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锗/硅短周期超晶格的X射线双晶衍射研究 被引量:1
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作者 季振国 袁骏 +2 位作者 卢焕明 芮祥新 王龙成 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期1-4,共4页
用 X射线双晶衍射对气源分子束外延 (GS- MBE)制备的锗 /硅短周期超晶格 (SPS)样品进行了分析。所有样品的锗层厚度固定为 1.5单原子层 ,而硅层厚度为 1.4~ 3.8nm。对于硅层厚度小于 2 .4nm的样品来说 ,双晶衍射摇摆曲线中由超晶格引... 用 X射线双晶衍射对气源分子束外延 (GS- MBE)制备的锗 /硅短周期超晶格 (SPS)样品进行了分析。所有样品的锗层厚度固定为 1.5单原子层 ,而硅层厚度为 1.4~ 3.8nm。对于硅层厚度小于 2 .4nm的样品来说 ,双晶衍射摇摆曲线中由超晶格引起的衍射峰较宽 ,而且看不到干涉引起的精细结构 ,这表明超晶格中可能存在位错及界面不平整。对硅层较厚 (>2 .9nm)的样品 ,摇摆曲线中超晶格引起的衍射峰很窄 ,而且有明显的由干涉产生的精细结构 ,表明此时超晶格的质量较高 ,界面平整。对硅层厚度为2 .1~ 2 .9nm的样品 ,超晶格对应的衍射峰可以分解为两个宽度不等的子峰 ,但没有精细结构出现。这个区间与文献 [1]报道的在荧光光谱发现的一个异常带出现区间完全相同。本实验的 X射线双晶衍射测试与分析结果支持文献 展开更多
关键词 周期 晶格 双晶衍射
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渐变型DBR的数值模拟以及SPS型DBR的设计
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作者 苏伟 钟钢 《系统仿真学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期2231-2232,2250,共3页
利用特征矩阵法分析推导了分布布拉格反射镜(DistributedBraggReflector,DBR)的反射率公式,在此基础上对渐变折射率型DBR进行了数值模拟,并与实验结果进行了比较,提出了腔膜由于受到有源区折射率变化的影响而偏移的结论,并用数值模拟加... 利用特征矩阵法分析推导了分布布拉格反射镜(DistributedBraggReflector,DBR)的反射率公式,在此基础上对渐变折射率型DBR进行了数值模拟,并与实验结果进行了比较,提出了腔膜由于受到有源区折射率变化的影响而偏移的结论,并用数值模拟加以验证。最后利用这种方法设计了一种带有短周期超晶格(ShortPeriodSuperlattices,SPSs)结构的新型DBR,并对新型DBR进行数值模拟,同时把它与渐变折射率型DBR进行了比较。 展开更多
关键词 分布布拉格反射镜(DBR) 垂直腔面发射激光器(VCSEL) 数值模拟 周期晶格(spss)
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