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短沟道MOS器件随机电报信号噪声的检测与分析 被引量:4
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作者 陈晓娟 樊欣欣 吴洁 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2016年第3期234-239,共6页
随机电报信号(RTS)噪声是表征短沟道器件可靠性的重要敏感参数,能敏感地反映MOS器件中的边界陷阱,为探测小尺寸器件中的缺陷提供了有效的手段。为了能够准确测量出RTS,采用了无噪声偏置电路,设计了两级抑噪电路。在两通道三个运算放大... 随机电报信号(RTS)噪声是表征短沟道器件可靠性的重要敏感参数,能敏感地反映MOS器件中的边界陷阱,为探测小尺寸器件中的缺陷提供了有效的手段。为了能够准确测量出RTS,采用了无噪声偏置电路,设计了两级抑噪电路。在两通道三个运算放大器的基础上,设计了RTS噪声测量放大器,提出一种改进的变步长LMS数字滤波器算法,构造了步长函数和误差的相关值之间的非线性表达式。实验结果表明,在较小的RTS时间常数下,相同精度时,参量提取的误差比传统方法减小20%,同时新算法具有更快的收敛速度,良好的稳态误差性。 展开更多
关键词 随机电报信号(RTS)噪声 短沟道mos器件 噪声测量 LMS算法 可靠性
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随机电报信号噪声时间参数的提取方法 被引量:2
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作者 樊欣欣 禹旺明 陈晓娟 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2016年第4期286-291,共6页
随机电报信号(RTS)噪声是表征短沟道MOS器件可靠性的重要敏感参数,利用RTS噪声可确定半导体器件内部陷阱的位置。为了能够准确提取RTS噪声信号的时间特征参量,采用了经验模态分解(EMD)方法处理器件内部被激发的本征低频噪声信号,并提出... 随机电报信号(RTS)噪声是表征短沟道MOS器件可靠性的重要敏感参数,利用RTS噪声可确定半导体器件内部陷阱的位置。为了能够准确提取RTS噪声信号的时间特征参量,采用了经验模态分解(EMD)方法处理器件内部被激发的本征低频噪声信号,并提出了利用能量等效的方法对RTS噪声的时间参量进行提取。实验结果表明,噪声的滤波效果优于传统的算法,降低了系统的背景噪声,相同采样点时,参量提取的误差比传统方法可减小40%,相同精度时,采样点仅为传统方法采样数目的 1/20,提高了提取参量的灵敏度。 展开更多
关键词 随机电报信号(RTS)噪声 能量等效 EMD算法 短沟道mos器件 可靠性
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