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FAN算法在瞬态电流测试产生中的应用被引量：8: 1; 作者魏小芬邝继顺《同济大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第10期1239-1243,共5页; 在不考虑冒险的情况下 ,对于CMOS电路中的开路故障 ,探讨了利用FAN算法进行瞬态电流测试产生的可能性 .定义了三种不同的D前沿 ,并将测试产生分为激活故障、使无故障电路和故障电路的瞬态电流差别最大化、减少旁路的影响三个部分 .实验... 展开更多; 关键词 CMOS电路开路故障测试产生瞬态电流测试 D前沿数字集成电路 FAN算法; 在线阅读下载PDF 职称材料

用全速电流测试检测AT89C51微处理器的实验研究: 2; 作者荀庆来邝继顺闵应骅《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2007年第3期479-486,共8页; 全速电流测试是一种新的电路测试方法,现以AT89C51微处理器为例,说明用全速电流测试进行微处理器测试的可能性.在实验中,让微处理器重复执行选定的指令序列,以普通的万用数字电流表测量微处理器消耗的平均电流,并给出了指令序列的产生方... 展开更多; 关键词全速电流测试瞬态电流测试微处理器测试指令序列; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种压缩向量对测试集的新方法: 3; 作者章毓杰邝继顺《科学技术与工程》 2006年第11期1486-1491,共6页; 通过施加一个测试向量对,瞬态电流测试可以检测出CMOS数字电路中的某些故障,这些故障通常(例如开路故障)不能被传统的电压测试和稳态电流测试有效地检测出来。研究如何有效地压缩向量对测试集与通常的测试向量压缩一样,意义十分重要,但... 展开更多; 关键词瞬态电流测试测试集开路故障游程编码压缩解码; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种克服工艺参数影响的I_(DDT)方法: 4; 作者盛艳邝继顺董玮炜《科学技术与工程》 2006年第17期2653-2656,共4页; 在瞬态电流测试中,即使是同一设计的芯片,由于制作工艺参数的不稳定性,在输入相同的测试向量对时,会产生不同的瞬态电流,这就可能减小故障电路和无故障电路瞬态电流的差别,导致不能对电路是否有故障做出正确的判断。参考稳态电流测试中... 展开更多; 关键词 CMOS电路瞬态电流测试 PSPICE模拟工艺参数; 在线阅读下载PDF 职称材料

AlGaN/GaN功率器件缓冲层陷阱的分析方法: 5; 作者邓小社梁亚楠 +4 位作者贾利芳樊中朝何志张韵张大成《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第9期649-657,共9页; 由于AlGaN/GaN异质结界面极化效应产生的高浓度和高迁移率的二维电子气(2DEG),使AlGaN/GaN器件在电子器件领域具有显著的应用优势。AlGaN/GaN器件存在的电流崩塌现象限制了器件的实际应用。缓冲层陷阱是导致电流崩塌现象的重要原因之一... 展开更多; 关键词 AL GA N/Ga N 缓冲层陷阱能级电容瞬态测试电流瞬态测试; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名FAN算法在瞬态电流测试产生中的应用被引量：8: 1; 作者魏小芬邝继顺; 机构湖南大学计算机与通信学院; 出处《同济大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第10期1239-1243,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目 ( 6 0 1730 42 ); 文摘在不考虑冒险的情况下 ,对于CMOS电路中的开路故障 ,探讨了利用FAN算法进行瞬态电流测试产生的可能性 .定义了三种不同的D前沿 ,并将测试产生分为激活故障、使无故障电路和故障电路的瞬态电流差别最大化、减少旁路的影响三个部分 .实验结果说明 ,在不考虑冒险的情况下 ,将FAN算法应用于瞬态电流测试产生是可行的 .; 关键词 CMOS电路开路故障测试产生瞬态电流测试 D前沿数字集成电路 FAN算法; Keywords CMOS circuits stuck-open fault test generation transient current testing D-front; 分类号 TN432.07 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用全速电流测试检测AT89C51微处理器的实验研究: 2; 作者荀庆来邝继顺闵应骅; 机构湖南大学计算机与通信学院中国科学院计算技术研究所; 出处《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2007年第3期479-486,共8页; 基金国家自然科学基金项目(60173042); 文摘全速电流测试是一种新的电路测试方法,现以AT89C51微处理器为例,说明用全速电流测试进行微处理器测试的可能性.在实验中,让微处理器重复执行选定的指令序列,以普通的万用数字电流表测量微处理器消耗的平均电流,并给出了指令序列的产生方法.实验结果表明,用全速电流测试在指令级对AT89C51微处理器进行测试是可行的.通过测试所有的数据通路,不但可以检测数据通路的故障,而且可以检测由于控制错误而引起的数据传送错误.; 关键词全速电流测试瞬态电流测试微处理器测试指令序列; Keywords at-speed current testing dynamic current testing microprocessor testing instruction sequence; 分类号 TP391.7 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种压缩向量对测试集的新方法: 3; 作者章毓杰邝继顺; 机构湖南大学计算机与通信学院; 出处《科学技术与工程》 2006年第11期1486-1491,共6页; 基金国家自然科学基金(60173042)资助; 文摘通过施加一个测试向量对,瞬态电流测试可以检测出CMOS数字电路中的某些故障,这些故障通常(例如开路故障)不能被传统的电压测试和稳态电流测试有效地检测出来。研究如何有效地压缩向量对测试集与通常的测试向量压缩一样,意义十分重要,但目前人们对此研究得较少。首先使用三种现有的游程编码方法对向量对测试集进行压缩,并比较它们的压缩结果。在此基础上,提出了一种更好的压缩方法。采用新方法对几个ISCAS标准电路的开路故障向量对测试集进行压缩,实验证明压缩效果比三种游程编码方法都要好。而且,新方法的解码代价非常小,适合压缩大型电路的开路故障测试集。; 关键词瞬态电流测试测试集开路故障游程编码压缩解码; Keywords IDDT testing test setstuck-open faultrun-length coding compressiondecoding; 分类号 TP306.2 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种克服工艺参数影响的I_(DDT)方法: 4; 作者盛艳邝继顺董玮炜; 机构湖南大学计算机与通信学院; 出处《科学技术与工程》 2006年第17期2653-2656,共4页; 基金国家自然科学基金(60173042 69973016)资助; 文摘在瞬态电流测试中,即使是同一设计的芯片,由于制作工艺参数的不稳定性,在输入相同的测试向量对时,会产生不同的瞬态电流,这就可能减小故障电路和无故障电路瞬态电流的差别,导致不能对电路是否有故障做出正确的判断。参考稳态电流测试中克服工艺参数影响的方法,针对开路故障,提出了一种在瞬态电流测试中克服工艺参数影响的方法,并利用Pspice软件对这种方法进行了模拟实验。模拟结果证明,该方法是可行的。; 关键词 CMOS电路瞬态电流测试 PSPICE模拟工艺参数; Keywords CMOS circuit ,IDDT test ,Pspice simulation ,process parameters; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名AlGaN/GaN功率器件缓冲层陷阱的分析方法: 5; 作者邓小社梁亚楠贾利芳樊中朝何志张韵张大成; 机构北京大学软件与微电子学院中国科学院半导体研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第9期649-657,共9页; 文摘由于AlGaN/GaN异质结界面极化效应产生的高浓度和高迁移率的二维电子气(2DEG),使AlGaN/GaN器件在电子器件领域具有显著的应用优势。AlGaN/GaN器件存在的电流崩塌现象限制了器件的实际应用。缓冲层陷阱是导致电流崩塌现象的重要原因之一。概述了AlGaN/GaN器件缓冲层陷阱的研究方法,分析了各种方法的优缺点。重点介绍了基于电容、电流瞬态测试的方法。介绍了基于电容瞬态测试方法中的热激发的电容式深能级瞬态谱(DLTS)、光激发的开启电容恢复和光激发的深能级光谱(DLOS)方法;直接通过电流瞬态测试难以区分陷阱的位置,总结了基于此方法的不同偏压条件下的电流瞬态测试、背栅电流瞬态谱、无栅极的源-漏测试结构分析方法。电容和电流瞬态测试方法具有灵敏度高的优点,适用于缓冲层陷阱的分析,为抑制电流崩塌提供了理论指导。; 关键词 AL GA N/Ga N 缓冲层陷阱能级电容瞬态测试电流瞬态测试; Keywords A1GaN/GaN buffer layer trap level capacitance transient measurement currenttransient measurement; 分类号 TN304.26 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	FAN算法在瞬态电流测试产生中的应用	魏小芬邝继顺	《同济大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2002	8	在线阅读下载PDF 职称材料
2	用全速电流测试检测AT89C51微处理器的实验研究	荀庆来邝继顺闵应骅	《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心	2007	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	一种压缩向量对测试集的新方法	章毓杰邝继顺	《科学技术与工程》	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	一种克服工艺参数影响的I_(DDT)方法	盛艳邝继顺董玮炜	《科学技术与工程》	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	AlGaN/GaN功率器件缓冲层陷阱的分析方法	邓小社梁亚楠贾利芳樊中朝何志张韵张大成	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2016	0	在线阅读下载PDF 职称材料