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题名一种具备长期失效短路能力的弹性压接型IGBT器件
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作者
童颜
刘克明
莫申扬
骆健
周国华
邓二平
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机构
南瑞集团(国网电力科学研究院)有限公司
南京南瑞半导体有限公司
国网浙江省电力有限公司杭州市萧山区供电公司
电能高效高质转化全国重点实验室(合肥工业大学)
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第12期1090-1096,共7页
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基金
国家电网有限公司总部管理科技项目(5108-202218280A-2-110-XG)。
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文摘
压接型IGBT器件的失效短路模式(SCFM)可使其在失效之后仍能保持短路特性,在大规模器件串联应用中具有非常独特的优势,能够显著提高基于电压源换流器的高压直流(VSC-HVDC)(柔性直流)输电领域电力电子设备的可靠性。弹性压接器件由于封装结构限制,很难实现长期稳定运行。提出了一种新型弹性压接封装结构,采用失效短路电流再分配的方案,通过理论分析、仿真对比、试验测试等手段对该方案进行失效短路能力评估,相较传统结构导电片在1900 A、1 min熔断,优化后的导电片在2250 A、2 h下能够稳定保持最高温度≤200℃,为压接器件的开发提供了新的研究方向。
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关键词
压接型IGBT器件
弹性压接
失效短路模式(SCFM)
电流再分配
长期稳定运行
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Keywords
press-pack IGBT device
elastic press-pack
short circuit failure mode(SCFM)
current redistribution
long-term stable operation
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分类号
TN386.2
[电子电信—物理电子学]
TN305.94
[电子电信—物理电子学]
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题名金属电迁移测试过程中的电介质击穿效应
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作者
于赫薇
尹彬锋
周柯
钱燕妮
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机构
上海华力微电子有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第4期314-318,共5页
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文摘
金属互连电迁移有断路失效和短路失效两种常规失效模式,其中短路失效是由于发生了析出效应。目前对电迁移断路失效的研究较多,但是对于析出效应（短路失效）的研究较少。研究发现在金属电迁移析出效应监测过程中易产生两种电介质击穿效应,分别为在实验刚开始发生的瞬时电介质击穿（TZDB）效应和测试过程中产生的时间依赖性电介质击穿（TDDB）效应。此外,电介质层材料的介电常数值越高,其耐电介质击穿的能力越高。析出效应的监测电场强度的设定值应该同时考虑电介质层材料与测试结构的特性,监测电场强度的设定范围建议为0.15~0.24 MV/cm,以防止在析出效应监测过程中发生电介质击穿,混淆两种不同的失效机理,造成误判。
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关键词
金属电迁移
短路失效模式
析出效应
时间依赖性电介质击穿(TDDB)效应
瞬时电介质击穿
(
TZDB)
效应
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Keywords
metal electromigration
short circuit failure model
extrusion effect
time dependent dielectric breakdown（TDDB） effect
time-zero dielectric breakdown（TZDB） effect
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分类号
TN407
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TN304
[电子电信—物理电子学]
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