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SiC MOSFET的短路耐受时间分析及其基于di/dt-PMOS的短路保护
1
作者
谢佳明
魏金萧
+2 位作者
吴彬兵
丰昊
冉立
《电工技术学报》
北大核心
2025年第16期5081-5091,共11页
为了提高SiC MOSFET的短路可靠性,在不同的母线电压、驱动电压、驱动电阻、主回路寄生电感以及栅极阈值电压参数下,对SiC MOSFET短路电流特性曲线进行测量,定量分析各个参数对短路电流的影响,为如何提高SiC MOSEFT的短路耐受时间提供解...
为了提高SiC MOSFET的短路可靠性,在不同的母线电压、驱动电压、驱动电阻、主回路寄生电感以及栅极阈值电压参数下,对SiC MOSFET短路电流特性曲线进行测量,定量分析各个参数对短路电流的影响,为如何提高SiC MOSEFT的短路耐受时间提供解决思路。同时,由于SiC MOSFET的短路耐受时间决定着对其进行短路保护动作的最大时间,所以这些不同参数的设置直接影响着SiC MOSFET短路保护电路的设计。在传统SiC MOSFET短路保护策略中,利用开尔文源极与功率源极之间寄生电感产生的感应电压,配合RC滤波器进行短路保护,存在SiC MOSFET在硬开关短路和负载短路中,触发短路保护动作阈值不一致的问题,即导致短路保护失败。针对此问题,提出基于di/dt-PMOS的短路保护策略,保证了阈值的一致性。通过公式推导以及实验验证了基于di/dt-PMOS的SiC MOSFET短路保护策略的有效性。
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关键词
SiC
MOSFET
短路耐受时间
短路
保护
开尔文源极
驱动电路
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职称材料
题名
SiC MOSFET的短路耐受时间分析及其基于di/dt-PMOS的短路保护
1
作者
谢佳明
魏金萧
吴彬兵
丰昊
冉立
机构
输变电装备技术全国重点实验室(重庆大学)
合肥工业大学电气与自动化学院
出处
《电工技术学报》
北大核心
2025年第16期5081-5091,共11页
基金
国家自然科学基金资助项目(52107179)。
文摘
为了提高SiC MOSFET的短路可靠性,在不同的母线电压、驱动电压、驱动电阻、主回路寄生电感以及栅极阈值电压参数下,对SiC MOSFET短路电流特性曲线进行测量,定量分析各个参数对短路电流的影响,为如何提高SiC MOSEFT的短路耐受时间提供解决思路。同时,由于SiC MOSFET的短路耐受时间决定着对其进行短路保护动作的最大时间,所以这些不同参数的设置直接影响着SiC MOSFET短路保护电路的设计。在传统SiC MOSFET短路保护策略中,利用开尔文源极与功率源极之间寄生电感产生的感应电压,配合RC滤波器进行短路保护,存在SiC MOSFET在硬开关短路和负载短路中,触发短路保护动作阈值不一致的问题,即导致短路保护失败。针对此问题,提出基于di/dt-PMOS的短路保护策略,保证了阈值的一致性。通过公式推导以及实验验证了基于di/dt-PMOS的SiC MOSFET短路保护策略的有效性。
关键词
SiC
MOSFET
短路耐受时间
短路
保护
开尔文源极
驱动电路
Keywords
SiC MOSFET
short-circuit withstand time
short-circuit protection
Kelvin source
gate driver circuit
分类号
TM46 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SiC MOSFET的短路耐受时间分析及其基于di/dt-PMOS的短路保护
谢佳明
魏金萧
吴彬兵
丰昊
冉立
《电工技术学报》
北大核心
2025
0
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