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一种基于65nm CMOS工艺的33.5~37.5GHz有源矢量合成型移相器
被引量:
1
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作者
李印
吴锐
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第2期123-131,共9页
基于65 nm CMOS工艺设计了一款33.5~37.5 GHz的6 bit有源矢量合成型移相器(VSPS)。该移相器采用Lange类型的90°耦合器作为I/Q信号发生器,其中的电感采用8字形电感实现;此外,矢量合成部分采用电流合成结构,使芯片面积更加紧凑。后...
基于65 nm CMOS工艺设计了一款33.5~37.5 GHz的6 bit有源矢量合成型移相器(VSPS)。该移相器采用Lange类型的90°耦合器作为I/Q信号发生器,其中的电感采用8字形电感实现;此外,矢量合成部分采用电流合成结构,使芯片面积更加紧凑。后仿真结果显示,该移相器覆盖360°移相范围,对于64种移相角度状态,其整个工作频带下的相位均方根(RMS)误差约为0.33°~3.20°,移相附加增益幅度约为-8.38~-4.89 dB,其RMS误差小于0.59 dB,噪声系数约为12.55~15.55 dB,输入反射系数小于-15 dB,输出反射系数小于-7.9 dB,在33.5、35.5和37.5 GHz频率下,其1 dB压缩点输入功率分别为-1.38~0.96、-1.13~0.75和-0.30~1.40 dBm。该移相器核心电路面积仅约为0.11 mm^(2),在1.2 V的电源电压下,消耗14.6 mW的直流功率,具有面积紧凑、功耗较低、插入损耗适中且精度较高的优势,有利于相控阵系统大规模集成和应用。
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关键词
矢量
合
成型
移相器
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vsps
)
90°耦
合
器
磁耦
合
谐振器(MCR)
跨导单元
电流
合
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职称材料
题名
一种基于65nm CMOS工艺的33.5~37.5GHz有源矢量合成型移相器
被引量:
1
1
作者
李印
吴锐
机构
中国科学院空天信息创新研究院微波成像技术国家级重点实验室
中国科学院大学电子电气与通信工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第2期123-131,共9页
基金
中国科学院百人计划基金资助项目(2020000612)
国家重点研发计划项目(2019YFA0210204)。
文摘
基于65 nm CMOS工艺设计了一款33.5~37.5 GHz的6 bit有源矢量合成型移相器(VSPS)。该移相器采用Lange类型的90°耦合器作为I/Q信号发生器,其中的电感采用8字形电感实现;此外,矢量合成部分采用电流合成结构,使芯片面积更加紧凑。后仿真结果显示,该移相器覆盖360°移相范围,对于64种移相角度状态,其整个工作频带下的相位均方根(RMS)误差约为0.33°~3.20°,移相附加增益幅度约为-8.38~-4.89 dB,其RMS误差小于0.59 dB,噪声系数约为12.55~15.55 dB,输入反射系数小于-15 dB,输出反射系数小于-7.9 dB,在33.5、35.5和37.5 GHz频率下,其1 dB压缩点输入功率分别为-1.38~0.96、-1.13~0.75和-0.30~1.40 dBm。该移相器核心电路面积仅约为0.11 mm^(2),在1.2 V的电源电压下,消耗14.6 mW的直流功率,具有面积紧凑、功耗较低、插入损耗适中且精度较高的优势,有利于相控阵系统大规模集成和应用。
关键词
矢量
合
成型
移相器
(
vsps
)
90°耦
合
器
磁耦
合
谐振器(MCR)
跨导单元
电流
合
成
Keywords
vector-sum phase shifter(
vsps
)
90°coupler
magnetically coupled resonator(MCR)
transconductance unit
current combining
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN623 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
一种基于65nm CMOS工艺的33.5~37.5GHz有源矢量合成型移相器
李印
吴锐
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023
1
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