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石墨烯晶体管研究进展被引量：4: 1; 作者李昕郭士西 +5 位作者宋辉李全福师俊杰方明王小力刘卫华《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期1-8,48,共9页; 针对集成电路的特征尺寸小于10nm以下所面临的短沟道效应、隧道效应和制造工艺限制困难引发的研究热点——石墨烯能否替代硅,着重从数字晶体管、射频晶体管和柔性透明晶体管3个方面概括和分析了新型石墨烯晶体管的发展现状。分析认为:... 展开更多; 关键词石墨烯晶体管禁带截止频率最大振荡频率柔性晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于石墨烯晶体管的多巴胺检测微流控芯片被引量：6: 2; 作者朱红伟王昊 +3 位作者张中卫王国东张影石峰《传感器与微系统》 CSCD 2019年第3期71-74,78,共5页; 设计并制备了一种集成液体栅极的石墨烯场效应晶体管的微流控芯片,利用其对多巴胺进行检测,研究了多巴胺分子对石墨烯场效应管转移特性的影响。将石墨烯转移到载玻片上作为导电通道和传感材料集成在微流通道内部,利用剥离(lift-off)工... 展开更多; 关键词微流通道石墨烯场效应晶体管多巴胺检测电子迁移微电子学能带理论; 在线阅读下载PDF 职称材料

石墨烯场效应晶体管的光响应特性研究被引量：3: 3; 作者魏子钧王志刚 +5 位作者李晨郭剑任黎明张朝晖傅云义黄如《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期704-708,共5页; 采用电子束曝光和剥离工艺制备石墨烯场效应晶体管,并研究其光电响应特性。结果表明,当激光光斑(波长为633 nm)照射在金属电极边缘的石墨烯沟道时,可测得明显的光电流。背栅电压能够有效调制光电响应,可以改变光电流的大小和方向。在背... 展开更多; 关键词石墨烯场效应晶体管光电响应背栅调制; 在线阅读下载PDF 职称材料

新型自对准石墨烯场效应晶体管制备工艺: 4; 作者邓建国杨勇 +5 位作者马中发韩东吴勇张鹏张策肖郑操《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第7期525-529,共5页; 提出了一种新型自对准石墨烯场效应晶体管(graphere field-effect transistor,GFET)制备工艺,该工艺可与现有Si CMOS工艺相兼容。利用该工艺制备的自对准栅GFET器件可以消除传统GFET器件制备过程中存在的栅极与漏极和源极覆盖区的寄生... 展开更多; 关键词石墨烯石墨烯场效应晶体管(GFET) 自对准集成电路(IC) 硅; 在线阅读下载PDF 职称材料

腐蚀溶液对石墨烯转移质量和GFET性能的影响: 5; 作者蒋月彭冬生 +2 位作者陈祖军张茂贤彭争春《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期305-309,320,共6页; 对比分析了过硫酸铵（APS）与三氯化铁（FeCl3）两种腐蚀溶液对转移后石墨烯质量的影响。结果表明,采用FeCl3腐蚀溶液转移后的石墨烯表面会引入Fe和Cl离子,而APS腐蚀溶液转移后的石墨烯表面基本未引入杂质。将两种转移到Si O2/Si基底上... 展开更多; 关键词石墨烯腐蚀溶液石墨烯场效应晶体管(GFET) 电学性能狄拉克点; 在线阅读下载PDF 职称材料

多编程手段的浮栅晶体管非易失性存储器: 6; 作者温嘉敏闫成员孙振华《深圳大学学报（理工版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第3期232-238,共7页; 随着信息时代的发展,新型晶体管基非易失性存储器体现出越来重要的应用价值,获得了广泛的研究关注.本研究将具有Ⅰ型能带结构的硒化锌/硫化锌核壳量子点集成到石墨烯晶体管中,充当晶体管中的电荷捕获层和隧穿中心,制备具有多重编程手段... 展开更多; 关键词纳米材料核壳量子点光电晶体管非易失性存储器光电存储器石墨烯晶体管高介电常数材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

纳米氧化铈掺杂菊芋桔杆芯碳材料的制备及对日落黄的检测被引量：1: 7; 作者马先鸣汪璐 +2 位作者陶亮亮叶礼卉刘健《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2023年第9期1284-1291,共8页; 文章采用热解经硝酸铈浸渍的菊芋秸秆芯(Jerusalem artichoke straw,JAS)制备负载氧化铈纳米颗粒的生物碳材料,表征CeO_(2)/JAS材料的理化性质,并分析其在电化学应用方面的潜力。该材料被修饰在电解质溶液栅控石墨烯场效应晶体管(soluti... 展开更多; 关键词菊芋秸秆芯(JAS) 热解纳米材料电化学电解质溶液栅控石墨烯场效应晶体管(SGGT) 日落黄; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名石墨烯晶体管研究进展被引量：4: 1; 作者李昕郭士西宋辉李全福师俊杰方明王小力刘卫华; 机构西安交通大学电子与信息工程学院; 出处《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期1-8,48,共9页; 基金国家自然科学基金资助项目(91123018 61172041 +1 种基金 61172040) 陕西省自然科学基金资助项目(2014JM7277); 文摘针对集成电路的特征尺寸小于10nm以下所面临的短沟道效应、隧道效应和制造工艺限制困难引发的研究热点——石墨烯能否替代硅,着重从数字晶体管、射频晶体管和柔性透明晶体管3个方面概括和分析了新型石墨烯晶体管的发展现状。分析认为:石墨烯平行纳米带阵列结构和异质结结构有望打开石墨烯禁带以实现大的电流开关比,将是石墨烯数字晶体管的研究热点;通过降低接触电阻、接入电阻以及衬底、栅介质的匹配来提高截止频率和最大振荡频率将是石墨烯射频晶体管的主要发展趋势;基于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)衬底和离子凝胶栅介质的柔性制造技术,最有希望在保证石墨烯高迁移率的基础之上实现全石墨烯透明柔性电路,使石墨烯晶体管得以实用,必将对集成电路行业产生巨大影响。; 关键词石墨烯晶体管禁带截止频率最大振荡频率柔性晶体管; Keywords graphene transistors bandgap cutoff frequency maximum oscillation frequency flexibility transistors; 分类号 TN304.9 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于石墨烯晶体管的多巴胺检测微流控芯片被引量：6: 2; 作者朱红伟王昊张中卫王国东张影石峰; 机构河南理工大学物理与电子信息学院河南理工大学电气工程与自动化学院; 出处《传感器与微系统》 CSCD 2019年第3期71-74,78,共5页; 基金河南省教育厅高等学校重点科研项目基础研究计划资助项目(15A510026) 国家自然科学基金资助项目(61405055) 河南理工大学博士基金资助项目(B2014-028); 文摘设计并制备了一种集成液体栅极的石墨烯场效应晶体管的微流控芯片,利用其对多巴胺进行检测,研究了多巴胺分子对石墨烯场效应管转移特性的影响。将石墨烯转移到载玻片上作为导电通道和传感材料集成在微流通道内部,利用剥离(lift-off)工艺制作晶体管的源极和漏极,采用液体栅极的方法对晶体管的转移特性进行测试。同时,结合微电子学的能带理论,从电子迁移的角度出发,讨论了石墨烯和多巴胺之间的氧化还原反应。并采用金属Pt电极作为石墨烯晶体管的栅极,检测到了1 nmol/L浓度的多巴胺溶液。; 关键词微流通道石墨烯场效应晶体管多巴胺检测电子迁移微电子学能带理论; Keywords microfluidic channel graphene field effect transistor dopamine detection electron transfer energy band theory of microelectronics; 分类号 O649 [理学—物理化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名石墨烯场效应晶体管的光响应特性研究被引量：3: 3; 作者魏子钧王志刚李晨郭剑任黎明张朝晖傅云义黄如; 机构北京大学微电子学研究院北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室; 出处《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期704-708,共5页; 基金国家科技重大专项(2011ZX02707-2) 高等学校博士学科点专项科研基金(20130001110024)资助; 文摘采用电子束曝光和剥离工艺制备石墨烯场效应晶体管,并研究其光电响应特性。结果表明,当激光光斑(波长为633 nm)照射在金属电极边缘的石墨烯沟道时,可测得明显的光电流。背栅电压能够有效调制光电响应,可以改变光电流的大小和方向。在背栅调控下,光电流出现饱和现象,石墨烯晶体管的光响应度最大达到46.5μA/W,可用于构建基于石墨烯的新型光探测器。; 关键词石墨烯场效应晶体管光电响应背栅调制; Keywords graphene field-effect transistors photoresponse back.gate modulation; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名新型自对准石墨烯场效应晶体管制备工艺: 4; 作者邓建国杨勇马中发韩东吴勇张鹏张策肖郑操; 机构中国电子科集团公司第十三研究所西安电子科技大学微电子学院西北农林科技大学理学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第7期525-529,共5页; 文摘提出了一种新型自对准石墨烯场效应晶体管(graphere field-effect transistor,GFET)制备工艺,该工艺可与现有Si CMOS工艺相兼容。利用该工艺制备的自对准栅GFET器件可以消除传统GFET器件制备过程中存在的栅极与漏极和源极覆盖区的寄生电容或栅极与源极和漏极暴露区的寄生电阻,使器件直流特性得到了很大改善。对制作的样品进行直流I-V特性测试时,清楚地观测到了双极型导电特性。制作的沟道长度为1μm的自对准GFET器件样品最大跨导gm为2.4μS/μm,提取的电子与空穴的本征场效应迁移率μeeff和μheff分别为6 924和7 035 cm2/(V·s),顶栅电压VTG为±30 V时,器件的开关电流比Ion/Ioff约为50,远大于目前已报道的最大GFET开关电流比。; 关键词石墨烯石墨烯场效应晶体管(GFET) 自对准集成电路(IC) 硅; Keywords graphene graphene field-effect transistor （GFET） self-aligned integrated circuit（IC） Si; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名腐蚀溶液对石墨烯转移质量和GFET性能的影响: 5; 作者蒋月彭冬生陈祖军张茂贤彭争春; 机构深圳大学光电子器件与系统(教育部、广东省)重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期305-309,320,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(60806017,61671308) 深圳市科技计划项目(JCYJ20140418095735627); 文摘对比分析了过硫酸铵（APS）与三氯化铁（FeCl3）两种腐蚀溶液对转移后石墨烯质量的影响。结果表明,采用FeCl3腐蚀溶液转移后的石墨烯表面会引入Fe和Cl离子,而APS腐蚀溶液转移后的石墨烯表面基本未引入杂质。将两种转移到Si O2/Si基底上的石墨烯样品蒸镀100 nm厚的金的源漏电极后分别制成了石墨烯场效应晶体管（GFET）,并在室温下对其进行了电学性能测试。测试结果表明,相对于FeCl3腐蚀溶液转移的石墨烯样品制成的器件,采用APS腐蚀溶液转移的石墨烯样品制成器件的狄拉克点从75 V左右降低到了0 V左右,载流子迁移率从823 cm^2/（V·s）提升到了1 324 cm^2/（V·s）。因此,采用APS腐蚀溶液转移石墨烯引入杂质更少,制备的器件性能更优越。; 关键词石墨烯腐蚀溶液石墨烯场效应晶体管(GFET) 电学性能狄拉克点; Keywords graphene etchant solution graphene field effect transistor （GFET） electrical pe-formance Dirac point; 分类号 TN304.18 [电子电信—物理电子学] TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名多编程手段的浮栅晶体管非易失性存储器: 6; 作者温嘉敏闫成员孙振华; 机构深圳大学物理与光电工程学院; 出处《深圳大学学报（理工版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第3期232-238,共7页; 基金广东省自然科学基金资助项目(2019A1515011367,2016A030310055)。; 文摘随着信息时代的发展,新型晶体管基非易失性存储器体现出越来重要的应用价值,获得了广泛的研究关注.本研究将具有Ⅰ型能带结构的硒化锌/硫化锌核壳量子点集成到石墨烯晶体管中,充当晶体管中的电荷捕获层和隧穿中心,制备具有多重编程手段的非易失性存储器.该量子点可以实现电子和空穴的双重存储,通过正负脉冲栅压可以改变该器件的沟道电导状态,实现信息存储.表征实验结果表明,该器件可实现60 V的超大存储窗口,在10 h的测试范围内表现出良好稳定性,在多次擦写过程中表现出良好的耐用性.该器件还可以将光照作为辅助编程手段,使用紫外光对写入的电荷进行擦除,实现较好的电写-光擦功能.研究结果表明,核壳量子点是一种良好的电荷存储介质,在晶体管基非易失性存储器中具有巨大应用潜力,对基于半导体核壳量子点的晶体管基存储器进行光电赋能,有望实现光电编程.; 关键词纳米材料核壳量子点光电晶体管非易失性存储器光电存储器石墨烯晶体管高介电常数材料; Keywords nano-materials core-shell quantum dots optoelectronic transistors nonvolatile memories optoelectronic memories graphene transistors high-k dielectric; 分类号 TN36 [电子电信—物理电子学] O47 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名纳米氧化铈掺杂菊芋桔杆芯碳材料的制备及对日落黄的检测被引量：1: 7; 作者马先鸣汪璐陶亮亮叶礼卉刘健; 机构合肥工业大学食品与生物工程学院; 出处《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2023年第9期1284-1291,共8页; 基金国家自然科学基金资助项目(31901406) 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JZ2020HGTB0044)。; 文摘文章采用热解经硝酸铈浸渍的菊芋秸秆芯(Jerusalem artichoke straw,JAS)制备负载氧化铈纳米颗粒的生物碳材料,表征CeO_(2)/JAS材料的理化性质,并分析其在电化学应用方面的潜力。该材料被修饰在电解质溶液栅控石墨烯场效应晶体管(solution-gated graphene field-effect transistor,SGGT)的栅极上,在模拟的软饮料体系中完成对色素的检测,其中对日落黄的响应最好,该修饰的栅极对日落黄的检测限为300 nmol/L,灵敏度曲线斜率为29.2。一系列实验结果表明,CeO_(2)/JAS材料可以很好地提升对日落黄的检测性能。因此,该研究为其在电化学领域的应用提供了一定参考,并且对农业废弃物资源再利用与食品安全检测均具有一定的意义。; 关键词菊芋秸秆芯(JAS) 热解纳米材料电化学电解质溶液栅控石墨烯场效应晶体管(SGGT) 日落黄; Keywords Jerusalem artichoke straw(JAS) pyrolysis nanomaterials electrochemistry solution-gated graphene field-effect transistor(SGGT) sunset yellow; 分类号 TB333.22 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	石墨烯晶体管研究进展	李昕郭士西宋辉李全福师俊杰方明王小力刘卫华	《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	4	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于石墨烯晶体管的多巴胺检测微流控芯片	朱红伟王昊张中卫王国东张影石峰	《传感器与微系统》 CSCD	2019	6	在线阅读下载PDF 职称材料
3	石墨烯场效应晶体管的光响应特性研究	魏子钧王志刚李晨郭剑任黎明张朝晖傅云义黄如	《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	新型自对准石墨烯场效应晶体管制备工艺	邓建国杨勇马中发韩东吴勇张鹏张策肖郑操	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2013	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	腐蚀溶液对石墨烯转移质量和GFET性能的影响	蒋月彭冬生陈祖军张茂贤彭争春	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2018	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	多编程手段的浮栅晶体管非易失性存储器	温嘉敏闫成员孙振华	《深圳大学学报（理工版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2021	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	纳米氧化铈掺杂菊芋桔杆芯碳材料的制备及对日落黄的检测	马先鸣汪璐陶亮亮叶礼卉刘健	《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心	2023	1	在线阅读下载PDF 职称材料