TI基于4通道瞬态电压抑制器(TVS)的静电放电(ESD)保护二极管阵列TPD4S012

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《世界电子元器件》 2015年第7期28-,共1页

概述TPD4S012是一个面向USB充电器和USB On-The-Go(OTG)接口、基于4通道瞬态电压抑制器(TVS)的静电放电(ESD)保护二极管阵列。TPD4S012提供了IEC61000-4-2系统级ESD保护,VBUS线路的容差为15V。因为VBUS线路具有高压容差和采用了小型流... 概述TPD4S012是一个面向USB充电器和USB On-The-Go(OTG)接口、基于4通道瞬态电压抑制器(TVS)的静电放电(ESD)保护二极管阵列。TPD4S012提供了IEC61000-4-2系统级ESD保护,VBUS线路的容差为15V。因为VBUS线路具有高压容差和采用了小型流通封装,所以该器件是为USB充电器和OTG应用提供电路保护的理想之选。 展开更多

关键词 瞬态电压 静电放电 ESD TI TPD4S012 tvs 抑制器 二极管阵列 电路保护 容差

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瞬态电压抑制二极管的概述和展望 被引量：17

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作者 杨尊松 王立新 +2 位作者 肖超 陆江 李彬鸿 《电子设计工程》 2016年第24期108-112,共5页

文中基于推进我国瞬态电压抑制二极管(TVS)自主研发能力的目的,通过调研TVS的发展历程及近年的研究热点,综述了TVS的制备工艺和主要结构。同时,介绍了TVS的工作机制和主要参数,并重点描述了近年来国际上TVS在低压低电容和低漏电流方面... 文中基于推进我国瞬态电压抑制二极管(TVS)自主研发能力的目的,通过调研TVS的发展历程及近年的研究热点,综述了TVS的制备工艺和主要结构。同时,介绍了TVS的工作机制和主要参数,并重点描述了近年来国际上TVS在低压低电容和低漏电流方面所取得的理论和技术突破。最后提出了TVS的低压集成化等发展趋势。 展开更多

关键词 瞬态电压抑制二极管 tvs 研究现状

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TVS二极管性能优化指南 被引量：2

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作者 Jim Lepkowski 《世界电子元器件》 2006年第11期61-61,64,共2页

瞬态电压抑制器（TVS）二极管是一种保护敏感电子器件免受ESD和EMI浪涌脉冲的有效低成本选择。本文将提供TVS二极管浪涌最大抑制的PCB布局指南。同时将举例说明在不同电路配置中如何取舍TVS二极管。

关键词 tvs二极管 优化指南 瞬态电压抑制器 性能 电子器件 电路配置 低成本 EMI

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恩智浦推出采用新型FlatPower封装的TVS二极管

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《天津汽车》 2009年第2期7-7,共1页

恩智浦半导体（NXP Semiconductors，由飞利浦创建的独立半导体公司）日前推出新系列瞬时电压抑制器（TVS）二极管，新系列产品采用新型的SOD123W FlatPower封装。该系列二极管提供400W额定峰值脉冲功率00／1000μs），单位PCB面积的浪... 恩智浦半导体（NXP Semiconductors，由飞利浦创建的独立半导体公司）日前推出新系列瞬时电压抑制器（TVS）二极管，新系列产品采用新型的SOD123W FlatPower封装。该系列二极管提供400W额定峰值脉冲功率00／1000μs），单位PCB面积的浪涌能力约为67W／mm^2，是市场上采用类似封装的TvS产品浪涌能力的2倍以上。 展开更多

关键词 tvs二极管 封装 半导体公司 浪涌能力 电压抑制器 脉冲功率 飞利浦 PCB

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恩智浦扩展FlatPower TVS二极管产品线

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《电子与电脑》 2010年第7期94-94,共1页

恩智浦半导体（NXP Semiconductors）宣布推出35个采用2引脚FlatPower SOD128封装（3．8mm×2．5mm×1mm）的TVS新产品，进一步丰富了瞬变电压抑制（TVS，Transient VoltageSuppressor）二极管的产品组合。恩智浦是业界首个采... 恩智浦半导体（NXP Semiconductors）宣布推出35个采用2引脚FlatPower SOD128封装（3．8mm×2．5mm×1mm）的TVS新产品，进一步丰富了瞬变电压抑制（TVS，Transient VoltageSuppressor）二极管的产品组合。恩智浦是业界首个采用这种小型塑料SMD封装来提供600W额定峰值脉冲功率（10／1000μs）TVS二极管的厂商。 展开更多

关键词 tvs二极管 产品线 SMD封装 瞬变电压抑制 产品组合 脉冲功率 半导体 引脚

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TVS和一般的稳压二极管有什么区别?

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《电子质量》 2006年第11期31-31,共1页

关键词 稳压二极管 tvs 瞬变电压抑制 瞬态干扰 电路保护器件 设备损坏 电子电路 电力设备

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TVS器件在发射装置中的应用 被引量：5

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作者 付炜 陈晓东 《航空兵器》 2004年第4期34-35,38,共3页

从国军标对发控系统电源电路的设计要求入手 ,详细地介绍了瞬态电压抑制二极管 (TransientVoltageSuppressorDiode ,TVS)器件的基本工作原理 ,并通过计算和试验验证了其在发射装置电源电路上所起的作用 。

关键词 发射装置 电源特性 尖峰电压 瞬态电压抑制二极管 tvs器件 导弹

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工艺参数对低压TVS器件耐压的影响 被引量：1

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作者 陈天 谷健 郑娥 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期106-111,共6页

目前低压瞬间电压抑制(TVS)二极管工艺参数的研究还不够深入。从深p型(DP)基区杂质浓度、杂质注入能量及基区尺寸控制三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响。当DP注入剂量小于6.0×1014cm-2时,pn结以雪崩击穿为主,耐压大于6 V... 目前低压瞬间电压抑制(TVS)二极管工艺参数的研究还不够深入。从深p型(DP)基区杂质浓度、杂质注入能量及基区尺寸控制三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响。当DP注入剂量小于6.0×1014cm-2时,pn结以雪崩击穿为主,耐压大于6 V。DP注入能量在50 ke V以下与高浓度n+区复合形成的pn结雪崩击穿耐压大于6 V;当控制基区尺寸使n+集电区与DP基区的间距大于1.2μm时击穿电压保持为7 V,但是随着n+与DP基区的间距增加,电流导通路径受到挤压变窄,在相同的反向测试电流下,器件耐压略有提升。通过对单向TVS工艺仿真优化,选择了关键工艺参数,并进行了工程实验,制备了兼具低电容和高抗ESD能力的TVS器件,保证了对主器件实施可靠的保护。 展开更多

关键词 瞬间电压抑制(tvs)二极管 击穿电压 工艺参数 静电放电(ESD) 齐纳击穿

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一种单向负阻TVS产品设计 被引量：1

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作者 苏海伟 《集成电路应用》 2019年第6期1-3,共3页

手机等消费电子充电电路由于充电电流、电压越来越高以及安全性和可靠性的要求,需要使用低钳位电压的浪涌防护TVS产品来满足VBUS端口保护需求。配合OVP组成保护充电IC芯片的方案中,要求TVS产品正向浪涌钳位电压和负向浪涌钳位电压均小于... 手机等消费电子充电电路由于充电电流、电压越来越高以及安全性和可靠性的要求,需要使用低钳位电压的浪涌防护TVS产品来满足VBUS端口保护需求。配合OVP组成保护充电IC芯片的方案中,要求TVS产品正向浪涌钳位电压和负向浪涌钳位电压均小于OVP瞬态耐压极限。分析单向TVS的优缺点和双向TVS保护器件封装小型化过程中出现的问题,最终通过改进背面电极,提出了带负阻特性的单向TVS器件,该结构在具有双向TVS二极管低钳位电压和低击穿电压优点的同时,又具有单向TVS二极管负向浪涌钳位电压低的优点。 展开更多

关键词 瞬态抑制二极管 tvs 钳位电压 负阻

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扩散条件对低压TVS电参数的影响

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作者 郝慧琴 《黑龙江科技信息》 2015年第20期15-15,共1页

介绍了制备平面双向瞬态电压抑制二极管(TVS)的工艺方法。通过实验给出扩散温度、扩散时间等对TVS电参数的影响。

关键词 瞬态电压抑制二极管(tvs) 扩散 击穿电压 漏电流

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天水天光半导体推出DSN-2封装系列肖特基势垒二极管

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《世界电子元器件》 2013年第8期19-19,共1页

H×8（CD0402）-TxxC—TVS阵列半导体产业在向越来越小的电了元件发展，这住便携式通信，计算机和视频没备的市场是具有很好的前景。瞬态电压抑制器阵列系列提供了在一个双向的配置从3V至36V的电压类型不等选择。芯片二极管符合JEDE... H×8（CD0402）-TxxC—TVS阵列半导体产业在向越来越小的电了元件发展，这住便携式通信，计算机和视频没备的市场是具有很好的前景。瞬态电压抑制器阵列系列提供了在一个双向的配置从3V至36V的电压类型不等选择。芯片二极管符合JEDEC标准，它们易于在标准的设备上放置和卸载。 展开更多

关键词 肖特基势垒二极管 光半导体 瞬态电压抑制器 JEDEC标准 封装 天水 半导体产业 tvs

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空空导弹发射装置电源特性设计 被引量：1

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作者 王大明 聂玉林 赵月琴 《航空兵器》 2010年第3期53-56,共4页

针对军用产品大多需满足GJB181的要求,本文对军用装备电源特性设计进行研究。结合某型发射装置产品,详细论述了军用装备在耐电压尖峰、耐过电压浪涌、耐欠电压浪涌以及耐瞬时断电等方面的设计原则和方法。这些方法在某型发射装置中得到... 针对军用产品大多需满足GJB181的要求,本文对军用装备电源特性设计进行研究。结合某型发射装置产品,详细论述了军用装备在耐电压尖峰、耐过电压浪涌、耐欠电压浪涌以及耐瞬时断电等方面的设计原则和方法。这些方法在某型发射装置中得到应用,取得良好的效果。 展开更多

关键词 发射装置 电源特性 GJB181 瞬态电压抑制二极管(tvs)

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