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瞬态电压抑制器在快上升沿电磁脉冲作用下的瞬态响应 被引量:23
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作者 张希军 杨洁 张庆海 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期2242-2247,共6页
为了研究瞬态电压抑制器(TVS)对快上升沿电磁脉冲的响应,基于传输线脉冲(TLP)测试理论,建立了由高频脉冲发生器、同轴电缆、专用测试夹具、30dB脉冲衰减器和高性能的数字存储示波器等组成的测试系统。参考时域传输(TDT)TLP测试方法,利... 为了研究瞬态电压抑制器(TVS)对快上升沿电磁脉冲的响应,基于传输线脉冲(TLP)测试理论,建立了由高频脉冲发生器、同轴电缆、专用测试夹具、30dB脉冲衰减器和高性能的数字存储示波器等组成的测试系统。参考时域传输(TDT)TLP测试方法,利用该测试系统,对典型双极TVS器件在快上升沿电磁脉冲作用下的电流特性和电压特性进行了研究,并对试验数据进行了拟合分析。结果表明,TVS器件的箝位电压、峰值电流等参数均随着测试电压的增大而增大,且与测试电压呈线性关系;而由箝位电压决定的箝位响应时间受测试电压的影响较小。经对比分析实验结果得出,对快沿电磁脉冲,采用固定响应时间下的箝位电压来衡量TVS器件的防护性能是较为合理的。 展开更多
关键词 快上升沿电磁脉冲(FREMP) 电压抑制器(tvs) 传输线脉冲 响应 时域传输(TDT) 静电放电(ESD)
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瞬态电压抑制器的雷电通流与箝压特性测试 被引量:17
2
作者 刘洋 王建国 +3 位作者 宋志国 李冬霞 张磊 戚晓勇 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期83-85,98,共4页
为提高箝位电压和峰值脉冲电流测量的准确度,利用冲击电流发生器测试3种系列不同类型瞬态电压抑制器的雷电流通流能力、箝位电压特性和伏安特性,分析了它们与额定电压、脉冲峰值功耗及极性的关系。结果表明,TVS额定电压越高,雷电流通流... 为提高箝位电压和峰值脉冲电流测量的准确度,利用冲击电流发生器测试3种系列不同类型瞬态电压抑制器的雷电流通流能力、箝位电压特性和伏安特性,分析了它们与额定电压、脉冲峰值功耗及极性的关系。结果表明,TVS额定电压越高,雷电流通流能力越小,同样额定电压的TVS管,脉冲峰值功耗增大后通流能力并未增大,TVS管只适宜作为次级限压性防护元件。随着额定电压的升高,箝位电压逐渐增大,临界箝位系数趋于减小,低额定电压时箝位电压分散性大,高额定电压时箝位电压分散性小,选用和考虑TVS绝缘配合时应予注意。 展开更多
关键词 电压抑制 雷电流 箝位电压 击穿电压 漏电流 伏安特性
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瞬态电压抑制二极管对半导体桥换能元电爆特性影响的模拟 被引量:7
3
作者 王军 李勇 +3 位作者 卢兵 周彬 陈厚和 黄亦斌 《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第10期837-844,共8页
为了解决瞬态电压抑制二极管(TVS)用于半导体桥火工品抗静电设计的参数优化问题,采用电路模拟和试验相结合的方法,构建了电容放电发火测试电路等效模型和半导体桥PSpice电子器件模型,研究了TVS参数对半导体桥换能元电爆特性的影响。结... 为了解决瞬态电压抑制二极管(TVS)用于半导体桥火工品抗静电设计的参数优化问题,采用电路模拟和试验相结合的方法,构建了电容放电发火测试电路等效模型和半导体桥PSpice电子器件模型,研究了TVS参数对半导体桥换能元电爆特性的影响。结果表明,当钽电容等效串联电阻为288mΩ,钽电容等效串联电感为0.68μH,导线电感为40nH和回路电阻为3.3mΩ时,22μF/16V电容放电发火电路的等效电路模型和实际吻合。以阻抗-能量列表模型的方式创建的半导体桥PSpice电子器件模型模拟曲线和实际曲线吻合,且模拟电爆数据偏差小于3%。模拟和试验结果表明,TVS对半导体桥电爆性能的影响程度随着其击穿电压的升高而降低。当TVS的击穿电压在8~12V之间时,即使TVS击穿电压低于半导体桥发火电压,半导体桥仍能正常爆发,TVS击穿造成的分流导致半导体桥爆发延迟(2μs),且延迟时间随着TVS击穿电压的降低而延长。 展开更多
关键词 半导体桥(SCB) 电压抑制二极管 电爆特性
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瞬态电压抑制二极管在电路中的应用 被引量:2
4
作者 李梅素 《无线电通信技术》 北大核心 2000年第5期8-9,14,共3页
主要对瞬态电压抑制二极管作了简单介绍,并给出了一些在电路中的实例及它的选用原则。
关键词 电压抑制 二极管 电子电路
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瞬态电压抑制器 被引量:10
5
作者 陈万堂 陈红丽 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2001年第2期40-42,共3页
阐述了近几年新兴的瞬态电压抑制器的特性、有关规格参数及选用原则 ,并介绍其典型应用电路及市场前景。
关键词 电压保护 电压抑制 电子线路
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一种具有可变箝制电压的瞬时脉冲抑制装置的设计 被引量:1
6
作者 余力 周洪 +2 位作者 杨建辉 刘自立 闵礼书 《继电器》 CSCD 北大核心 2008年第9期58-63,共6页
瞬时脉冲给电网以及电力设备带来很多极坏的影响。文中提出了一种基于具有可变箝制电压的基于瞬态电压抑制器(TVS)阵列的新型瞬时脉冲抑制装置。该装置工作在220V低压电力线上,抑制与电力线电压同极性瞬时脉冲,保护连接在电力线上的各... 瞬时脉冲给电网以及电力设备带来很多极坏的影响。文中提出了一种基于具有可变箝制电压的基于瞬态电压抑制器(TVS)阵列的新型瞬时脉冲抑制装置。该装置工作在220V低压电力线上,抑制与电力线电压同极性瞬时脉冲,保护连接在电力线上的各种设备。通过结合TVS管多种击穿电压特点,一种以TVS管阵列为执行机构,以数字信号处理器(DSP)为控制器,以对电力线电压同步为基础的具有多箝制电压的新型瞬态电压抑制装置在文中提出。装置的硬件设计、基于混合数字滤波器的电压同步算法、控制算法等分别在文中介绍。最后通过仿真分析与实际测试,与基于单一箝制电压TVS管的脉冲抑制相比,得出本装置不仅能对出现在交流电波形的波峰处的尖峰脉冲电压进行抑制,而且对于交流电波形的其它处的尖峰脉冲电压也能大部分削除。 展开更多
关键词 脉冲电压抑制 tvs管阵列 可变箝制电压 同步 控制策略 混合数字滤波器
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可控型混合无功功率补偿线路TRV抑制措施
7
作者 孟凡涛 何柏娜 +5 位作者 李辉 吴硕 刘洋 代维汉 王硕 董彦辰 《南方电网技术》 北大核心 2025年第2期165-175,共11页
可控型混合无功补偿对输电线路暂态特性的影响亟待研究。与常规输电线路相比,安装可控型混合无功补偿的特高压交流输电线路断路器实际开断条件更加苛刻,对系统绝缘造成极大威胁。以特高压可控型混合无功补偿线路瞬态恢复电压最严重超标... 可控型混合无功补偿对输电线路暂态特性的影响亟待研究。与常规输电线路相比,安装可控型混合无功补偿的特高压交流输电线路断路器实际开断条件更加苛刻,对系统绝缘造成极大威胁。以特高压可控型混合无功补偿线路瞬态恢复电压最严重超标状况为研究对象,建立了特高压混合无功补偿线路单相接地故障等效模型,分析了瞬态恢复电压的影响因素,提出了可控型混合无功补偿线路瞬态恢复电压(transient recovery voltage,TRV)的抑制措施;采用等值参数集中电路理论分析与PSCAD/EMTDC仿真结合,探讨了快速联动旁路串补、断路器加装分闸电阻以及安装快速接地开关等方法对瞬态恢复电压的抑制效果以及可行性,并得到了可控型混合无功补偿线路瞬态恢复电压最佳抑制措施,研究成果可以为特高压工程建设提供实际参考。 展开更多
关键词 特高压 可控型混合无功补偿 单相接地故障 恢复电压 抑制措施
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Littelfuse推出瞬态抑制二极管阵列
8
《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期283-283,共1页
2015年3月17日,Littelfuse公司宣布推出了SLVU2.8-8系列2.8 V、30 A瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管),该产品专为保护低压CMOS设备免受ESD及雷击瞬态电压损害而设计。与市场同类解决方案相比,SLVU2.8-8系列能够为电路设计人员提供高出... 2015年3月17日,Littelfuse公司宣布推出了SLVU2.8-8系列2.8 V、30 A瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管),该产品专为保护低压CMOS设备免受ESD及雷击瞬态电压损害而设计。与市场同类解决方案相比,SLVU2.8-8系列能够为电路设计人员提供高出25%的电源处理能力,具有更高的电气安全系数。它还具有比其它解决方案低57%的电容,有助于保持信号完整性,并将数据丢失率降至最低。 展开更多
关键词 二极管阵列 抑制 低压CMOS 设计人员 信号完整性 se公司 电压 电源处理
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安森美半导体新推SOT553和SOT563微型封装集成瞬态电压保护器件系列
9
《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第8期78-79,共2页
关键词 安森美半导体公司 SOT553系列 SOT563系列 微型封装 电压保护器件 tvs
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屏蔽腔内任意高度线缆端接TVS管电路的电磁耦合时域分析 被引量:5
10
作者 叶志红 周海京 刘强 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2018年第4期1007-1011,共5页
该文基于时域有限差分(FDTD)方法和传输线方程,结合插值技术和牛顿迭代法,提出一种新的时域混合算法,能够快速模拟屏蔽腔内任意高度线缆端接瞬态电压抑制(TVS)管电路的电磁耦合问题,并实现空间电磁场与线缆和电路瞬态响应的同步计算。... 该文基于时域有限差分(FDTD)方法和传输线方程,结合插值技术和牛顿迭代法,提出一种新的时域混合算法,能够快速模拟屏蔽腔内任意高度线缆端接瞬态电压抑制(TVS)管电路的电磁耦合问题,并实现空间电磁场与线缆和电路瞬态响应的同步计算。该算法首先利用FDTD方法结合STL网格剖分技术实现屏蔽腔结构的快速建模以及腔体内空间电磁场分布的准确模拟。然后利用传输线方程结合插值技术建立腔体内线缆的场线耦合模型,结合FDTD方法,迭代求解出线缆上的电压和电流响应。对于线缆端接的TVS管电路,列写电压电流方程,采用牛顿迭代法计算得到电路端口的电压响应。通过与电磁仿真软件的计算结果进行对比,验证了所提时域混合算法的正确性。研究表明,该算法能够很好地应用于屏蔽腔内线缆端接负载的TVS管限幅防护设计。 展开更多
关键词 FDTD方法 传输线方程 牛顿迭代法 任意高度线缆 电压抑制管电路
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TVS器件在发射装置中的应用 被引量:5
11
作者 付炜 陈晓东 《航空兵器》 2004年第4期34-35,38,共3页
从国军标对发控系统电源电路的设计要求入手 ,详细地介绍了瞬态电压抑制二极管 (TransientVoltageSuppressorDiode ,TVS)器件的基本工作原理 ,并通过计算和试验验证了其在发射装置电源电路上所起的作用 。
关键词 发射装置 电源特性 尖峰电压 电压抑制二极管 tvs器件 导弹
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浪涌抑制器配合距离的动态研究 被引量:9
12
作者 王铁街 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第12期16-17,共2页
分析了压敏电阻和瞬态电压抑制器 (TVS管 )的动态特性及其组合应用原理 ,并利用波过程的理论 。
关键词 浪涌抑制 电压保护系统 浪涌保护器 电压抑制 波过程理论
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特高压GIS用磁环型阻尼母线VFTO抑制性能试验研究 被引量:1
13
作者 杨喜龙 穆双录 +4 位作者 王浩 刘卫东 李志兵 李心一 顾群 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2024年第8期77-84,共8页
GIS中的隔离开关在操作过程中由于断口重复击穿会产生特快速瞬态过电压(very fast transient overvoltage,VFTO)。VFTO幅值高、波前陡,严重威胁电气一次绝缘,并会产生电磁干扰问题。目前,实际工程中除采用带投切电阻的隔离开关抑制VFTO... GIS中的隔离开关在操作过程中由于断口重复击穿会产生特快速瞬态过电压(very fast transient overvoltage,VFTO)。VFTO幅值高、波前陡,严重威胁电气一次绝缘,并会产生电磁干扰问题。目前,实际工程中除采用带投切电阻的隔离开关抑制VFTO外,还可以采用磁环型阻尼母线对VFTO进行抑制。为了保证GIS的可靠性,磁环型阻尼母线抑制性能的优劣至关重要。为此,亟需研究提出一种在试验室进行磁环抑制效果的评定方法。文中针对磁环型阻尼母线的抑制性能,设计了专门的抑制性能试验回路,该试验回路中主要包含套管、阻尼电阻、放电间隙、磁环型阻尼母线、GIS短母线、VFTO传感器以及VFTO测量系统。该试验回路的额定电压为1100 kV,回路中的套管和母线可承受的额定工频电压为1100 kV,阻尼电阻的阻值为560Ω或1500Ω,放电间隙可以通过电极间距的调整产生不同等级的放电电压值和放电陡波,陡波上升时间可以达到30 ns。应用该试验回路在试验室进行模拟试验的方法检验磁环型阻尼母线的抑制效果,试验结果表明,该试验回路可以完成磁环型阻尼母线抑制效果的检验,可以定量地给出抑制效果的优劣。该方法可以推广到其他电压等级的GIS产品中,有助于推动实现磁环型阻尼母线的工业化设计、制造及检验。 展开更多
关键词 特高压 GIS 磁环型阻尼母线 特快速电压 抑制性能 模拟试验
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泰科电子推出PolyZen?48V过电压抑制器件
14
《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期549-549,共1页
泰科电子于2007年4月7日宣布,其受大众青睐的PolyZen?聚合物增强型精密齐纳二极管微组件叉又添新成员。高性能的ZEN132V器件现有ZEN132V 075A48LS配置,它具有13.2V齐纳钳位电压,能够防护高达48WC的连续过电压。该器件有助于保护便... 泰科电子于2007年4月7日宣布,其受大众青睐的PolyZen?聚合物增强型精密齐纳二极管微组件叉又添新成员。高性能的ZEN132V器件现有ZEN132V 075A48LS配置,它具有13.2V齐纳钳位电压,能够防护高达48WC的连续过电压。该器件有助于保护便携式电子器件壳受感应电压尖峰、瞬态电压、错误电源以及反偏压的损坏。新的PolyZen器件是一种节约成本与空间的方案, 展开更多
关键词 电压抑制 电子器件 泰科电子 齐纳二极管 电压尖峰 电压 节约成本 增强型
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聚合物ESD抑制器抑制特性的测试方法 被引量:2
15
作者 张希军 原青云 武占成 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期108-111,共4页
为了消除静电放电时产生的辐射场对静电放电抑制器测试结果的影响,基于法拉第笼的屏蔽效应、依据国际电工委员会IEC61000-4-2标准和国军标GJB911-1990,利用静电放电模拟器和静电放电电流波形测试装置等设备,测试了某型号聚合物静电放电... 为了消除静电放电时产生的辐射场对静电放电抑制器测试结果的影响,基于法拉第笼的屏蔽效应、依据国际电工委员会IEC61000-4-2标准和国军标GJB911-1990,利用静电放电模拟器和静电放电电流波形测试装置等设备,测试了某型号聚合物静电放电抑制器的抑制特性。测试结果表明,采用IEC61000-4-2标准规定的电流靶结合法拉第笼的方法,测试静电放电时通过抑制器的电流,能够保证电流波形不失真;而加在抑制器两端的电压,须使用有效带宽足够宽的电压探头配合示波器来测量,同时应尽可能消除静电放电时产生的辐射场对电压探头的影响。 展开更多
关键词 静电放电 电压抑制 模拟器 IEC标准 屏蔽效应 测试
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ESD抑制器抑制特性测试方法
16
作者 张希军 周星 +1 位作者 王书平 武占成 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2007年第S1期138-141,共4页
依据国际电工委员会IEC 61000-4-2标准和国军标GJB 911-90,用静电放电模拟器和静电放电电流波形测试装置等设备对某型号静电放电抑制器的抑制特性进行了测试.测试结果表明:采用IEC 61000-4-2标准规定的电流靶结合法拉第笼的方法测试静... 依据国际电工委员会IEC 61000-4-2标准和国军标GJB 911-90,用静电放电模拟器和静电放电电流波形测试装置等设备对某型号静电放电抑制器的抑制特性进行了测试.测试结果表明:采用IEC 61000-4-2标准规定的电流靶结合法拉第笼的方法测试静电放电时通过抑制器的电流,能够保证电流波形不失真;而加在抑制器两端的电压须使用有效带宽足够宽的电压探头配合示波器来测量,同时应尽可能消除静电放电时产生的辐射场对电压探头的影响. 展开更多
关键词 静电放电 电压抑制 模拟器 IEC标准
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一种动态自偏置的低功耗无片外电容LDO 被引量:3
17
作者 王梓淇 黄少卿 +1 位作者 肖培磊 雷晓 《现代电子技术》 2023年第11期175-180,共6页
基于0.13μm工艺设计的低功耗无片外电容LDO,文中采用动态自偏置技术使电路根据负载变化,提供不同的偏置电流,实现两级和三级结构下相互转化。电路采用Cascode Miller补偿,实现高稳定性。输出端加入过冲抑制电路,优化瞬态响应。仿真得... 基于0.13μm工艺设计的低功耗无片外电容LDO,文中采用动态自偏置技术使电路根据负载变化,提供不同的偏置电流,实现两级和三级结构下相互转化。电路采用Cascode Miller补偿,实现高稳定性。输出端加入过冲抑制电路,优化瞬态响应。仿真得到压差电压为57 mV;在-55~125℃范围内,温漂系数为27 ppm/℃;在电源电压1.2~3.3 V和负载100 nA~50 mA的变化范围内,线性调整率为0.452 mV/V,负载调整率为0.074 mV/mA。满载50 mA和电源电压1.2 V时,电源抑制比-53 dB@100 kHz,环路相位裕度大于60°。负载100 nA时静态电流2.5μA。负载瞬态响应结果展示过冲电压小于50 mV,建立时间约420 ns。此电路可调节性强,作为低功耗芯片,有着优秀的稳定性,适用于便携式产品。 展开更多
关键词 低功耗LDO 过冲抑制电路 自偏置 响应 压差电压 结构转换
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半导体桥火工品的防静电与防射频设计 被引量:1
18
作者 袁玉红 李军福 +1 位作者 周彬 黄寅生 《爆破器材》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期30-35,共6页
为提高半导体桥(SCB)火工品的防静电与防射频的双防能力,将静电加固器件瞬态电压抑制(TVS)二极管和射频加固器件负温度系数(NTC)热敏电阻同时集成入SCB火工品的结构中,并研究了上述组合器件对SCB火工品发火性能和抗电磁性能的影响规律... 为提高半导体桥(SCB)火工品的防静电与防射频的双防能力,将静电加固器件瞬态电压抑制(TVS)二极管和射频加固器件负温度系数(NTC)热敏电阻同时集成入SCB火工品的结构中,并研究了上述组合器件对SCB火工品发火性能和抗电磁性能的影响规律。结果表明:集成防护器件后,SCB火工品的安全电流从1.2 A升至1.5 A;抗静电性能满足500 pF/500Ω/25 kV条件下不发火;在22μF/16 V的电容发火条件下,集成SCB火工品的平均爆发时间较SCB火工品增加了1.77μs。因此,该组合型防护器件可以在不改变SCB发火性能的基础上有效提高SCB的抗静电和抗射频的能力。 展开更多
关键词 火工品 电磁防护 集成半导体桥 电压抑制二极管 射频加固器件 负温度系数热敏电阻
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ESD保护电路在HDMI板级信号完整性中的影响分析及其布局优化研究 被引量:2
19
作者 王淼 李嘉豪 +1 位作者 汤浩 郭亚 《现代电子技术》 北大核心 2024年第8期68-74,共7页
为了解决HDMI接入ESD保护电路后信号完整性受破坏等问题,从器件的空间布局对HDMI信号完整性影响进行研究分析,同时考虑了瞬态电压抑制(TVS)高频寄生参数的影响,搭建了ESD放电模型和TVS高频等效电路模型,并对其可靠性进行了验证。从差分... 为了解决HDMI接入ESD保护电路后信号完整性受破坏等问题,从器件的空间布局对HDMI信号完整性影响进行研究分析,同时考虑了瞬态电压抑制(TVS)高频寄生参数的影响,搭建了ESD放电模型和TVS高频等效电路模型,并对其可靠性进行了验证。从差分器件接入信号线旋转角度和彼此间错开距离研究其对信号完整性的影响,设计了25套不同夹角和4套不同错开距离的板级模型,在不同特性的传输频率下进行S参数仿真,并从中选取出垂直型、水平型、错开型三种具有代表性的空间布局模型,利用有限元仿真得到差分信号线的S参数和眼图。仿真结果表明,垂直型排布相比于其他两种典型空间布局,回波损耗平均降低了248.1%,插入损耗平均降低了20.6%,眼图的眼宽和眼高在三种空间布局中最大。研究成果为PCB静电放电保护电路分析与设计提供了布局优化指导。 展开更多
关键词 静电放电(ESD) HDMI 信号完整性 空间布局优化 电压抑制(tvs) S参数 有限元仿真
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典型ESD防护器件失效机理研究 被引量:3
20
作者 王振兴 武占成 +1 位作者 张希军 刘进 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第12期962-967,共6页
瞬态电压抑制管(TVS)是电子线路设计中常用的静电放电(ESD)防护器件,其可靠性将直接影响整个电路的安全。选取常见的TVS器件PESD5V0U1BA进行研究,通过实验和仿真分析了TVS器件的短路失效机理及其影响。研究表明,当TVS器件注入高压时,器... 瞬态电压抑制管(TVS)是电子线路设计中常用的静电放电(ESD)防护器件,其可靠性将直接影响整个电路的安全。选取常见的TVS器件PESD5V0U1BA进行研究,通过实验和仿真分析了TVS器件的短路失效机理及其影响。研究表明,当TVS器件注入高压时,器件存在缺陷的SiO2层会发生自愈性击穿。当器件的pn结发生击穿时,器件将失效。如果两个pn结都被击穿,器件的I-V曲线表现为电阻特性。当TVS器件出现损伤后,器件仍具有箝位作用,且其表现的箝位电压更低,但由于器件的漏电流发生较大的增长,将影响被保护电路的正常工作。 展开更多
关键词 电压抑制管(tvs) 失效模式 漏电流 二次击穿
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