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二维材料及其异质结构中载流子动力学过程研究进展
被引量：
1
1
作者
何大伟
赵辉
王永生
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第7期1273-1286,共14页
二维材料及其异质结构由于其独特的结构和优异的光电性能,有望成为下一代光电子技术的核心材料。光生载流子的动力学性质对这些材料的光电性能具有重要的影响。本文综述了近年来对这些材料中光生载流子动力学过程的研究进展。在时域动...
二维材料及其异质结构由于其独特的结构和优异的光电性能,有望成为下一代光电子技术的核心材料。光生载流子的动力学性质对这些材料的光电性能具有重要的影响。本文综述了近年来对这些材料中光生载流子动力学过程的研究进展。在时域动力学方面,介绍了利用基于超快激光的瞬态吸收光谱技术所揭示的二维材料中的载流子热化、能量弛豫、激子形成、激子-激子湮灭、以及激子复合等物理过程。在空域动力学方面,讨论了利用具有高空间分辨率的瞬态吸收显微技术来研究光生载流子在二维材料平面内的输运过程。在此基础上,进一步讨论了二维材料异质结构中的电荷及能量在层间转移的过程。
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关键词
二
维
材料
瞬
态
吸收
载流子
动力学
超快激光
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职称材料
一种具有高电流能力的雪崩触发栅控晶闸管
2
作者
孙新淇
杨禹霄
+4 位作者
邓时雨
陈资文
刘超
孙瑞泽
陈万军
《太赫兹科学与电子信息学报》
2025年第4期346-352,共7页
提出一种新的利用雪崩触发的MOS控制晶闸管(AT-MCT),在电容脉冲放电中实现了高电流峰值、高电流上升能力(di/dt)及非工作状态的非激活保护功能。器件结构包含P-body中的高掺杂雪崩层(N-AL)以及阴极区域和MOS结构分离的N+。当施加栅极电...
提出一种新的利用雪崩触发的MOS控制晶闸管(AT-MCT),在电容脉冲放电中实现了高电流峰值、高电流上升能力(di/dt)及非工作状态的非激活保护功能。器件结构包含P-body中的高掺杂雪崩层(N-AL)以及阴极区域和MOS结构分离的N+。当施加栅极电压时,MOS产生的沟道将N-drift电势转移至N-AL中,高掺杂N-AL中由于电场尖峰而发生雪崩,产生的电子-空穴对作为晶闸管的基极电流使AT-MCT快速建立自反馈机制;同时,由于雪崩建立的正反馈过程大大改善了瞬态载流子二维传输效应,增加了瞬态开启过程中元胞的有效导通区域,从而实现更加高效的能量转化。AT-MCT相比于阴极短路的MCT(CS-MCT),电流峰值提高了40%,di/dt能力提升了31%。此外,通过对N-AL掺杂浓度的设计,可实现在非工作状态下的非激活保护功能,提升脉冲功率系统的可靠性。
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关键词
雪崩
电流峰值
高电流上升能力(di/dt)
瞬态载流子二维传输效应
非激活保护
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职称材料
题名
二维材料及其异质结构中载流子动力学过程研究进展
被引量：
1
1
作者
何大伟
赵辉
王永生
机构
北京交通大学物理科学与工程学院光电子技术研究所
美国堪萨斯大学物理与天文学系
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第7期1273-1286,共14页
基金
国家自然科学基金(61975007,61875236)
北京市自然科学基金(Z190006)。
文摘
二维材料及其异质结构由于其独特的结构和优异的光电性能,有望成为下一代光电子技术的核心材料。光生载流子的动力学性质对这些材料的光电性能具有重要的影响。本文综述了近年来对这些材料中光生载流子动力学过程的研究进展。在时域动力学方面,介绍了利用基于超快激光的瞬态吸收光谱技术所揭示的二维材料中的载流子热化、能量弛豫、激子形成、激子-激子湮灭、以及激子复合等物理过程。在空域动力学方面,讨论了利用具有高空间分辨率的瞬态吸收显微技术来研究光生载流子在二维材料平面内的输运过程。在此基础上,进一步讨论了二维材料异质结构中的电荷及能量在层间转移的过程。
关键词
二
维
材料
瞬
态
吸收
载流子
动力学
超快激光
Keywords
two-dimensional material
transient absorption
carrier dynamics
ultrafast laser
分类号
O482.31 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
一种具有高电流能力的雪崩触发栅控晶闸管
2
作者
孙新淇
杨禹霄
邓时雨
陈资文
刘超
孙瑞泽
陈万军
机构
电子科技大学集成电路科学与工程学院
出处
《太赫兹科学与电子信息学报》
2025年第4期346-352,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(U21A20499,62334003)。
文摘
提出一种新的利用雪崩触发的MOS控制晶闸管(AT-MCT),在电容脉冲放电中实现了高电流峰值、高电流上升能力(di/dt)及非工作状态的非激活保护功能。器件结构包含P-body中的高掺杂雪崩层(N-AL)以及阴极区域和MOS结构分离的N+。当施加栅极电压时,MOS产生的沟道将N-drift电势转移至N-AL中,高掺杂N-AL中由于电场尖峰而发生雪崩,产生的电子-空穴对作为晶闸管的基极电流使AT-MCT快速建立自反馈机制;同时,由于雪崩建立的正反馈过程大大改善了瞬态载流子二维传输效应,增加了瞬态开启过程中元胞的有效导通区域,从而实现更加高效的能量转化。AT-MCT相比于阴极短路的MCT(CS-MCT),电流峰值提高了40%,di/dt能力提升了31%。此外,通过对N-AL掺杂浓度的设计,可实现在非工作状态下的非激活保护功能,提升脉冲功率系统的可靠性。
关键词
雪崩
电流峰值
高电流上升能力(di/dt)
瞬态载流子二维传输效应
非激活保护
Keywords
avalanche
current peak
di/dt capability
transient carrier 2D transport effect
non-activation protection
分类号
TN335 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
二维材料及其异质结构中载流子动力学过程研究进展
何大伟
赵辉
王永生
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023
1
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职称材料
2
一种具有高电流能力的雪崩触发栅控晶闸管
孙新淇
杨禹霄
邓时雨
陈资文
刘超
孙瑞泽
陈万军
《太赫兹科学与电子信息学报》
2025
0
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职称材料
已选择
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