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铯氧比对砷化镓光电阴极激活结果的影响 被引量:9
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作者 邹继军 常本康 +3 位作者 杜晓晴 陈怀林 王惠 高频 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1493-1496,共4页
实验和理论分析结果表明,激活成功的砷化镓光电阴极的铯氧比存在一个最佳值.砷化镓光电阴极铯氧比的控制可通过调节激活过程中铯源和氧源的加热电流大小来实现.激活实验结果表明,铯氧电流比适中的样品,首次进氧时,光电流上升速度最快,... 实验和理论分析结果表明,激活成功的砷化镓光电阴极的铯氧比存在一个最佳值.砷化镓光电阴极铯氧比的控制可通过调节激活过程中铯源和氧源的加热电流大小来实现.激活实验结果表明,铯氧电流比适中的样品,首次进氧时,光电流上升速度最快,激活后的阴极量子效率最高,稳定性好.当偏离这个比例,过大或过小时,光电流上升速度都会减慢,激活结果也比前者差.随着铯氧电流比的增大,铯氧交替的总次数随之减少.最佳铯氧电流比的调节应以首次进氧时光电流的上升速度最快为准,一旦确定后在整个铯氧交替过程中保持不变. 展开更多
关键词 砷化镓光电阴极 铯氧比 量子效率 激活
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高温贮存对GaAs光电阴极光电发射性能影响研究
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作者 石峰 程宏昌 +2 位作者 拜晓锋 阎磊 张连东 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期686-689,共4页
为了研究高温贮存对GaAs光电阴极光电发射性能的影响,以2只GaAs光电阴极像增强器为研究对象,参照美军标MIL-STD-810F规定,对它们分别进行了70℃、48 h高温贮存实验。在实验过程中间隔一定时间测量一次其光电阴极灵敏度,随后利用Matllab... 为了研究高温贮存对GaAs光电阴极光电发射性能的影响,以2只GaAs光电阴极像增强器为研究对象,参照美军标MIL-STD-810F规定,对它们分别进行了70℃、48 h高温贮存实验。在实验过程中间隔一定时间测量一次其光电阴极灵敏度,随后利用Matllab软件和量子效率公式,计算了GaAs光电阴极参数,拟合了量子效率曲线。结果表明,GaAs光电阴极在70℃经过3~4 h贮存后,GaAs体材料与Cs-0表面层材料形成的光电发射层将达到稳定结构。研究成果为高性能GaAs光电阴极像增强器研制提供了技术支撑。 展开更多
关键词 高温贮存 砷化镓光电阴极 量子效率 灵敏度
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Stability of the Third Generation Intensifier under Illumination
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作者 杜晓晴 杜玉杰 常本康 《Defence Technology(防务技术)》 SCIE EI CAS 2005年第1期73-76,共4页
The stability under illumination of transmission-mode GaAs photocathode sealed in the third generation intensifier is investigated by use of spectral response testing instruments. The variations of spectral response w... The stability under illumination of transmission-mode GaAs photocathode sealed in the third generation intensifier is investigated by use of spectral response testing instruments. The variations of spectral response with the illumination times under weak and intense illumination are compared. The variations of photoemission performance parameters are also characterized. The results show that during initial several weak illuminations photocathode behaves no evident decay and a maximum sensitivity is achieved, while under intense illumination the sensitivity of photocathode begin to decrease largely at the first illumination. The calculated performance parameters show that the variation of surface escape probability with illumination times is a direct cause of instability of photocathode. It is also found that under intense illumination peak wavelength is moved towards short-wave and peak response is decreased, which shows that the ability of long-wave response of photocathode is decreased. 展开更多
关键词 砷化镓光电阴极 光谱响应 稳定性 逃脱概率
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