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瞬时电离辐射剂量率对BiMOS运放输出扰动时间的影响 被引量：7
1
作者 马强 林东生 +5 位作者 范如玉 陈伟 杨善潮 龚建成 王桂珍 齐超 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第B09期545-549,共5页
对两种不同类型BiMOS运算放大器(JFET-Bi,PMOS-Bi)γ瞬时电离辐射效应进行研究。结果显示,BiMOS运放瞬时辐射扰动时间随剂量率变化呈现出一定的规律性,在剂量率较低情况下扰动时间随剂量率指数增长,剂量率较高时,扰动时间呈现出饱和特... 对两种不同类型BiMOS运算放大器(JFET-Bi,PMOS-Bi)γ瞬时电离辐射效应进行研究。结果显示,BiMOS运放瞬时辐射扰动时间随剂量率变化呈现出一定的规律性,在剂量率较低情况下扰动时间随剂量率指数增长,剂量率较高时,扰动时间呈现出饱和特性。另外,输入信号不同,输出扰动时间随剂量率的变化也会有差异。 展开更多
关键词 BIMOS 集成运算放大器 γ瞬时电离辐射 扰动时间 剂量率
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CMOS工艺微控制器瞬时电离辐射效应实验研究 被引量：5
2
作者 金晓明 范如玉 +4 位作者 陈伟 王桂珍 林东生 杨善潮 白小燕 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1487-1492,共6页
利用CMOS工艺微控制器的实验测试系统,在"强光一号"加速器上进行了瞬时剂量率效应实验。实验研究采用的γ脉冲宽度为20ns,剂量率(以Si原子计)为6.7×106～2.0×108Gy/s。在不同的剂量率水平下观察到了扰动和闭锁效应... 利用CMOS工艺微控制器的实验测试系统,在"强光一号"加速器上进行了瞬时剂量率效应实验。实验研究采用的γ脉冲宽度为20ns,剂量率(以Si原子计)为6.7×106～2.0×108Gy/s。在不同的剂量率水平下观察到了扰动和闭锁效应,获得了微控制器的闭锁阈值,分析了扰动时间、系统功耗电流与剂量率间的关系。瞬时电离辐射在CMOS工艺电路的PN结中产生光电流,导致了电学和功能参数的退化。 展开更多
关键词 瞬时电离辐射 微控制器 扰动 闭锁 闭锁阈值
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基于辐射回避的SRAM型FPGA瞬时电离辐射效应测试系统研制 被引量：3
3
作者 齐超 林东生 +3 位作者 陈伟 杨善潮 王桂珍 龚建成 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第B09期598-601,共4页
介绍了瞬时电离辐射环境中SRAM型FPGA配置存储器测试的实现方法,提出了将辐射回避应用于FPGA瞬时电离辐射效应测试的方法,设计了可辐射回避的在线测试系统,并对FPGA进行了瞬时电离辐射效应实验。结果表明,测试系统能准确、可靠地进行配... 介绍了瞬时电离辐射环境中SRAM型FPGA配置存储器测试的实现方法,提出了将辐射回避应用于FPGA瞬时电离辐射效应测试的方法,设计了可辐射回避的在线测试系统,并对FPGA进行了瞬时电离辐射效应实验。结果表明,测试系统能准确、可靠地进行配置存储器测试,辐射回避是实现大规模集成电路瞬时电离辐射效应测试的有效手段。 展开更多
关键词 SRAM型FPGA 瞬时电离辐射 辐射回避 测试系统
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双极型运算放大器瞬时电离辐射效应实验研究 被引量：3
4
作者 马强 范如玉 +6 位作者 陈伟 林东生 杨善潮 金晓明 龚建成 王桂珍 齐超 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期1064-1069,共6页
建立了运算放大器瞬时电离辐射效应在线测试系统,选取不同带宽、不同压摆率的3种双极型运算放大器,在西北核技术研究所的"强光一号"加速器上进行了实验。结果显示,在相同剂量率下,双极运算放大器的带宽越大、压摆率越高,其输... 建立了运算放大器瞬时电离辐射效应在线测试系统,选取不同带宽、不同压摆率的3种双极型运算放大器,在西北核技术研究所的"强光一号"加速器上进行了实验。结果显示,在相同剂量率下,双极运算放大器的带宽越大、压摆率越高,其输出端口瞬时电离辐射恢复时间越短。分析表明,对于具有内补偿电容的双极运算放大器,其压摆率与补偿电容有关;补偿电容越小,压摆率越大,运算放大器输出端口瞬时电离辐射扰动的恢复时间越短。 展开更多
关键词 双极型运算放大器 压摆率 瞬时电离辐射效应 强光一号
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可编程器件的瞬时电离辐射效应及加固技术研究 被引量：4
5
作者 杜川华 许献国 +1 位作者 赵海霖 赵洪超 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期369-374,共6页
概述了国内外瞬时电离辐射效应的研究历程。针对空间电子学系统常用的两种类型可编程器件(32位微控制器和反熔丝FPGA),分别研制了辐照试验长线动态测试系统,在"强光一号"脉冲加速器上开展了γ瞬时电离辐照试验。试验数据表明... 概述了国内外瞬时电离辐射效应的研究历程。针对空间电子学系统常用的两种类型可编程器件(32位微控制器和反熔丝FPGA),分别研制了辐照试验长线动态测试系统,在"强光一号"脉冲加速器上开展了γ瞬时电离辐照试验。试验数据表明:32位微控制器的瞬时电离辐射效应表现为复位重启和闭锁,闭锁阈值为6×107Gy/Si.s,反熔丝FPGA的瞬时电离辐射效应表现为瞬时扰动和复位重启,二者的工作电流都随着剂量率的增加而升高。分析了两种可编程器件的瞬时电离辐射损伤机理,提出了一种"瞬时回避+数据备份与恢复"的抗瞬时电离辐射的电路设计加固方法。 展开更多
关键词 可编程器件 瞬时电离辐射效应 32位微控制器 反熔丝FPGA
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基于正交设计的BiMOS运算放大器瞬时电离辐射效应影响因素分析 被引量：2
6
作者 马强 林东生 +5 位作者 金晓明 陈伟 杨善潮 李瑞宾 齐超 王桂珍 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第B09期592-597,共6页
利用正交设计法设计了实验方案,可通过较少的实验获得满意的实验结果。在"强光一号"上对BiMOS工艺运算放大器CA3140进行了瞬时电离辐射效应实验,研究了不同因素对CA3140输出端瞬时电离辐射扰动恢复时间的影响,得到不同因素对... 利用正交设计法设计了实验方案,可通过较少的实验获得满意的实验结果。在"强光一号"上对BiMOS工艺运算放大器CA3140进行了瞬时电离辐射效应实验,研究了不同因素对CA3140输出端瞬时电离辐射扰动恢复时间的影响,得到不同因素对恢复时间产生影响的主次顺序和显著水平,以及运算放大器在瞬时电离辐射环境下的最劣偏置条件。 展开更多
关键词 正交设计 瞬时电离辐射 BIMOS 最劣偏置
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反熔丝FPGA电路瞬时电离辐射效应及加固设计 被引量：2
7
作者 杜川华 詹峻岭 +1 位作者 许献国 袁国火 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第11期1247-1250,共4页
针对反熔丝FPGA电路,在"强光一号"加速器上进行了瞬时电离辐射试验,发现γ射线瞬时电离辐射会导致FPGA内部寄存器清零,使FPGA运行状态被初始化。为了解决该问题,设计了一种"FPGA+FRAM(铁电存储器)+特殊时序读写软件"... 针对反熔丝FPGA电路,在"强光一号"加速器上进行了瞬时电离辐射试验,发现γ射线瞬时电离辐射会导致FPGA内部寄存器清零,使FPGA运行状态被初始化。为了解决该问题,设计了一种"FPGA+FRAM(铁电存储器)+特殊时序读写软件"的加固电路,通过γ射线瞬时电离辐射试验证明:该加固电路实现了瞬时电离辐射状态下FPGA内部重要数据的实时保存与恢复,成功规避了FPGA电路的瞬时电离辐射效应。 展开更多
关键词 反熔丝现场可编程门阵列 Γ射线 瞬时电离辐射效应 铁电存储器 信息保存与恢复
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SRAM型FPGA瞬时电离辐射功能错误实验研究 被引量：1
8
作者 齐超 林东生 +4 位作者 陈伟 杨善潮 王桂珍 龚建成 马强 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期157-160,共4页
定性分析了SRAM型FPGA瞬时电离辐射功能错误,认为功能错误阈值与敏感配置位数无关。设计了两种敏感配置位数相差悬殊的由查找表和D触发器构成的移位寄存器链,在"强光一号"加速器上开展了FPGA瞬时电离辐射效应实验研究,对比了... 定性分析了SRAM型FPGA瞬时电离辐射功能错误,认为功能错误阈值与敏感配置位数无关。设计了两种敏感配置位数相差悬殊的由查找表和D触发器构成的移位寄存器链,在"强光一号"加速器上开展了FPGA瞬时电离辐射效应实验研究,对比了各功能输出在不同剂量率下的功能错误情况,结果未发现敏感配置位数对功能错误阈值有任何影响,验证了定性分析结论。 展开更多
关键词 瞬时电离辐射 功能错误 敏感配置位
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宽剂量率范围的集成电路瞬时电离辐射效应模拟方法研究 被引量：2
9
作者 杜川华 周开明 熊涔 《核电子学与探测技术》 北大核心 2017年第7期726-733,共8页
借助于计算机开展器件和电路辐射效应的数值模拟,已成为抗辐射加固电路设计、制造和辐射性能预测、评估的重要环节。文章深入研究了国际上先进的光电流模型,提出了一种适用于较宽剂量率范围的集成电路瞬时电离辐射效应模拟方法。针对一... 借助于计算机开展器件和电路辐射效应的数值模拟,已成为抗辐射加固电路设计、制造和辐射性能预测、评估的重要环节。文章深入研究了国际上先进的光电流模型,提出了一种适用于较宽剂量率范围的集成电路瞬时电离辐射效应模拟方法。针对一种CMOS电压反馈型运算放大器,建立了器件和整体电路的瞬时电离辐射效应SPICE模型,采用MATLAB和HSPICE相结合的方法计算了电路在多种约束条件下(电路设计参数、辐射条件等)的瞬时电离辐射响应(瞬态峰值电平和恢复时间)。本研究为其他类型CMOS集成电路在较宽剂量率范围下的瞬时电离辐射效应建模和仿真提供了参考。 展开更多
关键词 剂量率 瞬时电离辐射 运算放大器 电路仿真 器件模型 瞬态光电流
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瞬时电离辐射敏感开关设计及效应分析
10
作者 李瑞宾 陈伟 +4 位作者 王桂珍 林东生 齐超 白小燕 杨善潮 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第S1期712-716,共5页
采用瞬时辐射敏感开关可避免电子器件在瞬时电离辐射环境下发生闩锁而失效或损毁。性能较好的开关须满足灵敏度高、抗辐射、抗干扰、驱动能力强等要求。本工作在RC延时电路的基础上设计了放电型和充电型两种辐射敏感开关,并通过瞬时电... 采用瞬时辐射敏感开关可避免电子器件在瞬时电离辐射环境下发生闩锁而失效或损毁。性能较好的开关须满足灵敏度高、抗辐射、抗干扰、驱动能力强等要求。本工作在RC延时电路的基础上设计了放电型和充电型两种辐射敏感开关,并通过瞬时电离辐射实验对两种开关的敏感度、关断时间稳定度、抗干扰能力进行了测试。结果表明,放电型开关的关断时间稳定度和抗干扰能力不及充电型开关,且探测单元采用晶闸管较采用二极管或三极管综合性能好;充电型开关更适合用于多次脉冲辐射环境,但开关中的缓冲单元输入端不能含有静电保护电路,否则影响开关关断时间。 展开更多
关键词 瞬时电离辐射 开关 闩锁
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