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瞬态电压抑制二极管对半导体桥换能元电爆特性影响的模拟 被引量:7
1
作者 王军 李勇 +3 位作者 卢兵 周彬 陈厚和 黄亦斌 《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第10期837-844,共8页
为了解决瞬态电压抑制二极管(TVS)用于半导体桥火工品抗静电设计的参数优化问题,采用电路模拟和试验相结合的方法,构建了电容放电发火测试电路等效模型和半导体桥PSpice电子器件模型,研究了TVS参数对半导体桥换能元电爆特性的影响。结... 为了解决瞬态电压抑制二极管(TVS)用于半导体桥火工品抗静电设计的参数优化问题,采用电路模拟和试验相结合的方法,构建了电容放电发火测试电路等效模型和半导体桥PSpice电子器件模型,研究了TVS参数对半导体桥换能元电爆特性的影响。结果表明,当钽电容等效串联电阻为288mΩ,钽电容等效串联电感为0.68μH,导线电感为40nH和回路电阻为3.3mΩ时,22μF/16V电容放电发火电路的等效电路模型和实际吻合。以阻抗-能量列表模型的方式创建的半导体桥PSpice电子器件模型模拟曲线和实际曲线吻合,且模拟电爆数据偏差小于3%。模拟和试验结果表明,TVS对半导体桥电爆性能的影响程度随着其击穿电压的升高而降低。当TVS的击穿电压在8~12V之间时,即使TVS击穿电压低于半导体桥发火电压,半导体桥仍能正常爆发,TVS击穿造成的分流导致半导体桥爆发延迟(2μs),且延迟时间随着TVS击穿电压的降低而延长。 展开更多
关键词 半导体桥(SCB) 电压抑制二极管 电爆特性
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瞬态电压抑制二极管在电路中的应用 被引量:2
2
作者 李梅素 《无线电通信技术》 北大核心 2000年第5期8-9,14,共3页
主要对瞬态电压抑制二极管作了简单介绍,并给出了一些在电路中的实例及它的选用原则。
关键词 电压抑制 二极管 电子电路
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瞬态电压抑制器在快上升沿电磁脉冲作用下的瞬态响应 被引量:23
3
作者 张希军 杨洁 张庆海 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期2242-2247,共6页
为了研究瞬态电压抑制器(TVS)对快上升沿电磁脉冲的响应,基于传输线脉冲(TLP)测试理论,建立了由高频脉冲发生器、同轴电缆、专用测试夹具、30dB脉冲衰减器和高性能的数字存储示波器等组成的测试系统。参考时域传输(TDT)TLP测试方法,利... 为了研究瞬态电压抑制器(TVS)对快上升沿电磁脉冲的响应,基于传输线脉冲(TLP)测试理论,建立了由高频脉冲发生器、同轴电缆、专用测试夹具、30dB脉冲衰减器和高性能的数字存储示波器等组成的测试系统。参考时域传输(TDT)TLP测试方法,利用该测试系统,对典型双极TVS器件在快上升沿电磁脉冲作用下的电流特性和电压特性进行了研究,并对试验数据进行了拟合分析。结果表明,TVS器件的箝位电压、峰值电流等参数均随着测试电压的增大而增大,且与测试电压呈线性关系;而由箝位电压决定的箝位响应时间受测试电压的影响较小。经对比分析实验结果得出,对快沿电磁脉冲,采用固定响应时间下的箝位电压来衡量TVS器件的防护性能是较为合理的。 展开更多
关键词 快上升沿电磁脉冲(FREMP) 电压抑制器(tvs) 传输线脉冲 响应 时域传输(TDT) 静电放电(ESD)
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瞬态电压抑制器的雷电通流与箝压特性测试 被引量:17
4
作者 刘洋 王建国 +3 位作者 宋志国 李冬霞 张磊 戚晓勇 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期83-85,98,共4页
为提高箝位电压和峰值脉冲电流测量的准确度,利用冲击电流发生器测试3种系列不同类型瞬态电压抑制器的雷电流通流能力、箝位电压特性和伏安特性,分析了它们与额定电压、脉冲峰值功耗及极性的关系。结果表明,TVS额定电压越高,雷电流通流... 为提高箝位电压和峰值脉冲电流测量的准确度,利用冲击电流发生器测试3种系列不同类型瞬态电压抑制器的雷电流通流能力、箝位电压特性和伏安特性,分析了它们与额定电压、脉冲峰值功耗及极性的关系。结果表明,TVS额定电压越高,雷电流通流能力越小,同样额定电压的TVS管,脉冲峰值功耗增大后通流能力并未增大,TVS管只适宜作为次级限压性防护元件。随着额定电压的升高,箝位电压逐渐增大,临界箝位系数趋于减小,低额定电压时箝位电压分散性大,高额定电压时箝位电压分散性小,选用和考虑TVS绝缘配合时应予注意。 展开更多
关键词 电压抑制 雷电流 箝位电压 击穿电压 漏电流 伏安特性
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瞬态抑制二极管电磁脉冲响应建模 被引量:20
5
作者 吴启蒙 魏明 +1 位作者 张希军 樊高辉 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期799-804,共6页
针对目前浪涌保护器件性能分析方法不完善、缺乏准确数学模型的问题,提出了一种基于NARX神经网络的电磁脉冲响应时域建模方法,并给出NARX神经网络建模的理论基础及设计步骤。通过组建传输线脉冲测试平台及静电放电实验平台,对NUP2105L... 针对目前浪涌保护器件性能分析方法不完善、缺乏准确数学模型的问题,提出了一种基于NARX神经网络的电磁脉冲响应时域建模方法,并给出NARX神经网络建模的理论基础及设计步骤。通过组建传输线脉冲测试平台及静电放电实验平台,对NUP2105L型瞬态抑制二极管进行注入实验,采集输入输出实验数据并建立NARX神经网络模型。对建模效果进行分析,所建模型可以较为准确地预测输入脉冲为方波脉冲、人体金属模型及机器模型静电放电电磁脉冲时,响应电压曲线趋势、响应时间、脉冲峰值、箝位时间及箝位电压等性能指标,验证了模型的正确性。 展开更多
关键词 NARX神经网络 抑制二极管 电磁脉冲 均方误差
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瞬态电压抑制器 被引量:10
6
作者 陈万堂 陈红丽 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2001年第2期40-42,共3页
阐述了近几年新兴的瞬态电压抑制器的特性、有关规格参数及选用原则 ,并介绍其典型应用电路及市场前景。
关键词 电压保护 电压抑制 电子线路
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Littelfuse推出瞬态抑制二极管阵列
7
《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期283-283,共1页
2015年3月17日,Littelfuse公司宣布推出了SLVU2.8-8系列2.8 V、30 A瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管),该产品专为保护低压CMOS设备免受ESD及雷击瞬态电压损害而设计。与市场同类解决方案相比,SLVU2.8-8系列能够为电路设计人员提供高出... 2015年3月17日,Littelfuse公司宣布推出了SLVU2.8-8系列2.8 V、30 A瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管),该产品专为保护低压CMOS设备免受ESD及雷击瞬态电压损害而设计。与市场同类解决方案相比,SLVU2.8-8系列能够为电路设计人员提供高出25%的电源处理能力,具有更高的电气安全系数。它还具有比其它解决方案低57%的电容,有助于保持信号完整性,并将数据丢失率降至最低。 展开更多
关键词 二极管阵列 抑制 低压CMOS 设计人员 信号完整性 se公司 电压 电源处理
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Littelfuse公司推出低电容型瞬态抑制二极管阵列
8
《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第9期713-713,共1页
Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,2014年8月其推出了低电容型SP2574NUTG瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管),旨在保护高速差分数据线免受因静电放电(ESD)、电缆放电(CDE)、电气快速瞬变(EFT)和雷击感应浪涌造成的损害... Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,2014年8月其推出了低电容型SP2574NUTG瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管),旨在保护高速差分数据线免受因静电放电(ESD)、电缆放电(CDE)、电气快速瞬变(EFT)和雷击感应浪涌造成的损害。SP2574NUTG来自SP2574N系列瞬态抑制二极管阵列, 展开更多
关键词 二极管阵列 抑制 se公司 电容型 电路保护 静电放电 快速 数据线
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一种具有可变箝制电压的瞬时脉冲抑制装置的设计 被引量:1
9
作者 余力 周洪 +2 位作者 杨建辉 刘自立 闵礼书 《继电器》 CSCD 北大核心 2008年第9期58-63,共6页
瞬时脉冲给电网以及电力设备带来很多极坏的影响。文中提出了一种基于具有可变箝制电压的基于瞬态电压抑制器(TVS)阵列的新型瞬时脉冲抑制装置。该装置工作在220V低压电力线上,抑制与电力线电压同极性瞬时脉冲,保护连接在电力线上的各... 瞬时脉冲给电网以及电力设备带来很多极坏的影响。文中提出了一种基于具有可变箝制电压的基于瞬态电压抑制器(TVS)阵列的新型瞬时脉冲抑制装置。该装置工作在220V低压电力线上,抑制与电力线电压同极性瞬时脉冲,保护连接在电力线上的各种设备。通过结合TVS管多种击穿电压特点,一种以TVS管阵列为执行机构,以数字信号处理器(DSP)为控制器,以对电力线电压同步为基础的具有多箝制电压的新型瞬态电压抑制装置在文中提出。装置的硬件设计、基于混合数字滤波器的电压同步算法、控制算法等分别在文中介绍。最后通过仿真分析与实际测试,与基于单一箝制电压TVS管的脉冲抑制相比,得出本装置不仅能对出现在交流电波形的波峰处的尖峰脉冲电压进行抑制,而且对于交流电波形的其它处的尖峰脉冲电压也能大部分削除。 展开更多
关键词 脉冲电压抑制 tvs管阵列 可变箝制电压 同步 控制策略 混合数字滤波器
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可控型混合无功功率补偿线路TRV抑制措施
10
作者 孟凡涛 何柏娜 +5 位作者 李辉 吴硕 刘洋 代维汉 王硕 董彦辰 《南方电网技术》 北大核心 2025年第2期165-175,共11页
可控型混合无功补偿对输电线路暂态特性的影响亟待研究。与常规输电线路相比,安装可控型混合无功补偿的特高压交流输电线路断路器实际开断条件更加苛刻,对系统绝缘造成极大威胁。以特高压可控型混合无功补偿线路瞬态恢复电压最严重超标... 可控型混合无功补偿对输电线路暂态特性的影响亟待研究。与常规输电线路相比,安装可控型混合无功补偿的特高压交流输电线路断路器实际开断条件更加苛刻,对系统绝缘造成极大威胁。以特高压可控型混合无功补偿线路瞬态恢复电压最严重超标状况为研究对象,建立了特高压混合无功补偿线路单相接地故障等效模型,分析了瞬态恢复电压的影响因素,提出了可控型混合无功补偿线路瞬态恢复电压(transient recovery voltage,TRV)的抑制措施;采用等值参数集中电路理论分析与PSCAD/EMTDC仿真结合,探讨了快速联动旁路串补、断路器加装分闸电阻以及安装快速接地开关等方法对瞬态恢复电压的抑制效果以及可行性,并得到了可控型混合无功补偿线路瞬态恢复电压最佳抑制措施,研究成果可以为特高压工程建设提供实际参考。 展开更多
关键词 特高压 可控型混合无功补偿 单相接地故障 恢复电压 抑制措施
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安森美半导体新推SOT553和SOT563微型封装集成瞬态电压保护器件系列
11
《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第8期78-79,共2页
关键词 安森美半导体公司 SOT553系列 SOT563系列 微型封装 电压保护器件 tvs
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屏蔽腔内任意高度线缆端接TVS管电路的电磁耦合时域分析 被引量:5
12
作者 叶志红 周海京 刘强 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2018年第4期1007-1011,共5页
该文基于时域有限差分(FDTD)方法和传输线方程,结合插值技术和牛顿迭代法,提出一种新的时域混合算法,能够快速模拟屏蔽腔内任意高度线缆端接瞬态电压抑制(TVS)管电路的电磁耦合问题,并实现空间电磁场与线缆和电路瞬态响应的同步计算。... 该文基于时域有限差分(FDTD)方法和传输线方程,结合插值技术和牛顿迭代法,提出一种新的时域混合算法,能够快速模拟屏蔽腔内任意高度线缆端接瞬态电压抑制(TVS)管电路的电磁耦合问题,并实现空间电磁场与线缆和电路瞬态响应的同步计算。该算法首先利用FDTD方法结合STL网格剖分技术实现屏蔽腔结构的快速建模以及腔体内空间电磁场分布的准确模拟。然后利用传输线方程结合插值技术建立腔体内线缆的场线耦合模型,结合FDTD方法,迭代求解出线缆上的电压和电流响应。对于线缆端接的TVS管电路,列写电压电流方程,采用牛顿迭代法计算得到电路端口的电压响应。通过与电磁仿真软件的计算结果进行对比,验证了所提时域混合算法的正确性。研究表明,该算法能够很好地应用于屏蔽腔内线缆端接负载的TVS管限幅防护设计。 展开更多
关键词 FDTD方法 传输线方程 牛顿迭代法 任意高度线缆 电压抑制管电路
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TVS器件在发射装置中的应用 被引量:5
13
作者 付炜 陈晓东 《航空兵器》 2004年第4期34-35,38,共3页
从国军标对发控系统电源电路的设计要求入手 ,详细地介绍了瞬态电压抑制二极管 (TransientVoltageSuppressorDiode ,TVS)器件的基本工作原理 ,并通过计算和试验验证了其在发射装置电源电路上所起的作用 。
关键词 发射装置 电源特性 尖峰电压 电压抑制二极管 tvs器件 导弹
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浪涌抑制器配合距离的动态研究 被引量:9
14
作者 王铁街 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第12期16-17,共2页
分析了压敏电阻和瞬态电压抑制器 (TVS管 )的动态特性及其组合应用原理 ,并利用波过程的理论 。
关键词 浪涌抑制 电压保护系统 浪涌保护器 电压抑制 波过程理论
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针对车载24V系统抛负载瞬态现象的过压保护电路设计 被引量:4
15
作者 唐含涵 谭廷庆 周亚棱 《汽车技术》 北大核心 2014年第12期40-44,共5页
针对体现车载24V系统抛负载瞬态现象的测试波形,从能量吸收角度,根据测试波形的不同参数配置设计了电子设备电源输入端口过压保护电路中的关键器件,以确保电子设备的可靠运行。试验结果表明,该方法能有效指导过压保护电路的设计。
关键词 车载24V系统 抛负载现象 过压保护电路 tvs二极管 防反向二极管
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基于递归神经网络的TVS电磁脉冲响应建模 被引量:3
16
作者 纪志强 魏明 +1 位作者 吴启蒙 于毅成 《河北科技大学学报》 CAS 2015年第2期157-162,共6页
针对传输线脉冲(TLP)测试方法实施过程工作量较大、测试结果与实际情况相符程度较差的问题,提出一种基于递归神经网络建模的电磁脉冲响应预测方法。该方法基于TLP测试系统,增加机器模型静电放电和人体金属模型静电放电两类注入电磁脉冲... 针对传输线脉冲(TLP)测试方法实施过程工作量较大、测试结果与实际情况相符程度较差的问题,提出一种基于递归神经网络建模的电磁脉冲响应预测方法。该方法基于TLP测试系统,增加机器模型静电放电和人体金属模型静电放电两类注入电磁脉冲,分别建立Elman,Jordan神经网络以及它们的组合Elman-Jordan神经网络对NUP2105L型瞬态抑制二极管(TVS)进行建模,预测不同脉冲条件下TVS的响应。仿真结果表明,递归神经网络建模效果好、运算效率高。 展开更多
关键词 自动化技术应用 电磁脉冲 抑制二极管 系统辨识 递归神经网络
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工艺参数对低压TVS器件耐压的影响 被引量:1
17
作者 陈天 谷健 郑娥 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期106-111,共6页
目前低压瞬间电压抑制(TVS)二极管工艺参数的研究还不够深入。从深p型(DP)基区杂质浓度、杂质注入能量及基区尺寸控制三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响。当DP注入剂量小于6.0×1014cm-2时,pn结以雪崩击穿为主,耐压大于6 V... 目前低压瞬间电压抑制(TVS)二极管工艺参数的研究还不够深入。从深p型(DP)基区杂质浓度、杂质注入能量及基区尺寸控制三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响。当DP注入剂量小于6.0×1014cm-2时,pn结以雪崩击穿为主,耐压大于6 V。DP注入能量在50 ke V以下与高浓度n+区复合形成的pn结雪崩击穿耐压大于6 V;当控制基区尺寸使n+集电区与DP基区的间距大于1.2μm时击穿电压保持为7 V,但是随着n+与DP基区的间距增加,电流导通路径受到挤压变窄,在相同的反向测试电流下,器件耐压略有提升。通过对单向TVS工艺仿真优化,选择了关键工艺参数,并进行了工程实验,制备了兼具低电容和高抗ESD能力的TVS器件,保证了对主器件实施可靠的保护。 展开更多
关键词 电压抑制(tvs)二极管 击穿电压 工艺参数 静电放电(ESD) 齐纳击穿
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特高压GIS用磁环型阻尼母线VFTO抑制性能试验研究 被引量:1
18
作者 杨喜龙 穆双录 +4 位作者 王浩 刘卫东 李志兵 李心一 顾群 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2024年第8期77-84,共8页
GIS中的隔离开关在操作过程中由于断口重复击穿会产生特快速瞬态过电压(very fast transient overvoltage,VFTO)。VFTO幅值高、波前陡,严重威胁电气一次绝缘,并会产生电磁干扰问题。目前,实际工程中除采用带投切电阻的隔离开关抑制VFTO... GIS中的隔离开关在操作过程中由于断口重复击穿会产生特快速瞬态过电压(very fast transient overvoltage,VFTO)。VFTO幅值高、波前陡,严重威胁电气一次绝缘,并会产生电磁干扰问题。目前,实际工程中除采用带投切电阻的隔离开关抑制VFTO外,还可以采用磁环型阻尼母线对VFTO进行抑制。为了保证GIS的可靠性,磁环型阻尼母线抑制性能的优劣至关重要。为此,亟需研究提出一种在试验室进行磁环抑制效果的评定方法。文中针对磁环型阻尼母线的抑制性能,设计了专门的抑制性能试验回路,该试验回路中主要包含套管、阻尼电阻、放电间隙、磁环型阻尼母线、GIS短母线、VFTO传感器以及VFTO测量系统。该试验回路的额定电压为1100 kV,回路中的套管和母线可承受的额定工频电压为1100 kV,阻尼电阻的阻值为560Ω或1500Ω,放电间隙可以通过电极间距的调整产生不同等级的放电电压值和放电陡波,陡波上升时间可以达到30 ns。应用该试验回路在试验室进行模拟试验的方法检验磁环型阻尼母线的抑制效果,试验结果表明,该试验回路可以完成磁环型阻尼母线抑制效果的检验,可以定量地给出抑制效果的优劣。该方法可以推广到其他电压等级的GIS产品中,有助于推动实现磁环型阻尼母线的工业化设计、制造及检验。 展开更多
关键词 特高压 GIS 磁环型阻尼母线 特快速电压 抑制性能 模拟试验
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泰科电子推出PolyZen?48V过电压抑制器件
19
《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期549-549,共1页
泰科电子于2007年4月7日宣布,其受大众青睐的PolyZen?聚合物增强型精密齐纳二极管微组件叉又添新成员。高性能的ZEN132V器件现有ZEN132V 075A48LS配置,它具有13.2V齐纳钳位电压,能够防护高达48WC的连续过电压。该器件有助于保护便... 泰科电子于2007年4月7日宣布,其受大众青睐的PolyZen?聚合物增强型精密齐纳二极管微组件叉又添新成员。高性能的ZEN132V器件现有ZEN132V 075A48LS配置,它具有13.2V齐纳钳位电压,能够防护高达48WC的连续过电压。该器件有助于保护便携式电子器件壳受感应电压尖峰、瞬态电压、错误电源以及反偏压的损坏。新的PolyZen器件是一种节约成本与空间的方案, 展开更多
关键词 电压抑制 电子器件 泰科电子 齐纳二极管 电压尖峰 电压 节约成本 增强型
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英飞凌发布面向低电压应用的最新防静电二极管
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《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第8期597-597,共1页
2012年7月16日,英飞凌科技发布了一系列可用于改善静电防护性能的瞬态电压抑制(TVS)二极管。静电放电(ESD)可能对敏感的消费电子系统造成损害。全新±3.3 V双向二极管系列拥有行业领先的箝位电压和静电吸收率,可以防止电尖峰脉... 2012年7月16日,英飞凌科技发布了一系列可用于改善静电防护性能的瞬态电压抑制(TVS)二极管。静电放电(ESD)可能对敏感的消费电子系统造成损害。全新±3.3 V双向二极管系列拥有行业领先的箝位电压和静电吸收率,可以防止电尖峰脉冲对系统的音频输入端口或触屏接口电路等部位造成冲击。 展开更多
关键词 防静电 二极管 电压 应用 布面 电子系统 电压 防护性能
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