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铜基板上CVD法生长单晶石墨烯及研究现状 被引量:3
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作者 吴涛 蒋业华 张晓伟 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第16期16037-16043,16051,共8页
石墨烯是一种以SP2键结合的二维碳的同素异形体,其独一无二的优异性能,使得其在过去几十年里受到了石墨烯研究工作者的极大兴趣。但石墨烯不同于自然界的石墨,并且受限于小尺寸和低产率。化学气相沉积法(CVD)的出现解决了这些问题,并逐... 石墨烯是一种以SP2键结合的二维碳的同素异形体,其独一无二的优异性能,使得其在过去几十年里受到了石墨烯研究工作者的极大兴趣。但石墨烯不同于自然界的石墨,并且受限于小尺寸和低产率。化学气相沉积法(CVD)的出现解决了这些问题,并逐渐发展为一种规模生产大面积、大尺寸、多应用石墨烯的重要方法。但化学气相沉积法生长石墨烯是多晶石墨烯并且由于晶界会产生降解性能。因此,石墨烯生长研究的下一个关键问题是如何让大晶粒单晶石墨烯生长。本文主要叙述了4种代表性预处理铜基板来生长毫米级单层石墨烯的方法:电化学抛光后高温退火、盒状铜箔基板、融化再结晶成新的铜基板、让铜基板富氧。以及现在发展的石墨烯晶粒的特殊空间结构,这些特殊晶粒包括雪花、六瓣鲜花、金字塔和六角形的石墨烯洋葱圈形状。综述了利用不同预处理铜基板的工艺得到毫米级单晶石墨烯的方法。尽管CVD生长单晶石墨烯已经有了空前的进步,但仍然有潜在的挑战,例如,晶元尺寸单晶石墨烯的生长和器件的制作,以及对石墨烯生长机制和生长动力学的进一步了解。 展开更多
关键词 CVD 预处理铜基板 特殊空间结构:单晶石墨
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化学气相沉积制备毫米级单晶石墨烯的生长条件调控研究 被引量:2
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作者 周国庆 胡林 +1 位作者 魏凌志 张发培 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期4110-4115,共6页
石墨烯的形核和生长动力学过程的控制对于单晶石墨烯的制备有着至关重要的影响。采用低压化学气相沉积(CVD)方法,通过优化生长条件参数,在铜箔衬底上生长出4mm左右的大尺寸单晶石墨烯。通过一系列形貌和结构的表征,证明了样品为高质量... 石墨烯的形核和生长动力学过程的控制对于单晶石墨烯的制备有着至关重要的影响。采用低压化学气相沉积(CVD)方法,通过优化生长条件参数,在铜箔衬底上生长出4mm左右的大尺寸单晶石墨烯。通过一系列形貌和结构的表征,证明了样品为高质量的单层单晶石墨烯。同时观察到CVD生长的亚毫米级、A-B型堆垛的多层单晶石墨烯畴,以及由单晶石墨烯共生形成的叠层结构。此外通过采用3种类型的铜箔衬底生长石墨烯,发现铜箔特性如体氧含量等对石墨烯成核密度和单晶石墨烯形貌有重要的影响,并观察到不同类型铜箔的晶面择优取向在CVD生长前后发生不同的转变。最后,利用所生长的大尺度单晶石墨烯制备场效应晶体管,实现高的载流子迁移率。 展开更多
关键词 单晶石墨 化学气相沉积 成核密度 铜箔衬底 场效应晶体管
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不同降温方式对单晶石墨烯氢气刻蚀的改善 被引量:1
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作者 王施达 段涛 英敏菊 《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第S1期254-259,共6页
以化学气相沉积(CVD)的方法在铜衬底上制备了大尺寸的单晶石墨烯。研究了在3种不同降温方式下,石墨烯受氢气刻蚀程度的变化,以及在降温过程中通入甲烷后,对刻蚀的影响与改善,并对刻蚀机理进行了探讨。结果表明:经开盖降温的石墨烯受刻... 以化学气相沉积(CVD)的方法在铜衬底上制备了大尺寸的单晶石墨烯。研究了在3种不同降温方式下,石墨烯受氢气刻蚀程度的变化,以及在降温过程中通入甲烷后,对刻蚀的影响与改善,并对刻蚀机理进行了探讨。结果表明:经开盖降温的石墨烯受刻蚀最轻,随炉降温的样品受刻蚀次之,缓慢降温的样品受刻蚀最为严重。在降温过程中通入甲烷之后,3种样品的刻蚀都得到了进一步的改善,且开盖降温样品的结晶质量有大幅提升;随炉降温样品的结晶质量有小幅提升;缓慢降温样品的结晶质量有所下降。 展开更多
关键词 单晶石墨 降温方式 催化 刻蚀 甲烷
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化学气相沉积技术制备亚厘米尺寸单晶石墨烯的工艺研究 被引量:1
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作者 王延伟 卢维尔 +1 位作者 闫美菊 夏洋 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期1-5,共5页
本实验以多晶铜为基底,研究了利用化学气相沉积(CVD)技术制备不同尺寸的单晶石墨烯的工艺。对比了铜基底预处理方法、气体流量、压强和生长时间对单晶石墨烯尺寸及表面形貌的影响,结果表明,Ar和O2预处理可以降低石墨烯的成核密度,适当的... 本实验以多晶铜为基底,研究了利用化学气相沉积(CVD)技术制备不同尺寸的单晶石墨烯的工艺。对比了铜基底预处理方法、气体流量、压强和生长时间对单晶石墨烯尺寸及表面形貌的影响,结果表明,Ar和O2预处理可以降低石墨烯的成核密度,适当的CH4浓度便于单晶石墨烯的生长,压强的大小影响单晶的形貌,生长时间决定了单晶的尺寸。通过对预处理气体及流量、生长压强和时间等参数的调节,获得了0. 01~6 mm单晶石墨烯的可靠制备工艺。在常压101. 325 k Pa、铜基底经Ar和O2预处理、生长温度1 068℃、600 sccm H2和25 sccm CH4的气体条件下,制备出6 mm的单晶石墨烯。此外,本实验还对石墨烯制备过程中杂质颗粒的形成机理进行了研究,发现引入的杂质颗粒可能是基底Cu氧化后的结晶颗粒以及石英管在高温条件下硅的脱落。本研究所得不同尺寸单晶石墨烯的可靠制备方法为新型电子器件的发展提供了有力的支撑。 展开更多
关键词 化学气相沉积 单晶石墨 大尺寸
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单晶石墨烯薄膜生产速度提高150倍
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《机床与液压》 北大核心 2016年第16期4-4,共1页
中国科学家在《自然·纳米技术》杂志上发表论文称,他们在单晶石墨烯制备上取得了一项突破。通过对化学气相沉积法(CVD)的调整和改进,他们将石墨烯薄膜生产的速度提高了150倍。新研究为石墨烯的大规模应用奠定了基础。
关键词 单晶石墨烯薄膜 生产速度 化学气相沉积法
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用X射线衍射法研究无烟煤的石墨化转变 被引量:9
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作者 陈亮维 张名泉 +2 位作者 杨楠 周义平 韩贯斗 《煤炭工程》 北大核心 2007年第4期72-74,共3页
以无烟煤做原料,经2种不同的前期处理和相同的石墨化条件加工,获得了2种样品。用X射线衍射法分析发现1种样品是纯的多晶石墨,它们的微晶结构参数La值平均为29.0nm、Lc值平均为23.1nm,Dx平均为2.253g/cm3,石墨化度平均为88.5%;另外1种样... 以无烟煤做原料,经2种不同的前期处理和相同的石墨化条件加工,获得了2种样品。用X射线衍射法分析发现1种样品是纯的多晶石墨,它们的微晶结构参数La值平均为29.0nm、Lc值平均为23.1nm,Dx平均为2.253g/cm3,石墨化度平均为88.5%;另外1种样品是纯的单晶石墨,它们的微晶结构参数La估计在1μm以上,Lc值平均为17.3nm,Dx值接近于石墨的理论密度,石墨化度平均为91.0%。初步掌握了用无烟煤分别合成多晶石墨和单晶石墨的方法。 展开更多
关键词 无烟煤 多晶石墨 单晶石墨 X射线衍射分析
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石墨烯形核初期Cu(111)面上C_xH_y团簇生成的理论研究
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作者 刘学杰 刘锋 +1 位作者 任元 李沛艾 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期769-774,共6页
采用基于密度泛函理论的第一原理计算方法,我们研究了Cu(111)表面上石墨烯成核生长过程中CxHy小团簇的吸附和生成行为.计算结果表明:随着氢原子饱和度、氢原子个数的增大,CxHy团簇的形成能减小,碳原子与铜表面的平均距离增加,C-C键的平... 采用基于密度泛函理论的第一原理计算方法,我们研究了Cu(111)表面上石墨烯成核生长过程中CxHy小团簇的吸附和生成行为.计算结果表明:随着氢原子饱和度、氢原子个数的增大,CxHy团簇的形成能减小,碳原子与铜表面的平均距离增加,C-C键的平均键长呈增大趋势.然而,当生成的CxHy团簇具有空间对称结构时,在一定程度上打破了上述规律性.令人惊奇的是,形成的C3H4和C3H5对称团簇具有类似石墨烯的空间结构,这类结构可能在石墨烯的形成过程中起着重要的作用. 展开更多
关键词 第一性原理 单晶石墨 CxHy团簇 形成能 生长机理
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应用于石墨平晶单色化光源的多毛细管光学器件
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作者 刘芯 叶磊 +4 位作者 周鹏 付思特 王兴艺 林晓燕 李玉德 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期486-490,共5页
用实验室X射线光管结合石墨平晶搭建了Cu靶Kα射线单色化光源,根据其光束特性研制出应用于光源的一种无前焦的多毛细管光学器件,测量了有无多毛细管光学器件条件下距石墨平晶中心245mm位置处X射线面积光强计数比.结果表明,本实验所研制... 用实验室X射线光管结合石墨平晶搭建了Cu靶Kα射线单色化光源,根据其光束特性研制出应用于光源的一种无前焦的多毛细管光学器件,测量了有无多毛细管光学器件条件下距石墨平晶中心245mm位置处X射线面积光强计数比.结果表明,本实验所研制的2支多毛细管光学器件均可使距石墨平晶中心245mm位置处的X射线光强增益10倍以上. 展开更多
关键词 X射线单晶衍射 多毛细管光学器件 石墨单晶
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高质量石墨的新制法
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作者 惠林 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 1989年第11期39-39,共1页
受新技术开发企业集团的委托,松下电子零件方面正在着手研究“高质量石墨制造技术”的实用化,研究期三年,经费三亿日元。新技术采用具有特殊结构的聚氧二氮茂等缩合型高分子系列,灼烧碳化后,使其多层重合并于高温下加压处理,以求石墨形... 受新技术开发企业集团的委托,松下电子零件方面正在着手研究“高质量石墨制造技术”的实用化,研究期三年,经费三亿日元。新技术采用具有特殊结构的聚氧二氮茂等缩合型高分子系列,灼烧碳化后,使其多层重合并于高温下加压处理,以求石墨形成与厚膜化,从而制得大面积、板状、具有与单晶石墨同样物理性能的高质量石墨。 展开更多
关键词 高质量 单晶石墨 氧二氮茂 企业集团 制造技术 新技术开发 缩合型 高分子 物理性能 电子零件
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