
费元春
机构
总参第
北京理工大学电子工程系微波电路实验室
出处
《兵工学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第1期78-81,共4页
文摘
本文概述了硅锗 (SiGe)技术发展趋势及优势 ,阐述了硅锗双极互补型金属氧化物半导体(SiGeBiCMOS)技术 ,硅锗异质结双极晶体管 (SiGeHBT)器件在无线通信领域优良的性能 ,低廉的成本 ,可以说SiGe材料的出现为半导体材料和工艺增添了新的活力。硅互补型金属氧化物半导体 (SiCMOS)工艺因其低廉的成本 ,较好的一致性是大规模数字集成电路制造的基础 ,而硅锗互补型金属氧化物半导体 /硅锗双极互补型金属氧化物半导体 (SiGeCMOS/BiCMOS)既有硅互补型金属氧化物半导体 (CMOS)工艺的优点 ,又有良好的高频性能 ,特别是SiGeHBT的出现是SiGe器件的工作频率可直接应用到微波频段 ,而其成本和噪声性能是砷化镓 (GaAs)材料无法比拟的。随着对SiGeHBT ,硅锗场效应晶体管 (SiGeFET)的研究 ,SiGe器件的高频性能 ,低噪声性能 ,功率和线性性能将得到展现 ,为进一步降低收发信机的成本 ,提高其集成度打下了基础 。
关键词
硅锗技术
无线射频
半导体技术
异质结双极晶体管
砷化镓场效应管
Keywords
semiconductor technique, GaAs field effect transistor, heterojunction bipolar transistor
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高功率电磁脉冲对砷化镓金属半导体场效应管的影响
张寒峭
黄卡玛
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
一种宽带低功耗电压可变衰减器的研究
杨强
周全
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
硅锗技术及其在无线射频领域的应用研究
孟令琴
费元春
《兵工学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
