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石墨烯场效应晶体管电子识别葡萄糖 被引量:2
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作者 魏昂 潘柳华 +3 位作者 龙庆 汪静霞 董晓臣 黄维 《南京邮电大学学报(自然科学版)》 2011年第4期130-133,共4页
以铜箔为衬底,采用化学气相沉积的方法制备大面积单层石墨烯薄膜并制备相应的石墨烯场效应晶体管,过氧化氢电子识别研究表明,石墨烯场效应晶体管的电性能对由过氧化氢产生的外来干扰非常灵敏。利用末端带有吡啶环功能基团的葡萄糖氧化... 以铜箔为衬底,采用化学气相沉积的方法制备大面积单层石墨烯薄膜并制备相应的石墨烯场效应晶体管,过氧化氢电子识别研究表明,石墨烯场效应晶体管的电性能对由过氧化氢产生的外来干扰非常灵敏。利用末端带有吡啶环功能基团的葡萄糖氧化酶对石墨烯场效应晶体管进行表面改性后,葡萄糖电子识别结果表明其器件对葡萄糖有非常灵敏的电子识别性能,其检测下限小于0.1 mM,且具有生物传感器响应快、稳定性好的特点。 展开更多
关键词 石墨 场效应晶体管 葡萄糖 电子识别
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基于石墨烯场效应晶体管的研究进展 被引量:3
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作者 王聪 刘玉荣 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期561-569,579,共10页
在传统硅基器件日益趋近物理极限的背景下,石墨烯场效应晶体管(GFET)作为一种新型纳米器件受到广泛的关注。介绍了GFET的主要器件结构,分析了GFET的工作原理及其基本的电特性。对比论述了4种石墨烯的带隙调控方法,得出化学掺杂法和量子... 在传统硅基器件日益趋近物理极限的背景下,石墨烯场效应晶体管(GFET)作为一种新型纳米器件受到广泛的关注。介绍了GFET的主要器件结构,分析了GFET的工作原理及其基本的电特性。对比论述了4种石墨烯的带隙调控方法,得出化学掺杂法和量子限制法在调控石墨烯带隙方面比外加电场调节法和引入应力法更具有实用价值。重点探讨了几种GFET有源层石墨烯薄膜的制备方法:外延生长法、剥离法、化学气相沉积法(CVD)、氧化石墨烯还原法、旋涂法以及喷涂法,并对比分析了各种制备方法的优缺点。最后概述了GFET的应用前景和挑战。 展开更多
关键词 石墨 场效应晶体管(FET) 带隙调控 超高迁移率 制备工艺
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背栅单层石墨烯场效应晶体管的构建及可靠性研究
3
作者 郝威 郭新立 +5 位作者 张艳娟 王蔚妮 张灵敏 王增梅 陈坚 于金 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期1022-1026,共5页
采用低压化学气相沉积法(LPCVD)制备了高质量的单层石墨烯薄膜,通过湿法转移将所制备的单层石墨烯无损覆盖到两条平行粘贴在SiO2/Si衬底上的热释放胶带表面,胶带间距约500μm,进而对试样进行加热和切割,获得与SiO2/Si衬底紧密结合的石... 采用低压化学气相沉积法(LPCVD)制备了高质量的单层石墨烯薄膜,通过湿法转移将所制备的单层石墨烯无损覆盖到两条平行粘贴在SiO2/Si衬底上的热释放胶带表面,胶带间距约500μm,进而对试样进行加热和切割,获得与SiO2/Si衬底紧密结合的石墨烯条带(约10 000μm×500μm),最后采用掩膜法在石墨烯条带上蒸镀金电极,构建成背栅石墨烯场效应晶体管。该方法简单易行,电学性能测试结果表明,石墨烯与金电极具有良好的欧姆接触,室温下,石墨烯的空穴迁移率约为735cm2/(V·s),且表现出了石墨烯所特有的双极性特征。背栅石墨烯场效应晶体管转移特性曲线表现出了滞回行为,且随着施加栅压的增大,滞回行为越来越显著,展示出高的性能可靠性。 展开更多
关键词 石墨 场效应晶体管 滞回行为
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石墨烯场效应晶体管的光响应特性研究 被引量:3
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作者 魏子钧 王志刚 +5 位作者 李晨 郭剑 任黎明 张朝晖 傅云义 黄如 《北京大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期704-708,共5页
采用电子束曝光和剥离工艺制备石墨烯场效应晶体管,并研究其光电响应特性。结果表明,当激光光斑(波长为633 nm)照射在金属电极边缘的石墨烯沟道时,可测得明显的光电流。背栅电压能够有效调制光电响应,可以改变光电流的大小和方向。在背... 采用电子束曝光和剥离工艺制备石墨烯场效应晶体管,并研究其光电响应特性。结果表明,当激光光斑(波长为633 nm)照射在金属电极边缘的石墨烯沟道时,可测得明显的光电流。背栅电压能够有效调制光电响应,可以改变光电流的大小和方向。在背栅调控下,光电流出现饱和现象,石墨烯晶体管的光响应度最大达到46.5μA/W,可用于构建基于石墨烯的新型光探测器。 展开更多
关键词 石墨场效应晶体管 光电响应 背栅调制
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新型自对准石墨烯场效应晶体管制备工艺
5
作者 邓建国 杨勇 +5 位作者 马中发 韩东 吴勇 张鹏 张策 肖郑操 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第7期525-529,共5页
提出了一种新型自对准石墨烯场效应晶体管(graphere field-effect transistor,GFET)制备工艺,该工艺可与现有Si CMOS工艺相兼容。利用该工艺制备的自对准栅GFET器件可以消除传统GFET器件制备过程中存在的栅极与漏极和源极覆盖区的寄生... 提出了一种新型自对准石墨烯场效应晶体管(graphere field-effect transistor,GFET)制备工艺,该工艺可与现有Si CMOS工艺相兼容。利用该工艺制备的自对准栅GFET器件可以消除传统GFET器件制备过程中存在的栅极与漏极和源极覆盖区的寄生电容或栅极与源极和漏极暴露区的寄生电阻,使器件直流特性得到了很大改善。对制作的样品进行直流I-V特性测试时,清楚地观测到了双极型导电特性。制作的沟道长度为1μm的自对准GFET器件样品最大跨导gm为2.4μS/μm,提取的电子与空穴的本征场效应迁移率μeeff和μheff分别为6 924和7 035 cm2/(V·s),顶栅电压VTG为±30 V时,器件的开关电流比Ion/Ioff约为50,远大于目前已报道的最大GFET开关电流比。 展开更多
关键词 石墨 石墨场效应晶体管(gfet) 自对准 集成电路(IC)
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基于吡嗪连接的石墨烯电极单分子场效应晶体管 被引量:1
6
作者 孙汉涛 廖建辉 侯士敏 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2021年第10期167-174,共8页
在单分子结中,核心分子与电极之间的连接基团对器件的力学、电学特性有着重要影响。连接基团的力学强度影响着器件的稳定性而其电子耦合强度则影响着分子结的电导值和导电极性。两端带邻苯二胺基团的分子可以和石墨烯电极边缘的邻醌基... 在单分子结中,核心分子与电极之间的连接基团对器件的力学、电学特性有着重要影响。连接基团的力学强度影响着器件的稳定性而其电子耦合强度则影响着分子结的电导值和导电极性。两端带邻苯二胺基团的分子可以和石墨烯电极边缘的邻醌基团发生缩合反应,生成基于吡嗪连接的分子结。我们实验制备了基于吡嗪连接的石墨烯电极单分子场效应晶体管(FET)并研究了其电学性质。我们发现分子组装后器件的产率可以达到26%,证明了吡嗪连接基团用于构建石墨烯电极单分子器件的可行性。通过测量器件的电学性质,我们发现吡嗪连接与石墨烯电极之间的耦合强度对单分子场效应晶体管的导电极性有着决定性的影响。具体而言,弱耦合时器件为核心分子的最高占据轨道起主导作用的p-型FET而强耦合时器件为核心分子的最低空轨道起主导作用的n-型FET。 展开更多
关键词 分子电子学 石墨电极 吡嗪连接基团 单分子场效应晶体管 耦合强度
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石墨烯场效应晶体管的非线性模型
7
作者 杜光伟 李佳 +2 位作者 胡志富 冯志红 宋旭波 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期292-296,301,共6页
包含新技术、新材料的新型器件的不断涌现,使现有的传统器件模型已不能完全表征石墨烯场效应晶体管(GFET)的特性。提出了一种基于经验公式的非线性模型来表征GFET的特性,该模型对传统经验模型的公式和拓扑结构进行了改进,使其能更好地表... 包含新技术、新材料的新型器件的不断涌现,使现有的传统器件模型已不能完全表征石墨烯场效应晶体管(GFET)的特性。提出了一种基于经验公式的非线性模型来表征GFET的特性,该模型对传统经验模型的公式和拓扑结构进行了改进,使其能更好地表征GFET的特性。该模型包含了GFET的栅源电流模型、源漏电流模型、电容模型和低频散射效应等。此外该模型为可定标的模型,可用于一定尺寸范围的器件的仿真。该模型可集成在仿真软件中进行石墨烯电路的设计,其直流I-V特性和多偏置S参数的仿真结果与测试结果吻合较好,验证了该模型的有效性。 展开更多
关键词 石墨 场效应晶体管(FET) 非线性 模型 低频散射效应
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冠醚功能化的栅控石墨烯场效应晶体管的制备及对汞离子的检测
8
作者 曹磊 陈美君 +4 位作者 袁刚 常钢 张修华 王升富 何汉平 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第4期33-41,共9页
Hg^(2+)是一种具有生物蓄积性和毒性的重金属,对环境和人类健康均可造成严重损害.因此,开发便捷的Hg^(2+)传感器非常必要.本文基于溶液栅控石墨烯场效应晶体管的优异性能,通过氮硫杂冠醚的尺寸效应以及冠醚与Hg^(2+)的螯合作用来特异性... Hg^(2+)是一种具有生物蓄积性和毒性的重金属,对环境和人类健康均可造成严重损害.因此,开发便捷的Hg^(2+)传感器非常必要.本文基于溶液栅控石墨烯场效应晶体管的优异性能,通过氮硫杂冠醚的尺寸效应以及冠醚与Hg^(2+)的螯合作用来特异性识别Hg^(2+),制备了一种冠醚功能化栅极的溶液栅控石墨烯场效应晶体管(SGGT)传感器.该SGGT传感器因其固有的信号放大功能而比传统电化学检测Hg^(2+)更灵敏,其检出限为1×10^(−12) mol/L,比传统电化学传感器降低了2~3个数量级,在1×10^(−12)~1×10^(−7) mol/L检测范围内,狄拉克点的变化值与目标物浓度的对数值之间存在良好的线性关系,同时具有极高的选择性.对实际湖水样品的检测效果良好,对Hg^(2+)的检测标准偏差为1.10%~3.77%.本文结果表明,该晶体管传感器可以对Hg^(2+)进行高选择和高灵敏检测. 展开更多
关键词 溶液栅控场效应晶体管 石墨 冠醚 Hg^(2+)
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氮掺杂石墨烯的p型场效应及其精细调控(英文) 被引量:2
9
作者 彭鹏 刘洪涛 +2 位作者 武斌 汤庆鑫 刘云圻 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2019年第11期1282-1290,共9页
石墨烯因独特的性质和潜在的应用在过去十年受到广泛重视。得益于石墨烯研究的繁荣,氧化石墨烯作为石墨烯的最常见的衍生物,近年来也获得广泛的研究。氧化石墨烯不仅可以通过高温退火还原得到光电性质都类似石墨烯的还原氧化石墨烯,而... 石墨烯因独特的性质和潜在的应用在过去十年受到广泛重视。得益于石墨烯研究的繁荣,氧化石墨烯作为石墨烯的最常见的衍生物,近年来也获得广泛的研究。氧化石墨烯不仅可以通过高温退火还原得到光电性质都类似石墨烯的还原氧化石墨烯,而且因其结构中存在羧基、羰基和羟基等含氧基团,为石墨烯的性能调控提供了可能。常见的做法是通过引入外来原子比如氮原子来调控石墨烯的化学催化和光电性质。然而至今在氮掺杂石墨烯的研究中,氮的类型和所处化学环境对石墨烯电学性能的影响尚不清楚,而这会影响石墨烯后续的电学和催化应用。因此,合成特定类型的氮掺杂石墨烯并研究其对后续应用的影响是必要的。我们通过氧化石墨烯和邻芳基二胺的希夫碱缩合反应成功合成了吡嗪和吡啶氮掺杂石墨烯,研究了氮的类型对石墨烯电学性能的影响。吡嗪氮掺杂的石墨烯表现出弱的n型掺杂,而强吸电子的三氟甲基基团的引入,会让吡嗪氮掺杂的石墨烯由弱n型掺杂转变为明显的p型掺杂。当在吡嗪氮中同时引入吡啶氮时,石墨烯也表现为弱的p型掺杂。因此,石墨烯的性能可以通过控制吸电子基团和掺杂不同类型的氮来实现精细调控,从而为石墨烯的应用提供更多潜在可能。 展开更多
关键词 还原氧化石墨 氮掺杂 希夫碱反应 吸电子基团 场效应晶体管
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基于电解质门控石墨烯晶体管的葡萄糖传感器(英文)
10
作者 林鹏 戴佳佳 +2 位作者 王海瑞 柯善明 曾燮榕 《深圳大学学报(理工版)》 EI CAS 北大核心 2014年第5期452-454,共3页
利用电解质门控石墨烯场效应晶体管制备了一种高灵敏的葡萄糖传感器.即使不采用纳米修饰的铂金栅电极,这种传感器对葡萄糖的检测极限已可达到1×10-6mol/L.该器件具备成本低、易制备、工作电压低及生物兼容性好等优点,可广泛用于酶... 利用电解质门控石墨烯场效应晶体管制备了一种高灵敏的葡萄糖传感器.即使不采用纳米修饰的铂金栅电极,这种传感器对葡萄糖的检测极限已可达到1×10-6mol/L.该器件具备成本低、易制备、工作电压低及生物兼容性好等优点,可广泛用于酶生物传感器的研究. 展开更多
关键词 生物传感器 石墨 葡萄糖 电解质门控 场效应晶体管 检测极限
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基于石墨烯晶体管的多巴胺检测微流控芯片 被引量:6
11
作者 朱红伟 王昊 +3 位作者 张中卫 王国东 张影 石峰 《传感器与微系统》 CSCD 2019年第3期71-74,78,共5页
设计并制备了一种集成液体栅极的石墨烯场效应晶体管的微流控芯片,利用其对多巴胺进行检测,研究了多巴胺分子对石墨烯场效应管转移特性的影响。将石墨烯转移到载玻片上作为导电通道和传感材料集成在微流通道内部,利用剥离(lift-off)工... 设计并制备了一种集成液体栅极的石墨烯场效应晶体管的微流控芯片,利用其对多巴胺进行检测,研究了多巴胺分子对石墨烯场效应管转移特性的影响。将石墨烯转移到载玻片上作为导电通道和传感材料集成在微流通道内部,利用剥离(lift-off)工艺制作晶体管的源极和漏极,采用液体栅极的方法对晶体管的转移特性进行测试。同时,结合微电子学的能带理论,从电子迁移的角度出发,讨论了石墨烯和多巴胺之间的氧化还原反应。并采用金属Pt电极作为石墨烯晶体管的栅极,检测到了1 nmol/L浓度的多巴胺溶液。 展开更多
关键词 微流通道 石墨场效应晶体管 多巴胺检测 电子迁移 微电子学能带理论
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腐蚀溶液对石墨烯转移质量和GFET性能的影响
12
作者 蒋月 彭冬生 +2 位作者 陈祖军 张茂贤 彭争春 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期305-309,320,共6页
对比分析了过硫酸铵(APS)与三氯化铁(FeCl3)两种腐蚀溶液对转移后石墨烯质量的影响。结果表明,采用FeCl3腐蚀溶液转移后的石墨烯表面会引入Fe和Cl离子,而APS腐蚀溶液转移后的石墨烯表面基本未引入杂质。将两种转移到Si O2/Si基底上... 对比分析了过硫酸铵(APS)与三氯化铁(FeCl3)两种腐蚀溶液对转移后石墨烯质量的影响。结果表明,采用FeCl3腐蚀溶液转移后的石墨烯表面会引入Fe和Cl离子,而APS腐蚀溶液转移后的石墨烯表面基本未引入杂质。将两种转移到Si O2/Si基底上的石墨烯样品蒸镀100 nm厚的金的源漏电极后分别制成了石墨烯场效应晶体管(GFET),并在室温下对其进行了电学性能测试。测试结果表明,相对于FeCl3腐蚀溶液转移的石墨烯样品制成的器件,采用APS腐蚀溶液转移的石墨烯样品制成器件的狄拉克点从75 V左右降低到了0 V左右,载流子迁移率从823 cm^2/(V·s)提升到了1 324 cm^2/(V·s)。因此,采用APS腐蚀溶液转移石墨烯引入杂质更少,制备的器件性能更优越。 展开更多
关键词 石墨 腐蚀溶液 石墨场效应晶体管(gfet) 电学性能 狄拉克点
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石墨烯纳米带的制备技术及应用研究现状 被引量:1
13
作者 周新博 付景顺 +3 位作者 苑泽伟 钟兵 刘涛 唐美玲 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期64-74,共11页
石墨烯具有优异的力学、电学、光学、热学等物理性质,是当前新型材料的研究热点之一,被广泛应用在导电薄膜、储能元件、药物载体以及锂电池等领域。然而,石墨烯无带隙的特点限制其更广泛的应用,因此,通过技术手段打开石墨烯带隙成为学... 石墨烯具有优异的力学、电学、光学、热学等物理性质,是当前新型材料的研究热点之一,被广泛应用在导电薄膜、储能元件、药物载体以及锂电池等领域。然而,石墨烯无带隙的特点限制其更广泛的应用,因此,通过技术手段打开石墨烯带隙成为学者们亟待解决的新问题。将石墨烯制成石墨烯纳米带(Graphene nanoribbons,GNRs)是打开其带隙的可行办法。因此,本文梳理了制备GNRs的不同方法,综述了其制备原理和研究进展,并对比了其优点和不足,提出了将不同方法的优点相互结合的复合制备方法,以实现可控、高效、高质量制备GNRs,最后介绍了GNRs在高性能传感器、场效应晶体管和光电探测器领域应用的研究进展和未来发展趋势。这对GNRs进一步应用在纳米器件中有一定的指导意义。 展开更多
关键词 石墨纳米带 剪裁 化学合成 传感器 场效应晶体管 光电探测器
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石墨烯的SiC外延生长及应用 被引量:6
14
作者 陆东梅 杨瑞霞 +2 位作者 孙信华 吴华 郝建民 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第9期665-669,共5页
碳化硅外延生长法是近几年重新发展起来的一种制备石墨烯的方法,具有产物质量高、生长面积大等优点,逐渐成为了制备高质量石墨烯的主要方法之一。另外,从石墨烯在集成电路方面的应用前景来看,该方法最富发展潜力。从SiC不同极性面石墨... 碳化硅外延生长法是近几年重新发展起来的一种制备石墨烯的方法,具有产物质量高、生长面积大等优点,逐渐成为了制备高质量石墨烯的主要方法之一。另外,从石墨烯在集成电路方面的应用前景来看,该方法最富发展潜力。从SiC不同极性面石墨烯的生长过程、缓冲层的影响及消除方法等方面评述了碳化硅外延法制备的特点并对其研究进展进行了介绍。最后简要概述了国内外关于SiC外延石墨烯在场效应晶体管方面的应用情况,指出了目前需要解决的主要技术问题,并对其发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 石墨 SIC 外延 缓冲层 场效应晶体管
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石墨烯电输运特性的研究进展 被引量:1
15
作者 王进 吴卫东 +2 位作者 曹林洪 王雪敏 王瑜英 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期43-47,共5页
二维蜂巢状结构的石墨烯拥有独特的电学特性,其极高的电子迁移率、异常的量子霍尔效应、室温下亚微米尺度的弹道输运特性使之成为电子元器件研究的热点。简要介绍了近年来石墨烯电学方面的发展概况,其中包括晶界、晶畴对电学性能的影响... 二维蜂巢状结构的石墨烯拥有独特的电学特性,其极高的电子迁移率、异常的量子霍尔效应、室温下亚微米尺度的弹道输运特性使之成为电子元器件研究的热点。简要介绍了近年来石墨烯电学方面的发展概况,其中包括晶界、晶畴对电学性能的影响,石墨烯场效应晶体管,石墨烯量子点,石墨烯pn结,石墨烯电学性能在磁场中的应用和石墨烯相关衍生物的电学性质。 展开更多
关键词 石墨 电学 场效应晶体管 量子点
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基于化学气相沉积石墨烯的传感器的研究进展 被引量:2
16
作者 张建华 王朋厂 杨连乔 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第15期15072-15080,共9页
作为一种二维碳原子层材料,石墨烯(Graphene,G)具有优异且独特的力学、电学、光学和热学等性质,在传感检测等领域具有巨大的发展潜力和广阔的应用前景。基于石墨烯材料的传感器具有灵敏度高、响应快、成本低、稳定性好等优点。化学气相... 作为一种二维碳原子层材料,石墨烯(Graphene,G)具有优异且独特的力学、电学、光学和热学等性质,在传感检测等领域具有巨大的发展潜力和广阔的应用前景。基于石墨烯材料的传感器具有灵敏度高、响应快、成本低、稳定性好等优点。化学气相沉积(Chemical vapor deposition,CVD)因其优异的可控性和可扩展性而被认为是制备大面积、高质量石墨烯薄膜的有效方法,而且CVD石墨烯薄膜适用于场效应晶体管的制造工艺,因此被广泛应用于物理、化学和生物等传感领域。本文介绍了近年来CVD石墨烯应用于传感检测领域的研究进展,包括制备技术、转移方法、传感特性以及在物理、化学、生物等传感领域的应用,并简要分析了基于CVD石墨烯的传感器所面临的困难与挑战。 展开更多
关键词 石墨 化学气相沉积 传感器 场效应晶体管
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化学气相沉积制备毫米级单晶石墨烯的生长条件调控研究 被引量:2
17
作者 周国庆 胡林 +1 位作者 魏凌志 张发培 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期4110-4115,共6页
石墨烯的形核和生长动力学过程的控制对于单晶石墨烯的制备有着至关重要的影响。采用低压化学气相沉积(CVD)方法,通过优化生长条件参数,在铜箔衬底上生长出4mm左右的大尺寸单晶石墨烯。通过一系列形貌和结构的表征,证明了样品为高质量... 石墨烯的形核和生长动力学过程的控制对于单晶石墨烯的制备有着至关重要的影响。采用低压化学气相沉积(CVD)方法,通过优化生长条件参数,在铜箔衬底上生长出4mm左右的大尺寸单晶石墨烯。通过一系列形貌和结构的表征,证明了样品为高质量的单层单晶石墨烯。同时观察到CVD生长的亚毫米级、A-B型堆垛的多层单晶石墨烯畴,以及由单晶石墨烯共生形成的叠层结构。此外通过采用3种类型的铜箔衬底生长石墨烯,发现铜箔特性如体氧含量等对石墨烯成核密度和单晶石墨烯形貌有重要的影响,并观察到不同类型铜箔的晶面择优取向在CVD生长前后发生不同的转变。最后,利用所生长的大尺度单晶石墨烯制备场效应晶体管,实现高的载流子迁移率。 展开更多
关键词 单晶石墨 化学气相沉积 成核密度 铜箔衬底 场效应晶体管
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石墨烯电子器件的研究进展 被引量:9
18
作者 霍冉 吴雨萱 +4 位作者 杨煜 朴树清 张治城 肖佶海 史翎 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期245-258,共14页
石墨烯是一种sp^2杂化的平面类蜂窝型二维结构材料,特殊的结构赋予其许多优良的性能,如导电、导热性能好,载流子迁移率高和透射性好等,使其在电子器件领域表现出巨大潜力。本文从石墨烯在三维集成电路中的应用、石墨烯场效应晶体管、石... 石墨烯是一种sp^2杂化的平面类蜂窝型二维结构材料,特殊的结构赋予其许多优良的性能,如导电、导热性能好,载流子迁移率高和透射性好等,使其在电子器件领域表现出巨大潜力。本文从石墨烯在三维集成电路中的应用、石墨烯场效应晶体管、石墨烯有机发光二极管及化学传感器四方面综述了石墨烯电子器件的研究进展及现状。 展开更多
关键词 石墨 三维集成电路 场效应晶体管 有机发光二极管 化学传感器
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石墨烯基电子学中的平面异质结研究进展(英文)
19
作者 刘俊江 李锐杰 +7 位作者 李杭 李贻非 易俊何 王海成 赵晓冲 刘培植 郭俊杰 刘磊 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期481-492,共12页
二维平面晶体,由于能带结构的多样性和与半导体平面工艺兼容的特点,被认为在电子学中是延续摩尔定律的候选材料之一;同时它具备易转移、光学透明、能带可调等特点,在柔性电子学和光电子学方面展示出巨大的潜在应用。将电路所需的具有不... 二维平面晶体,由于能带结构的多样性和与半导体平面工艺兼容的特点,被认为在电子学中是延续摩尔定律的候选材料之一;同时它具备易转移、光学透明、能带可调等特点,在柔性电子学和光电子学方面展示出巨大的潜在应用。将电路所需的具有不同导电性能的二维材料在平面内实现空间上的可控集成,是实现单原子层二维电子学的首要问题。综述了最近在石墨烯基电子学中平面异质结的研究进展,包括石墨烯-绝缘体和石墨烯-半导体异质结,集中在可控制备、对界面结构的原子尺度研究、以及逻辑功能原型器件研究。最后简述当前该领域面临的挑战和研究前景。 展开更多
关键词 石墨 面内异质结 界面结构 场效应晶体管 逻辑器件
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石墨烯薄膜的制备方法及应用研究进展 被引量:13
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作者 何延如 田小让 +3 位作者 赵冠超 代玲玲 聂革 刘敏胜 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第5期48-60,77,共14页
完美石墨烯由于具有高导电性、高透光性、高柔韧性、高阻隔性、高机械强度、高化学稳定性、超薄等特性,被誉为21世纪最具颠覆性的“新材料之王”,引起全球各界的关注,并预期在电子领域、光子领域、能源领域、环保领域、生物医疗健康等... 完美石墨烯由于具有高导电性、高透光性、高柔韧性、高阻隔性、高机械强度、高化学稳定性、超薄等特性,被誉为21世纪最具颠覆性的“新材料之王”,引起全球各界的关注,并预期在电子领域、光子领域、能源领域、环保领域、生物医疗健康等领域具有广阔的发展前景。目前,欧洲、美国、日本等众多国家,都把石墨烯列为本世纪最重要的新材料进行研究和开发,并已在新能源、电子等方面取得重要进展和初步应用效果。我国也明确把石墨烯作为国家重要战略材料列入国家“十三五”规划。石墨烯分为石墨烯粉体(还原氧化石墨烯)和石墨烯薄膜两大类。目前研究较多的是石墨烯粉体,且其制备和应用方面都有了系统的研究,并取得了一定成果。对于石墨烯薄膜,研究较多的是其制备技术,虽然对石墨烯薄膜在各个领域的应用均进行了初步研究,验证了它应用于其中的可行性,并预期其在部分应用领域具有显著优势,但多数处于研究初期,还面临众多技术挑战。因为目前制备的石墨烯薄膜性能和理论性能有较大差距,所以需要研究者们一方面改进制备技术,提升石墨烯薄膜性能;另一方面结合石墨烯特性选择拥有显著优势的应用领域进行深入研究,设计能够体现石墨烯薄膜性能优势的产品器件,这样才能真正打开石墨烯薄膜的应用市场。本文首先介绍了化学气相沉积法制备石墨烯薄膜的研究现状及发展趋势。目前,石墨烯薄膜晶畴尺寸多为微米级到毫米级,少数研究机构所制的石墨烯薄膜晶畴可达到厘米级;石墨烯薄膜迁移率一般可达到10000~30000 cm 2/(V·s),方阻小于150Ω/□,透光率达到97.7%。石墨烯薄膜发展趋势是开发可控、快速制备大面积、大晶畴、高质量原位沉积石墨烯薄膜的技术和找到可体现石墨烯薄膜优异性能的应用场景。其次在欧盟“石墨烯旗舰计划”科技路线图的框架下,根据石墨烯薄膜的诸多预期特性,结合技术先进性、未来市场规模、可行性、开发周期等方面,选定16项主要应用方向作为重点关注方向,并将其归为七大类应用:透明导电层、分离隔离膜、场效应晶体管(沟道层)、光电探测器(有源区)、导热材料、集流体涂层、催化剂载体。本文重点系统地分析了石墨烯薄膜在上述应用中预期带来的优势、现状和面临的问题,为石墨烯薄膜材料的发展提供研究基础。 展开更多
关键词 石墨薄膜 化学气相沉积(CVD) 透明导电层 场效应晶体管 分离隔离膜
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