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我国砷化镓单晶生长技术取得国际领先水平: 1; 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期392-392,共1页; 关键词单晶生长技术砷化镓单晶国际领先水平液封直拉 LEC法自主创新有限公司; 在线阅读下载PDF 职称材料

砷化镓、硅单晶太阳能电池特性研究实验教学设计被引量：1: 2; 作者王一乌大琨 +1 位作者隋郁赵海发《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2020年第2期152-156,189,共6页; 针对目前高校太阳能电池实验教学大多基于单晶、多晶、非晶硅样品及不能解释不同电池性能差异本质原因的不足,新开设砷化镓单晶和硅单晶太阳能电池对比实验。该实验在暗伏安特性、开路电压和短路电流、输出特性等传统测量及数学拟合基础... 展开更多; 关键词太阳能电池能带结构砷化镓单晶硅单晶填充因子; 在线阅读下载PDF 职称材料

FEC法生长Si和In双掺GaAs单晶生长技术被引量：1: 3; 作者周春锋杨连生 +2 位作者刘晏凤李延强杜颖《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期313-316,共4页; 研究了几种消除LEC GaAs材料的位错措施以降低温度梯度从而尽可能降低晶体的热应力。掺入等电子In或Si使杂质硬化,为了抑制晶体表面产生位错,开发了全液封切克劳斯基(FEC)晶体生长技术。结合以上三种技术开发出了Si和In双掺FEC GaAs单... 展开更多; 关键词铟和硅双掺杂全液封砷化镓单晶液封直拉法; 在线阅读下载PDF 职称材料

〈511〉晶向GaAs单晶主次参考面的确定被引量：1: 4; 作者佟丽英杨春明 +2 位作者王春梅史继祥王聪《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第9期793-795,共3页; 在半导体照明工程中采用〈511〉晶向GaAs抛光片作为衬底材料进行外延生长制作LED器件。根据〈511〉晶向GaAs单晶的晶格结构特性,在晶片的生产加工过程中采用多步工艺进行其主次参考面的确定,通过采取理论分析和微观观察及X射线衍射测试... 展开更多; 关键词砷化镓单晶微观图形参考面; 在线阅读下载PDF 职称材料

ICP-AES测定三甲基镓中痕量杂质被引量：2: 5; 作者张淑珍王春梅《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期53-66,共14页; 本文建立了用ＩＣＰ－ＡＥＳ测定三甲基镓中杂质Ｃａ、Ｍｇ、Ｃｏ、Ｂａ、Ｃｄ、Ｎｉ、Ｌｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｍｎ和Ｓｉ等１６种元素的方法。研究了样品的处理、基体镓对杂质元素的背景干扰、谱线干扰以及谱... 展开更多; 关键词 ICP-AES 三甲基镓砷化镓单晶薄膜杂质; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs在光通讯波段的超快非线性光学研究(英文) 被引量：2: 6; 作者陈智慧肖思 +1 位作者何军顾兵《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期969-975,共7页; 采用Z-扫描和泵浦-探测技术,在光通讯波段对砷化镓(Ga As)单晶进行了非线性动力学以及非线性光学的实验研究。飞秒泵浦-探测实验结果表明,三阶非线性光学效应源于砷化镓单晶对飞秒激光的瞬态双光子吸收,而五阶非线性光学效应源于砷化镓... 展开更多; 关键词双光子吸收自由载流子吸收砷化镓单晶光通讯波长; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名我国砷化镓单晶生长技术取得国际领先水平: 1; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期392-392,共1页; 关键词单晶生长技术砷化镓单晶国际领先水平液封直拉 LEC法自主创新有限公司; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学] O613.71 [理学—无机化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名砷化镓、硅单晶太阳能电池特性研究实验教学设计被引量：1: 2; 作者王一乌大琨隋郁赵海发; 机构哈尔滨工业大学物理学院; 出处《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2020年第2期152-156,189,共6页; 文摘针对目前高校太阳能电池实验教学大多基于单晶、多晶、非晶硅样品及不能解释不同电池性能差异本质原因的不足,新开设砷化镓单晶和硅单晶太阳能电池对比实验。该实验在暗伏安特性、开路电压和短路电流、输出特性等传统测量及数学拟合基础上,还给出在全光强范围内的最大输出功率值、开路电压短路电流的乘积值及其线性拟合,并据此提供全光强范围的填充因子曲线。最后,结合第一性原理方法计算的能带图,解释了两种太阳能电池性能差异的根本原因,弥补了以往实验教学的不足。; 关键词太阳能电池能带结构砷化镓单晶硅单晶填充因子; Keywords solar cell band structures gallium arsenide single crystal silicon single crystal fill factor; 分类号 G642 [文化科学—高等教育学] TM914.4-4 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名FEC法生长Si和In双掺GaAs单晶生长技术被引量：1: 3; 作者周春锋杨连生刘晏凤李延强杜颖; 机构中国电子科技集团公司第四十六研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期313-316,共4页; 文摘研究了几种消除LEC GaAs材料的位错措施以降低温度梯度从而尽可能降低晶体的热应力。掺入等电子In或Si使杂质硬化,为了抑制晶体表面产生位错,开发了全液封切克劳斯基(FEC)晶体生长技术。结合以上三种技术开发出了Si和In双掺FEC GaAs单晶生长技术以消除位错。采用此技术已生长出半导体低位错密度的GaAs晶体,经证实这种掺Si和In低位错GaAs衬底可以满足GaAs LED制作。; 关键词铟和硅双掺杂全液封砷化镓单晶液封直拉法; Keywords In and Si double-doped FEC GaAs crystal LEC; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名〈511〉晶向GaAs单晶主次参考面的确定被引量：1: 4; 作者佟丽英杨春明王春梅史继祥王聪; 机构中国电子科技集团公司第四十六研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第9期793-795,共3页; 文摘在半导体照明工程中采用〈511〉晶向GaAs抛光片作为衬底材料进行外延生长制作LED器件。根据〈511〉晶向GaAs单晶的晶格结构特性,在晶片的生产加工过程中采用多步工艺进行其主次参考面的确定,通过采取理论分析和微观观察及X射线衍射测试的方法,互相对照,共同确定GaAs单晶的主次参考面的位置。单晶主次参考面的确定是整个晶片加工工艺链中的关键工艺,对提高生产效率、批量化生产具有很大的实用性。; 关键词砷化镓单晶微观图形参考面; Keywords GaAs single crystal microscopic figure reference plane; 分类号 TN305.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名ICP-AES测定三甲基镓中痕量杂质被引量：2: 5; 作者张淑珍王春梅; 机构电子部第四十六研究所; 出处《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期53-66,共14页; 文摘本文建立了用ＩＣＰ－ＡＥＳ测定三甲基镓中杂质Ｃａ、Ｍｇ、Ｃｏ、Ｂａ、Ｃｄ、Ｎｉ、Ｌｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｍｎ和Ｓｉ等１６种元素的方法。研究了样品的处理、基体镓对杂质元素的背景干扰、谱线干扰以及谱线强度的影响。检测限均小于１μｇ／ｇ，测定的相对标准偏差小于１％。; 关键词 ICP-AES 三甲基镓砷化镓单晶薄膜杂质; Keywords ICP AES, Trimethylgallium; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs在光通讯波段的超快非线性光学研究(英文) 被引量：2: 6; 作者陈智慧肖思何军顾兵; 机构中南大学物理与电子学院先进材料超微结构与超快过程研究所中南大学超微结构与超快过程湖南省重点实验室东南大学先进光子学中心; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期969-975,共7页; 基金国家自然科学基金(61222406,11174371,11174160) 湖南省自然科学基金(12JJ1001) +2 种基金中南大学研究生自主探索创新基金(2014zzts138)资助项目; 文摘采用Z-扫描和泵浦-探测技术,在光通讯波段对砷化镓(Ga As)单晶进行了非线性动力学以及非线性光学的实验研究。飞秒泵浦-探测实验结果表明,三阶非线性光学效应源于砷化镓单晶对飞秒激光的瞬态双光子吸收,而五阶非线性光学效应源于砷化镓单晶双光子吸收诱导的自由载流子吸收效应。通过Z扫描实验,得到了关于Ga As单晶所有的非线性光学参数,包括双光子吸收系数、三阶非线性折射系数、双光子吸收诱导的自由载流子吸收截面以及双光子吸收诱导的自由载流子折射截面。结果表明,砷化镓单晶在制造光限幅器件和光电探测器方面具有良好的发展前景。; 关键词双光子吸收自由载流子吸收砷化镓单晶光通讯波长; Keywords two-photon absorption free carrier absorption GaAs crystal telecommunication wavelengths; 分类号 O437 [机械工程—光学工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	我国砷化镓单晶生长技术取得国际领先水平		《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	砷化镓、硅单晶太阳能电池特性研究实验教学设计	王一乌大琨隋郁赵海发	《实验技术与管理》 CAS 北大核心	2020	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	FEC法生长Si和In双掺GaAs单晶生长技术	周春锋杨连生刘晏凤李延强杜颖	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2010	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	〈511〉晶向GaAs单晶主次参考面的确定	佟丽英杨春明王春梅史继祥王聪	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	ICP-AES测定三甲基镓中痕量杂质	张淑珍王春梅	《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	1997	2	在线阅读下载PDF 职称材料
6	GaAs在光通讯波段的超快非线性光学研究(英文)	陈智慧肖思何军顾兵	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	2	在线阅读下载PDF 职称材料