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双极型运算放大器瞬时电离辐射效应实验研究被引量：3: 1; 作者马强范如玉 +6 位作者陈伟林东生杨善潮金晓明龚建成王桂珍齐超《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期1064-1069,共6页; 建立了运算放大器瞬时电离辐射效应在线测试系统,选取不同带宽、不同压摆率的3种双极型运算放大器,在西北核技术研究所的"强光一号"加速器上进行了实验。结果显示,在相同剂量率下,双极运算放大器的带宽越大、压摆率越高,其输... 展开更多; 关键词双极型运算放大器压摆率瞬时电离辐射效应强光一号; 在线阅读下载PDF 职称材料

可编程器件的瞬时电离辐射效应及加固技术研究被引量：4: 2; 作者杜川华许献国 +1 位作者赵海霖赵洪超《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期369-374,共6页; 概述了国内外瞬时电离辐射效应的研究历程。针对空间电子学系统常用的两种类型可编程器件(32位微控制器和反熔丝FPGA),分别研制了辐照试验长线动态测试系统,在"强光一号"脉冲加速器上开展了γ瞬时电离辐照试验。试验数据表明... 展开更多; 关键词可编程器件瞬时电离辐射效应 32位微控制器反熔丝FPGA; 在线阅读下载PDF 职称材料

反熔丝FPGA电路瞬时电离辐射效应及加固设计被引量：2: 3; 作者杜川华詹峻岭 +1 位作者许献国袁国火《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第11期1247-1250,共4页; 针对反熔丝FPGA电路,在"强光一号"加速器上进行了瞬时电离辐射试验,发现γ射线瞬时电离辐射会导致FPGA内部寄存器清零,使FPGA运行状态被初始化。为了解决该问题,设计了一种"FPGA+FRAM(铁电存储器)+特殊时序读写软件"... 展开更多; 关键词反熔丝现场可编程门阵列 Γ射线瞬时电离辐射效应铁电存储器信息保存与恢复; 在线阅读下载PDF 职称材料

低压差线性稳压器瞬时电离辐射试验方法被引量：1: 4; 作者杨力宏姚和平 +3 位作者刘智赵光炜刘娜时应璇《太赫兹科学与电子信息学报》 2017年第1期129-133,共5页; 在核爆环境下,要求低压差线性稳压器(LDO)的输出电压能够快速恢复。本文定性分析了瞬时电离辐射后LDO的输出电压恢复时间与负载电阻的关系;在"强光一号"加速器上开展了相应的瞬时电离辐射效应试验研究。对比分析不同负载条件... 展开更多; 关键词低压差线性稳压器瞬时电离辐射效应恢复时间; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名双极型运算放大器瞬时电离辐射效应实验研究被引量：3: 1; 作者马强范如玉陈伟林东生杨善潮金晓明龚建成王桂珍齐超; 机构西北核技术研究所; 出处《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期1064-1069,共6页; 文摘建立了运算放大器瞬时电离辐射效应在线测试系统,选取不同带宽、不同压摆率的3种双极型运算放大器,在西北核技术研究所的"强光一号"加速器上进行了实验。结果显示,在相同剂量率下,双极运算放大器的带宽越大、压摆率越高,其输出端口瞬时电离辐射恢复时间越短。分析表明,对于具有内补偿电容的双极运算放大器,其压摆率与补偿电容有关;补偿电容越小,压摆率越大,运算放大器输出端口瞬时电离辐射扰动的恢复时间越短。; 关键词双极型运算放大器压摆率瞬时电离辐射效应强光一号; Keywords bipolar operational amplifier slew rate transient ionizing radiation effect Qiangguang-Ⅰ; 分类号 TN431 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN792 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名可编程器件的瞬时电离辐射效应及加固技术研究被引量：4: 2; 作者杜川华许献国赵海霖赵洪超; 机构中国工程物理研究院电子工程研究所; 出处《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期369-374,共6页; 文摘概述了国内外瞬时电离辐射效应的研究历程。针对空间电子学系统常用的两种类型可编程器件(32位微控制器和反熔丝FPGA),分别研制了辐照试验长线动态测试系统,在"强光一号"脉冲加速器上开展了γ瞬时电离辐照试验。试验数据表明:32位微控制器的瞬时电离辐射效应表现为复位重启和闭锁,闭锁阈值为6×107Gy/Si.s,反熔丝FPGA的瞬时电离辐射效应表现为瞬时扰动和复位重启,二者的工作电流都随着剂量率的增加而升高。分析了两种可编程器件的瞬时电离辐射损伤机理,提出了一种"瞬时回避+数据备份与恢复"的抗瞬时电离辐射的电路设计加固方法。; 关键词可编程器件瞬时电离辐射效应 32位微控制器反熔丝FPGA; Keywords programmed device transient ionizing radiation effects 32 bit Microeontroller anti - fuse FPGA; 分类号 O536 [理学—等离子体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名反熔丝FPGA电路瞬时电离辐射效应及加固设计被引量：2: 3; 作者杜川华詹峻岭许献国袁国火; 机构中国工程物理研究院电子工程研究所; 出处《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第11期1247-1250,共4页; 文摘针对反熔丝FPGA电路,在"强光一号"加速器上进行了瞬时电离辐射试验,发现γ射线瞬时电离辐射会导致FPGA内部寄存器清零,使FPGA运行状态被初始化。为了解决该问题,设计了一种"FPGA+FRAM(铁电存储器)+特殊时序读写软件"的加固电路,通过γ射线瞬时电离辐射试验证明:该加固电路实现了瞬时电离辐射状态下FPGA内部重要数据的实时保存与恢复,成功规避了FPGA电路的瞬时电离辐射效应。; 关键词反熔丝现场可编程门阵列 Γ射线瞬时电离辐射效应铁电存储器信息保存与恢复; Keywords antifuse - based FPGA γ - ray transient ionizing radiation effects FRAM information saving and resume; 分类号 TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名低压差线性稳压器瞬时电离辐射试验方法被引量：1: 4; 作者杨力宏姚和平刘智赵光炜刘娜时应璇; 机构西安微电子技术研究所集成电路设计事业部; 出处《太赫兹科学与电子信息学报》 2017年第1期129-133,共5页; 基金装备预先研究资助项目(51311050301); 文摘在核爆环境下,要求低压差线性稳压器(LDO)的输出电压能够快速恢复。本文定性分析了瞬时电离辐射后LDO的输出电压恢复时间与负载电阻的关系;在"强光一号"加速器上开展了相应的瞬时电离辐射效应试验研究。对比分析不同负载条件下的输出电压恢复时间,发现两者密切相关,通过合理调整输出负载电阻值,可以有效地减小瞬时电离辐射后电路的恢复时间。辐射试验结果表明,经过瞬时电离剂量率为1.0×10^(11 rad(Si)/s辐照后,采用适当负载的LDO的输出电压恢复时间可小于100μs。; 关键词低压差线性稳压器瞬时电离辐射效应恢复时间; Keywords Low Dropout Regulators transient ionizing radiation effect recovery time; 分类号 TM44 [电气工程—电器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	双极型运算放大器瞬时电离辐射效应实验研究	马强范如玉陈伟林东生杨善潮金晓明龚建成王桂珍齐超	《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2013	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	可编程器件的瞬时电离辐射效应及加固技术研究	杜川华许献国赵海霖赵洪超	《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心	2014	4	在线阅读下载PDF 职称材料
3	反熔丝FPGA电路瞬时电离辐射效应及加固设计	杜川华詹峻岭许献国袁国火	《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心	2012	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	低压差线性稳压器瞬时电离辐射试验方法	杨力宏姚和平刘智赵光炜刘娜时应璇	《太赫兹科学与电子信息学报》	2017	1	在线阅读下载PDF 职称材料