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新型无损IGBT短路耐性测试电路
被引量：
2
1
作者
黄建伟
刘国友
+3 位作者
余伟
罗海辉
朱利恒
覃荣震
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第1期70-75,共6页
为保护绝缘栅双极晶体管(IGBT)测试电路及芯片失效信息,提出了一种新型的无损IGBT短路安全工作区测试电路,可以在器件测试时根据测试电流、电压波形特征,自动识别IGBT是否发生失效。一旦被测器件在测试过程中发生失效,测试电路能够立即...
为保护绝缘栅双极晶体管(IGBT)测试电路及芯片失效信息,提出了一种新型的无损IGBT短路安全工作区测试电路,可以在器件测试时根据测试电流、电压波形特征,自动识别IGBT是否发生失效。一旦被测器件在测试过程中发生失效,测试电路能够立即自动将电流旁路,保护芯片表面不受二次大电流破坏,进而保护芯片失效信息,为芯片的失效分析提供依据。根据设计搭建了测试保护电路,并进行实验比较。通过分析对比失效IGBT模块及芯片内部结构,发现该新型测试电路能在IGBT失效后,保护被测IGBT芯片不被进一步破坏,为失效分析提供充分依据。
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关键词
绝缘栅双极晶体管(IGBT)
短路
测试
失效分析
短路安全工作区
无损测试
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职称材料
智能电网用高功率密度1500A/3300V绝缘栅双极晶体管模块
被引量：
20
2
作者
刘国友
黄建伟
+2 位作者
覃荣震
罗海辉
朱利恒
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2016年第10期2784-2792,共9页
基于双扩散金属氧化物半导体(diffused metal-oxide semiconductor,DMOS)元胞设计技术,针对智能电网的需求,引入"电子注入增强"以及台面栅技术,优化了3 300 V绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)芯片...
基于双扩散金属氧化物半导体(diffused metal-oxide semiconductor,DMOS)元胞设计技术,针对智能电网的需求,引入"电子注入增强"以及台面栅技术,优化了3 300 V绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)芯片的整体性能。基于该芯片制造出的1 500 A/3 300 V高功率密度IGBT模块,相对于优化前其额定电流从1 200 A上升到了1 500 A(上升了25%),同时导通压降从2.8 V下降到了2.4 V(下降了14%),最高工作结温从125℃提升到150℃。反偏安全工作区(reverse biased safe operation area,RBSOA)与短路安全工作区(short-circuit safe operation area,SCSOA)测试显示,该模块能在集电极电压为2 000 V的情况下关断3 000 A的电流,并且在栅电压为15 V、集电极电压为2 000 V的短路条件下的安全工作时间超过10?s。测试结果显示,该模块导通压降及开关损耗性能与同类型国际主流产品相当。
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关键词
绝缘栅双极晶体管
智能电网
电子注入增强
台面栅
IGBT模块
短路安全工作区
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职称材料
高压碳化硅IGBT器件的电学特性
被引量：
1
3
作者
肖凯
刘航志
+2 位作者
王振
邹延生
王俊
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第2期102-109,139,共9页
借助计算机辅助设计技术(TCAD)仿真并结合基础物理建模,对SiC n和p沟道IGBT器件的电学特性进行比较研究。研究表明,在小电流密度下,n-IGBT电导调制效应较强,并具有较低的通态压降。而在较大的正向偏置电压下,p-IGBT背部的n^(+)注入层的...
借助计算机辅助设计技术(TCAD)仿真并结合基础物理建模,对SiC n和p沟道IGBT器件的电学特性进行比较研究。研究表明,在小电流密度下,n-IGBT电导调制效应较强,并具有较低的通态压降。而在较大的正向偏置电压下,p-IGBT背部的n^(+)注入层的正向载流子注入增强,从而使得p-IGBT导通电流较大。相比较npn晶体管而言,由于n-IGBT内部pnp晶体管的电流增益较低,关断过程中载流子的抽取电流较高,耗尽层扩展速度较快,使得其关断时间较短,因而n-IGBT在动态关断能耗和正向导通压降之间具有较好的折中关系。但n-IGBT关断过程中电压变化率(dv/dt)、电流变化率(di/dt)值较高,特别是发生电压穿通现象过后。因此,应对n-IGBT电磁干扰(EMI)抑制的器件设计技术加以重视。
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关键词
SiC
IGBT
短路安全工作区
(SCSOA)
反向偏置
安全
工作区
(RBSOA)
能量损耗
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职称材料
题名
新型无损IGBT短路耐性测试电路
被引量：
2
1
作者
黄建伟
刘国友
余伟
罗海辉
朱利恒
覃荣震
机构
株洲南车时代电气股份有限公司
新型功率半导体器件国家重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第1期70-75,共6页
文摘
为保护绝缘栅双极晶体管(IGBT)测试电路及芯片失效信息,提出了一种新型的无损IGBT短路安全工作区测试电路,可以在器件测试时根据测试电流、电压波形特征,自动识别IGBT是否发生失效。一旦被测器件在测试过程中发生失效,测试电路能够立即自动将电流旁路,保护芯片表面不受二次大电流破坏,进而保护芯片失效信息,为芯片的失效分析提供依据。根据设计搭建了测试保护电路,并进行实验比较。通过分析对比失效IGBT模块及芯片内部结构,发现该新型测试电路能在IGBT失效后,保护被测IGBT芯片不被进一步破坏,为失效分析提供充分依据。
关键词
绝缘栅双极晶体管(IGBT)
短路
测试
失效分析
短路安全工作区
无损测试
Keywords
insulated gate bipolar transistor（IGBT）
short-circuit test
failure analysis
shortcircuit safe operation area（SCSOA）
non-destructive test
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
智能电网用高功率密度1500A/3300V绝缘栅双极晶体管模块
被引量：
20
2
作者
刘国友
黄建伟
覃荣震
罗海辉
朱利恒
机构
新型功率半导体器件国家重点实验室(株洲南车时代电气股份有限公司)
出处
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2016年第10期2784-2792,共9页
文摘
基于双扩散金属氧化物半导体(diffused metal-oxide semiconductor,DMOS)元胞设计技术,针对智能电网的需求,引入"电子注入增强"以及台面栅技术,优化了3 300 V绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)芯片的整体性能。基于该芯片制造出的1 500 A/3 300 V高功率密度IGBT模块,相对于优化前其额定电流从1 200 A上升到了1 500 A(上升了25%),同时导通压降从2.8 V下降到了2.4 V(下降了14%),最高工作结温从125℃提升到150℃。反偏安全工作区(reverse biased safe operation area,RBSOA)与短路安全工作区(short-circuit safe operation area,SCSOA)测试显示,该模块能在集电极电压为2 000 V的情况下关断3 000 A的电流,并且在栅电压为15 V、集电极电压为2 000 V的短路条件下的安全工作时间超过10?s。测试结果显示,该模块导通压降及开关损耗性能与同类型国际主流产品相当。
关键词
绝缘栅双极晶体管
智能电网
电子注入增强
台面栅
IGBT模块
短路安全工作区
Keywords
insulated gate bipolar transistor（IGBT）
smart grid
electron injection enhanced
terrace gate
IGBT module
short circuit safe operation area
分类号
TN322 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
高压碳化硅IGBT器件的电学特性
被引量：
1
3
作者
肖凯
刘航志
王振
邹延生
王俊
机构
中国南方电网有限责任公司超高压输电公司检修试验中心
湖南大学电气与信息工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第2期102-109,139,共9页
基金
南方电网直流输电装备与海底电缆安全运行联合实验室开放基金资助项目。
文摘
借助计算机辅助设计技术(TCAD)仿真并结合基础物理建模,对SiC n和p沟道IGBT器件的电学特性进行比较研究。研究表明,在小电流密度下,n-IGBT电导调制效应较强,并具有较低的通态压降。而在较大的正向偏置电压下,p-IGBT背部的n^(+)注入层的正向载流子注入增强,从而使得p-IGBT导通电流较大。相比较npn晶体管而言,由于n-IGBT内部pnp晶体管的电流增益较低,关断过程中载流子的抽取电流较高,耗尽层扩展速度较快,使得其关断时间较短,因而n-IGBT在动态关断能耗和正向导通压降之间具有较好的折中关系。但n-IGBT关断过程中电压变化率(dv/dt)、电流变化率(di/dt)值较高,特别是发生电压穿通现象过后。因此,应对n-IGBT电磁干扰(EMI)抑制的器件设计技术加以重视。
关键词
SiC
IGBT
短路安全工作区
(SCSOA)
反向偏置
安全
工作区
(RBSOA)
能量损耗
Keywords
SiC
IGBT
short-circuit safe operation area(SCSOA)
reverse biased safe operation area(RBSOA)
energy loss
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
新型无损IGBT短路耐性测试电路
黄建伟
刘国友
余伟
罗海辉
朱利恒
覃荣震
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
智能电网用高功率密度1500A/3300V绝缘栅双极晶体管模块
刘国友
黄建伟
覃荣震
罗海辉
朱利恒
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2016
20
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
高压碳化硅IGBT器件的电学特性
肖凯
刘航志
王振
邹延生
王俊
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023
1
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职称材料
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