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Sub-6 GHz GaAs pHEMT高功率吸收型单刀双掷开关
1
作者 陈梓雅 张志浩 +2 位作者 周杰海 李玮鑫 章国豪 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第1期39-44,共6页
基于0.5μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,设计了一款高功率吸收型单刀双掷开关芯片。芯片采用堆叠技术和前馈电容技术来提高功率容量和线性度。通过在传统串并联结构的输出端口引入串并联阻容匹配网络,实现了芯片在导通和关... 基于0.5μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,设计了一款高功率吸收型单刀双掷开关芯片。芯片采用堆叠技术和前馈电容技术来提高功率容量和线性度。通过在传统串并联结构的输出端口引入串并联阻容匹配网络,实现了芯片在导通和关断状态下的良好端口匹配。该开关芯片的尺寸为0.82 mm×0.37 mm。实测结果显示,在0.7~6.0 GHz的工作频段内,该开关实现了低于1.1 dB的插入损耗、高于36 dB的隔离度、优于15 dB的通路回波损耗和优于10 dB的断路回波损耗。此外,0.1 dB功率压缩点在1、2、4和6 GHz时,均约40 dBm。 展开更多
关键词 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 吸收型开关 高功率 高隔离 阻抗匹配
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内置驱动器的砷化镓高隔离开关芯片 被引量：4
2
作者 许正荣 应海涛 +3 位作者 李娜 李小鹏 张有涛 杨磊 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期365-369,共5页
采用增强/耗尽型(E/D)结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术,研制开发的射频开关,具有插损低、隔离度高、承受功率大、线性度高等特点。产品采用0.5μm栅长的砷化镓PHEMT E/D标准工艺加工,将开关电路和驱动电路集成在一颗芯片上,并... 采用增强/耗尽型(E/D)结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术,研制开发的射频开关,具有插损低、隔离度高、承受功率大、线性度高等特点。产品采用0.5μm栅长的砷化镓PHEMT E/D标准工艺加工,将开关电路和驱动电路集成在一颗芯片上,并做了相应的静电防护设计。测试结果表明,在0.01～5.0GHz带内,插入损耗≤1.2dB@3GHz、≤1.6dB@5GHz,带内输入输出驻波比≤1.5,隔离度≥60dB@3GHz、≥52dB@5GHz,1dB压缩功率点达到了30dBm,IP3超过了+52dBm。 展开更多
关键词 砷化镓 增强型 耗尽型 射频开关 赝配高电子迁移率晶体管
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9～15 GHz GaAs E-PHEMT高性能线性功率放大器 被引量：7
3
作者 魏碧华 蔡道民 武继斌 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第7期489-492,498,共5页
基于0.15μm GaAs增强型赝配高电子迁移率晶体管(E-PHEMT)工艺,研制了一款用于5G通信和点对点传输的高性能线性功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用栅宽比为1∶4.4的两级放大结构保证了电路的增益和功率指标满足要求;基于大信号模... 基于0.15μm GaAs增强型赝配高电子迁移率晶体管(E-PHEMT)工艺,研制了一款用于5G通信和点对点传输的高性能线性功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用栅宽比为1∶4.4的两级放大结构保证了电路的增益和功率指标满足要求;基于大信号模型实现了最优输入输出阻抗匹配;采用电磁场仿真技术优化设计的MMIC芯片尺寸为2.5 mm×1.1 mm。芯片的在片测试结果表明,静态直流工作点为最大饱和电流的35%、漏压为5 V的条件下,在9~15 GHz频率内,MMIC功率放大器小信号增益大于20 dB,1 dB压缩点输出功率不小于27 dBm,功率附加效率不小于35%,功率回退至19 dBm时三阶交调不大于-37 dBc。 展开更多
关键词 增强型赝配高电子迁移率晶体管(E-PHEMT) 单片微波集成电路(MMIC) 功率放大器 GAAS 功率附加效率(PAE)
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砷化镓0.25μm PHEMT开关模型研究 被引量：5
4
作者 郑惟彬 李拂晓 +3 位作者 李辉 沈亚 潘晓枫 沈宏昌 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期372-376,共5页
借助于传统的FET等效电路模型,给出了0.25μm GaAs PHEMT的开关模型,并在ICCAP和ADS软件中,完成等效电路参数的提取与优化。通过对单刀单掷(SPST)开关的仿真和测试,表明,在0.1～20 GHz的频域内,其"开"态插入损耗误差、端口1... 借助于传统的FET等效电路模型,给出了0.25μm GaAs PHEMT的开关模型,并在ICCAP和ADS软件中,完成等效电路参数的提取与优化。通过对单刀单掷(SPST)开关的仿真和测试,表明,在0.1～20 GHz的频域内,其"开"态插入损耗误差、端口1和端口2的电压驻波比误差分别小于0.3 dB、0.24和0.19;其"关"态隔离度误差、端口1和端口2的电压驻波比误差分别小于1.9 dB、0.12和0.08。文中得到的PHEMT开关模型将有助于控制类单片集成电路的研究与开发。 展开更多
关键词 砷化镓 膺配高电子迁移率晶体管 开关模型
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一种在砷化镓上形成欧姆接触的新型六层金属系统(英文) 被引量：2
5
作者 李海鸥 尹军舰 +2 位作者 张海英 和致经 叶甜春 《电子器件》 EI CAS 2006年第1期9-11,109,共4页
研究了在砷化镓上欧姆接触形成机理,并提出了一种新型的欧姆接触六层金属系统(Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au)。在n型GaAs样品上实验了在380～460℃合金温度和50～120s合金时间下形成欧姆接触,在400℃、60s下典型的欧姆接触值为2.1x10-7Ω·cm2... 研究了在砷化镓上欧姆接触形成机理,并提出了一种新型的欧姆接触六层金属系统(Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au)。在n型GaAs样品上实验了在380～460℃合金温度和50～120s合金时间下形成欧姆接触,在400℃、60s下典型的欧姆接触值为2.1x10-7Ω·cm2,同时合金后表面形貌光滑、平整。 展开更多
关键词 膺配高电子迁移率晶体管 欧姆接触 退火 砷化镓
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砷化镓六位串并行驱动器芯片的研制 被引量：8
6
作者 赵子润 陈凤霞 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第12期894-898,共5页
基于0.25μm砷化镓(GaAs)增强、耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺,设计并实现了一种串并行驱动器芯片,该芯片应用直接耦合场效应晶体管逻辑结构(DCFL),实现了移位寄存器、锁存器、输出缓冲等数字逻辑电路单片集成。芯片可... 基于0.25μm砷化镓(GaAs)增强、耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺,设计并实现了一种串并行驱动器芯片,该芯片应用直接耦合场效应晶体管逻辑结构(DCFL),实现了移位寄存器、锁存器、输出缓冲等数字逻辑电路单片集成。芯片可输入六位串行或并行数据,输出六对互补电平以控制开关、衰减器等砷化镓微波单片集成电路(MMIC)。测试结果表明,在5 V工作电压下芯片的静态电流为7.6 m A,并行输出高电平4.8 V,低电平0.1 V,传输延迟时间125 ns。驱动器芯片尺寸为2.5 mm×1.45 mm。该电路具有响应速度快、易与砷化镓MMIC集成等特点,可广泛应用于各类多功能电路、组件及模块中。 展开更多
关键词 砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 开关驱动器 微波单片集成电路 增强型
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高功率密度高效率28V GaAs PHEMT技术 被引量：1
7
作者 林罡 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期240-243,共4页
报道了采用双场板设计的GaAs PHEMT器件,该器件栅长为0.5μm,工作电压28V,在2GHz下饱和输出功率2.18W/mm,功率附加效率PAE=67%。
关键词 砷化镓 微波单片集成电路 赝配高电子迁移率晶体管 场板
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GaAs微波功率FET的可靠性与功率特性的关系
8
作者 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期377-382,共6页
采用射频最大饱和漏电流和射频击穿电压解释了影响GaAs微波功率FET功率特性的主要因素,GaAs FET栅漏间半导体表面负电荷的积累在引起器件电流偏移的同时还导致器件微波功率特性的退化,GaAs微波功率FET的可靠性和功率特性相互关联,高可靠... 采用射频最大饱和漏电流和射频击穿电压解释了影响GaAs微波功率FET功率特性的主要因素,GaAs FET栅漏间半导体表面负电荷的积累在引起器件电流偏移的同时还导致器件微波功率特性的退化,GaAs微波功率FET的可靠性和功率特性相互关联,高可靠的GaAs微波功率FET一定具有高性能的功率特性。在器件工艺中对表面态密度和陷阱能级密度严格控制是实现GaAs微波功率FET的高功率特性和高可靠性的关键。 展开更多
关键词 砷化镓微波功率场效应晶体管 砷化镓功率赝配高电子迁移率晶体管 可靠性 动态伏安特性
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ADI ADL8105砷化镓单片微波集成电路低噪声宽带放大器解决方案
9
《世界电子元器件》 2022年第9期52-55,共4页
ADI公司的ADL8105是砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带放大器,工作频率范围为5 GHz至20 GHz.在12GHz至17 GHz范围内,ADL8105提供27 dB典型增益,1.8 dB典型噪声系数和30.5dBm典型输出三阶交调... ADI公司的ADL8105是砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带放大器,工作频率范围为5 GHz至20 GHz.在12GHz至17 GHz范围内,ADL8105提供27 dB典型增益,1.8 dB典型噪声系数和30.5dBm典型输出三阶交调截点(OIP3)以及高达20.5 dBm的饱和输出功率(PSAT),采用5 V电源电压时功耗仅为90 mA.可通过牺牲OIP3和输出功率(POUT)来降低功耗. 展开更多
关键词 高电子迁移率晶体管 单片微波集成电路 宽带放大器 工作频率范围 噪声系数 电源电压 砷化镓 饱和输出功率
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60GHz宽带功率放大器设计 被引量：1
10
作者 李凌云 叶禹 +2 位作者 汪书娜 佟瑞 孙晓玮 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期24-27,共4页
随着全球信息化社会对高速数据通信的需求不断攀升，现有的无线接入技术基本都处于百兆量级，已经无法满足未来多媒体资源大数据量的实际应用需求。其中为满足室内短距离高速无线通信千兆级以上的需求，利用60GHz频段进行通信已经成为... 随着全球信息化社会对高速数据通信的需求不断攀升，现有的无线接入技术基本都处于百兆量级，已经无法满足未来多媒体资源大数据量的实际应用需求。其中为满足室内短距离高速无线通信千兆级以上的需求，利用60GHz频段进行通信已经成为一个重要的技术途径。利用成熟的0．15μm赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺设计了一个工作在60GHz频段的中功率宽带放大器，频率覆盖50～64GHz，增益12dB，线性输出功率14dBm，饱和输出功率16．5dBm，功率附加效率为12％。性能与65nmCMOS工艺设计芯片相当，但前期系统验证和芯片开发阶段的投入成本远低于65nmRFCMOS，适用于前期系统验证工作。 展开更多
关键词 功率放大器 射频(RF) 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 宽带 无线通信
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Ka波段PHEMT功率放大器 被引量：1
11
作者 陈新宇 高建峰 +1 位作者 王军贤 陈效建 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期371-374,共4页
报道了 Ka波段的 PHEMT功率放大器的设计和研制。 PHEMT器件采用 0 .2 μm栅长的 Φ 76 mm Ga As工艺制作 ,并利用 CAD技术指导材料生长和器件制作。单级的 MIC放大器采用0 .3mm栅宽的 PHEMT,在 34GHz处 ,输出功率 10 0 m W,功率增益 4 ... 报道了 Ka波段的 PHEMT功率放大器的设计和研制。 PHEMT器件采用 0 .2 μm栅长的 Φ 76 mm Ga As工艺制作 ,并利用 CAD技术指导材料生长和器件制作。单级的 MIC放大器采用0 .3mm栅宽的 PHEMT,在 34GHz处 ,输出功率 10 0 m W,功率增益 4 d B。 展开更多
关键词 赝配高电子迁移率晶体管 功率放大器 KA波段
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X波段12W GaAs功率放大器MMIC 被引量：1
12
作者 冯威 倪帅 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期341-346,383,共7页
基于0.25μm Ga As赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺研制了一款可工作在脉冲和连续波条件下的X波段高性能大功率放大器（HPA）。根据Ga As材料的导热特性和热分布特点,设计了能够在连续波条件下工作的功率器件,并提取了器件的EEHEM... 基于0.25μm Ga As赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺研制了一款可工作在脉冲和连续波条件下的X波段高性能大功率放大器（HPA）。根据Ga As材料的导热特性和热分布特点,设计了能够在连续波条件下工作的功率器件,并提取了器件的EEHEMT可定标模型参数。HPA原理图设计采用低损耗高效率母线拓扑结构,并基于最优效率原则优化了HPA各级阻抗匹配参数。对HPA容易出现的几种稳定性问题进行了分析,并在设计过程中采取了相应的防范措施。采用电磁场仿真技术优化设计的HPA芯片尺寸为3.5 mm×4.0 mm。在栅源电压为-0.7 V,漏源电压为8 V,工作频率为9～10 GHz的条件下,连续波输出功率达到12 W以上,功率附加效率大于45%,在9.6 GHz时功率附加效率达到50%。 展开更多
关键词 微波单片集成电路(MMIC) X波段 功率放大器(PA) 高效率 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)
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Ku波段10W功率PHEMT
13
作者 陈堂胜 杨立杰 +2 位作者 周焕文 李拂晓 陈效建 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期42-44,50,共4页
报告了研制的 9.6mm栅宽双δ-掺杂功率 PHEMT,在 fo=1 1 .2 GHz、Vds=8.5 V时该器件输出功率3 7.2 8d Bm,功率增益 9.5 d B,功率附加效率 44.7% ,在 Vds=5～ 9V的范围内 ,该器件的功率附加效率均大于42 % ,两芯片合成 ,在 1 0 .5～ 1 1 ... 报告了研制的 9.6mm栅宽双δ-掺杂功率 PHEMT,在 fo=1 1 .2 GHz、Vds=8.5 V时该器件输出功率3 7.2 8d Bm,功率增益 9.5 d B,功率附加效率 44.7% ,在 Vds=5～ 9V的范围内 ,该器件的功率附加效率均大于42 % ,两芯片合成 ,在 1 0 .5～ 1 1 .3 GHz范围内 ,输出功率大于 3 9.92 d Bm,最大功率达到 40 .3 7d Bm,功率增益大于 9.9d B,典型的功率附加效率 40 %。 展开更多
关键词 KU波段 功率PHEMT 内匹配 赝配高电子迁移率晶体管 固态功率放大器
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2W6～18GHz宽带MMIC功率放大器
14
作者 骆新江 杨瑞霞 +2 位作者 吴景峰 周晓龙 姜霞 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期497-500,共4页
运用微波在片测试技术和IC-CAP模型提取软件对总栅宽为850μm PHEMT器件进行了大信号建模,并利用此模型,采用分布式放大器与电抗匹配相结合的方法,制备了一款三级宽带功率放大器。实验测试结果和ADS仿真结果相吻合。其测试结果为:在6～1... 运用微波在片测试技术和IC-CAP模型提取软件对总栅宽为850μm PHEMT器件进行了大信号建模,并利用此模型,采用分布式放大器与电抗匹配相结合的方法,制备了一款三级宽带功率放大器。实验测试结果和ADS仿真结果相吻合。其测试结果为:在6～18GHz频段内,平均输出功率Po为33dBm,功率增益Gp在22～24dB之间,功率附加效率PAE在23%～28%之间,输入输出端口电压驻波比VSWR<1.8,稳定性判断因子K>1(在5～19GHz内)。 展开更多
关键词 功率放大器 宽带 微波单片集成电路 赝配高电子迁移率晶体管
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K波段反馈式MMIC中功率放大器
15
作者 王闯 钱蓉 孙晓玮 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期199-202,263,共5页
给出了一种基于功率PHEMT工艺技术设计加工的K波段反馈式MMIC宽带功率放大器。在21～29GHz的工作频段内,当漏极电压为6V、栅电压为-0.25V、电流为111mA时,1dB压缩点输出功率大于21dBm,小信号增益在13±1.5dB,输入驻波比小于3,输出... 给出了一种基于功率PHEMT工艺技术设计加工的K波段反馈式MMIC宽带功率放大器。在21～29GHz的工作频段内,当漏极电压为6V、栅电压为-0.25V、电流为111mA时,1dB压缩点输出功率大于21dBm,小信号增益在13±1.5dB,输入驻波比小于3,输出驻波比均小于1.7。芯片尺寸:1mm×2.5mm×0.1mm。同时给出了一种芯片级电磁场仿真验证方法,用该方法仿真的结果和测试结果非常一致,保证了电路设计的准确性。 展开更多
关键词 功率赝配高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路功率放大器 芯片级电磁场仿真 低频振荡消除网络
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基于GaAs PHEMT工艺的60~90GHz功率放大器MMIC
16
作者 孟范忠 薛昊东 方园 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第3期193-197,共5页
研制了一款60~90 GHz功率放大器单片微波集成电路(MMIC),该MMIC采用平衡式放大结构,在较宽的频带内获得了平坦的增益、较高的输出功率及良好的输入输出驻波比(VSWR)。采用GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)标准工艺进行了流片,在片测... 研制了一款60~90 GHz功率放大器单片微波集成电路(MMIC),该MMIC采用平衡式放大结构,在较宽的频带内获得了平坦的增益、较高的输出功率及良好的输入输出驻波比(VSWR)。采用GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)标准工艺进行了流片,在片测试结果表明,在栅极电压为-0.3 V、漏极电压为+3 V、频率为60~90 GHz时,功率放大器MMIC的小信号增益大于13 dB,在71~76 GHz和81~86 GHz典型应用频段,功率放大器的小信号增益均大于15 dB。载体测试结果表明,栅极电压为-0.3 V、漏极电压为+3 V、频率为60~90 GHz时,该功率放大器MMIC饱和输出功率大于17.5 dBm,在71~76 GHz和81~86 GHz典型应用频段,其饱和输出功率可达到20 dBm。该功率放大器MMIC尺寸为5.25 mm×2.10 mm。 展开更多
关键词 GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 功率放大器(PA) 平衡式放大器 单片微波集成电路(MMIC) E波段
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模拟预失真功率放大器的研制 被引量：2
17
作者 朱峰 方家兴 +1 位作者 吴洪江 郝朝辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期595-598,614,共5页
针对高线性功率放大器在通信领域的应用,设计了一款模拟预失真功率放大器芯片。对预失真器原理与结构进行了分析,采用兰格耦合器提高信号隔离度,利用T型结构电阻网络增加衰减量,给出了线性功率放大器的设计方案,通过抵消主功率放大器产... 针对高线性功率放大器在通信领域的应用,设计了一款模拟预失真功率放大器芯片。对预失真器原理与结构进行了分析,采用兰格耦合器提高信号隔离度,利用T型结构电阻网络增加衰减量,给出了线性功率放大器的设计方案,通过抵消主功率放大器产生的三阶分量来提高线性度。利用仿真软件对预失真电路进行仿真优化,最后基于GaAs微波功率器件工艺成功研制了模拟预失真功率放大器。实验结果表明,工作频率在10.1 GHz、1 d B压缩点输出功率(P_(o(1dB)))的条件下,测得功率放大器自身的三阶交调失真比为-20 dBc,引入这种新型预失真技术后,功率放大器在Po(1 dB)下的三阶交调失真比达到-45.6 dBc,三阶交调失真改善量约25.6 dB。功率放大器的芯片面积为4.3 mm×3.00 mm。 展开更多
关键词 GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 功率放大器 模拟预失真技术 线性功率放大器 三阶交调
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X波段宽带单片驱动功率放大器 被引量：1
18
作者 曾志 徐全胜 高学邦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期424-428,共5页
基于4英寸(1英寸=2.54 cm)GaAs PHEMT工艺,设计和制作了一款X波段驱动功率放大器单片集成电路。详细介绍了微波单片集成电路(MMIC)的设计方法,并对芯片进行了测试,测试结果为:在8～12 GHz频带内,功率放大器的增益大于20 dB、1 dB压缩点... 基于4英寸(1英寸=2.54 cm)GaAs PHEMT工艺,设计和制作了一款X波段驱动功率放大器单片集成电路。详细介绍了微波单片集成电路(MMIC)的设计方法,并对芯片进行了测试,测试结果为:在8～12 GHz频带内,功率放大器的增益大于20 dB、1 dB压缩点输出功率大于21 dBm、输入输出驻波比小于1.6∶1,单电源8 V供电,电流小于80 mA。采用具有谐波抑制作用的输出匹配电路,获得了较好的谐波抑制指标,在1 dB压缩点输出功率大于21 dBm时,全频带的二次谐波抑制比均小于-40 dBc。单片电路的最终面积为2.0 mm×1.4 mm×0.1 mm,可广泛应用于各种微波系统。 展开更多
关键词 砷化镓 宽带 谐波抑制 微波单片集成电路(MMIC) 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)
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PHEMT MMIC功率放大器设计与实现
19
作者 黄晓俊 邢凌燕 《现代电子技术》 2009年第7期171-173,共3页
介绍一种PHEMT MMIC功率放大器设计与实现方案。方案采用内匹配电路,盒体设计考虑到电路腔体内部电磁兼容特性的影响,因此具有增益高、集成度高、寄生特性较低、可靠性高和可操作性好等优点。将此设计方案通过仿真验证,结果表明各项指... 介绍一种PHEMT MMIC功率放大器设计与实现方案。方案采用内匹配电路,盒体设计考虑到电路腔体内部电磁兼容特性的影响,因此具有增益高、集成度高、寄生特性较低、可靠性高和可操作性好等优点。将此设计方案通过仿真验证,结果表明各项指标可以满足设计预期的期望值,同时证明了方案的可行性。 展开更多
关键词 赝配高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路 功率放大器 增益
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一种频率与带宽可调的可重构射频滤波器芯片
20
作者 骆银松 李智鹏 +2 位作者 吕俊材 曾荣 吕立明 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第1期87-92,共6页
本文基于0.25μm砷化镓赝晶高电子迁移率晶体管工艺设计实现了一款频率与带宽皆可调的有源可重构滤波器芯片。该滤波器采用了双通道信道化拓扑结构,每个通道由两级可调谐振器与三级宽带放大器交叉级联构成,通过对通道内各级谐振器频率... 本文基于0.25μm砷化镓赝晶高电子迁移率晶体管工艺设计实现了一款频率与带宽皆可调的有源可重构滤波器芯片。该滤波器采用了双通道信道化拓扑结构,每个通道由两级可调谐振器与三级宽带放大器交叉级联构成,通过对通道内各级谐振器频率的同步和异步控制,实现对滤波器的频率与带宽的调谐,通过不同工作频段的通道间切换组合,实现了频率的宽范围调谐。为了验证该设计的有效性,完成了该滤波器的流片,其尺寸为3.1 mm×3.0 mm。经实测,该滤波器通带中心频率可在2.52 GHz~3.92 GHz之间进行调谐,频率调谐比达到了54%,通道内带宽可实现350 MHz~1080 MHz之间的变化,相对带宽可调范围为12%~33%,同时具备了频率和带宽的宽范围调控能力。 展开更多
关键词 可重构滤波器 信道化结构 砷化镓赝晶高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路
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