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瞬态电压抑制二极管对半导体桥换能元电爆特性影响的模拟
被引量:
7
1
作者
王军
李勇
+3 位作者
卢兵
周彬
陈厚和
黄亦斌
《含能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第10期837-844,共8页
为了解决瞬态电压抑制二极管(TVS)用于半导体桥火工品抗静电设计的参数优化问题,采用电路模拟和试验相结合的方法,构建了电容放电发火测试电路等效模型和半导体桥PSpice电子器件模型,研究了TVS参数对半导体桥换能元电爆特性的影响。结...
为了解决瞬态电压抑制二极管(TVS)用于半导体桥火工品抗静电设计的参数优化问题,采用电路模拟和试验相结合的方法,构建了电容放电发火测试电路等效模型和半导体桥PSpice电子器件模型,研究了TVS参数对半导体桥换能元电爆特性的影响。结果表明,当钽电容等效串联电阻为288mΩ,钽电容等效串联电感为0.68μH,导线电感为40nH和回路电阻为3.3mΩ时,22μF/16V电容放电发火电路的等效电路模型和实际吻合。以阻抗-能量列表模型的方式创建的半导体桥PSpice电子器件模型模拟曲线和实际曲线吻合,且模拟电爆数据偏差小于3%。模拟和试验结果表明,TVS对半导体桥电爆性能的影响程度随着其击穿电压的升高而降低。当TVS的击穿电压在8~12V之间时,即使TVS击穿电压低于半导体桥发火电压,半导体桥仍能正常爆发,TVS击穿造成的分流导致半导体桥爆发延迟(2μs),且延迟时间随着TVS击穿电压的降低而延长。
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关键词
半导体桥(SCB)
瞬态电压抑制二极管
电爆特性
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职称材料
半导体桥火工品的防静电与防射频设计
被引量:
1
2
作者
袁玉红
李军福
+1 位作者
周彬
黄寅生
《爆破器材》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第1期30-35,共6页
为提高半导体桥(SCB)火工品的防静电与防射频的双防能力,将静电加固器件瞬态电压抑制(TVS)二极管和射频加固器件负温度系数(NTC)热敏电阻同时集成入SCB火工品的结构中,并研究了上述组合器件对SCB火工品发火性能和抗电磁性能的影响规律...
为提高半导体桥(SCB)火工品的防静电与防射频的双防能力,将静电加固器件瞬态电压抑制(TVS)二极管和射频加固器件负温度系数(NTC)热敏电阻同时集成入SCB火工品的结构中,并研究了上述组合器件对SCB火工品发火性能和抗电磁性能的影响规律。结果表明:集成防护器件后,SCB火工品的安全电流从1.2 A升至1.5 A;抗静电性能满足500 pF/500Ω/25 kV条件下不发火;在22μF/16 V的电容发火条件下,集成SCB火工品的平均爆发时间较SCB火工品增加了1.77μs。因此,该组合型防护器件可以在不改变SCB发火性能的基础上有效提高SCB的抗静电和抗射频的能力。
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关键词
火工品
电磁防护
集成半导体桥
瞬态电压抑制二极管
射频加固器件
负温度系数热敏电阻
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职称材料
TVS器件在发射装置中的应用
被引量:
5
3
作者
付炜
陈晓东
《航空兵器》
2004年第4期34-35,38,共3页
从国军标对发控系统电源电路的设计要求入手 ,详细地介绍了瞬态电压抑制二极管 (TransientVoltageSuppressorDiode ,TVS)器件的基本工作原理 ,并通过计算和试验验证了其在发射装置电源电路上所起的作用 。
关键词
发射装置
电源特性
尖峰
电压
瞬态电压抑制二极管
TVS器件
导弹
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职称材料
空空导弹发射装置电源特性设计
被引量:
1
4
作者
王大明
聂玉林
赵月琴
《航空兵器》
2010年第3期53-56,共4页
针对军用产品大多需满足GJB181的要求,本文对军用装备电源特性设计进行研究。结合某型发射装置产品,详细论述了军用装备在耐电压尖峰、耐过电压浪涌、耐欠电压浪涌以及耐瞬时断电等方面的设计原则和方法。这些方法在某型发射装置中得到...
针对军用产品大多需满足GJB181的要求,本文对军用装备电源特性设计进行研究。结合某型发射装置产品,详细论述了军用装备在耐电压尖峰、耐过电压浪涌、耐欠电压浪涌以及耐瞬时断电等方面的设计原则和方法。这些方法在某型发射装置中得到应用,取得良好的效果。
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关键词
发射装置
电源特性
GJB181
瞬态电压抑制二极管
(TVS)
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职称材料
一种深度过流保护的新型Rogowski线圈研制
被引量:
1
5
作者
张璐
孙蕾
+1 位作者
刘石
邓俊
《高压电器》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第11期246-251,共6页
气体放电包含大量ns级上升沿m A级幅值的预放电电流,预放电完成后间隙击穿电流高达上kA。为了能安全、准确测量预放电电流,需研制一种新型Rogowski线圈。文中采用在自积分Rogowski线圈出口电阻两端并联贴片瞬态电压抑制二极管(transient...
气体放电包含大量ns级上升沿m A级幅值的预放电电流,预放电完成后间隙击穿电流高达上kA。为了能安全、准确测量预放电电流,需研制一种新型Rogowski线圈。文中采用在自积分Rogowski线圈出口电阻两端并联贴片瞬态电压抑制二极管(transient voltage suppressor,TVS)的方案,研制了一种带深度过电流保护功能的新型Rogowski线圈。通过大量实验,对自积分电阻和过压保护器参数进行了优化选择,结果表明:满足电流测量灵敏度时,减小积分电阻值以拓宽线圈频带,电阻最优值为10~50Ω;过压保护器响应时间必须短于待测电流上升时间;确保线圈保护峰值电流大于回路最大击穿电流时,须尽量降低TVS的杂散电容,其值不超过0.5~1 nF。测试表明:新研制的Rogowski线圈既能准确测量上升沿小于5 ns的mA级小电流,又能在通过kA级大电流时有效保护后级设备。
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关键词
ROGOWSKI线圈
纳秒脉冲
小电流
过流保护
瞬态电压抑制二极管
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职称材料
题名
瞬态电压抑制二极管对半导体桥换能元电爆特性影响的模拟
被引量:
7
1
作者
王军
李勇
卢兵
周彬
陈厚和
黄亦斌
机构
南京理工大学化工学院
中国工程物理研究院化工材料研究所
宁波振华电器有限公司
出处
《含能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第10期837-844,共8页
文摘
为了解决瞬态电压抑制二极管(TVS)用于半导体桥火工品抗静电设计的参数优化问题,采用电路模拟和试验相结合的方法,构建了电容放电发火测试电路等效模型和半导体桥PSpice电子器件模型,研究了TVS参数对半导体桥换能元电爆特性的影响。结果表明,当钽电容等效串联电阻为288mΩ,钽电容等效串联电感为0.68μH,导线电感为40nH和回路电阻为3.3mΩ时,22μF/16V电容放电发火电路的等效电路模型和实际吻合。以阻抗-能量列表模型的方式创建的半导体桥PSpice电子器件模型模拟曲线和实际曲线吻合,且模拟电爆数据偏差小于3%。模拟和试验结果表明,TVS对半导体桥电爆性能的影响程度随着其击穿电压的升高而降低。当TVS的击穿电压在8~12V之间时,即使TVS击穿电压低于半导体桥发火电压,半导体桥仍能正常爆发,TVS击穿造成的分流导致半导体桥爆发延迟(2μs),且延迟时间随着TVS击穿电压的降低而延长。
关键词
半导体桥(SCB)
瞬态电压抑制二极管
电爆特性
Keywords
semiconductor bridge initiator(SCB)
transient voltage suppression diode
electro-explosive performance
分类号
TJ45 [兵器科学与技术—火炮、自动武器与弹药工程]
O38 [理学—流体力学]
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职称材料
题名
半导体桥火工品的防静电与防射频设计
被引量:
1
2
作者
袁玉红
李军福
周彬
黄寅生
机构
南京理工大学化学与化工学院
安徽红星机电科技股份有限公司
南京军事代表局驻蚌埠地区军事代表室
出处
《爆破器材》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第1期30-35,共6页
文摘
为提高半导体桥(SCB)火工品的防静电与防射频的双防能力,将静电加固器件瞬态电压抑制(TVS)二极管和射频加固器件负温度系数(NTC)热敏电阻同时集成入SCB火工品的结构中,并研究了上述组合器件对SCB火工品发火性能和抗电磁性能的影响规律。结果表明:集成防护器件后,SCB火工品的安全电流从1.2 A升至1.5 A;抗静电性能满足500 pF/500Ω/25 kV条件下不发火;在22μF/16 V的电容发火条件下,集成SCB火工品的平均爆发时间较SCB火工品增加了1.77μs。因此,该组合型防护器件可以在不改变SCB发火性能的基础上有效提高SCB的抗静电和抗射频的能力。
关键词
火工品
电磁防护
集成半导体桥
瞬态电压抑制二极管
射频加固器件
负温度系数热敏电阻
Keywords
initiator
electromagnetic protection
integrated semiconductor bridge
transient voltage suppression diode
RF reinforced device
negative temperature coefficient thermistor
分类号
TJ45 [兵器科学与技术—火炮、自动武器与弹药工程]
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职称材料
题名
TVS器件在发射装置中的应用
被引量:
5
3
作者
付炜
陈晓东
机构
中国空空导弹研究院
出处
《航空兵器》
2004年第4期34-35,38,共3页
文摘
从国军标对发控系统电源电路的设计要求入手 ,详细地介绍了瞬态电压抑制二极管 (TransientVoltageSuppressorDiode ,TVS)器件的基本工作原理 ,并通过计算和试验验证了其在发射装置电源电路上所起的作用 。
关键词
发射装置
电源特性
尖峰
电压
瞬态电压抑制二极管
TVS器件
导弹
分类号
TJ765 [兵器科学与技术—武器系统与运用工程]
TN311 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
空空导弹发射装置电源特性设计
被引量:
1
4
作者
王大明
聂玉林
赵月琴
机构
空军驻洛阳地区军事代表室
中国空空导弹研究院
出处
《航空兵器》
2010年第3期53-56,共4页
文摘
针对军用产品大多需满足GJB181的要求,本文对军用装备电源特性设计进行研究。结合某型发射装置产品,详细论述了军用装备在耐电压尖峰、耐过电压浪涌、耐欠电压浪涌以及耐瞬时断电等方面的设计原则和方法。这些方法在某型发射装置中得到应用,取得良好的效果。
关键词
发射装置
电源特性
GJB181
瞬态电压抑制二极管
(TVS)
Keywords
launcher
electric power characteristics
GJB181
transient voltage suppresser(TVS)
分类号
TJ768 [兵器科学与技术—武器系统与运用工程]
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职称材料
题名
一种深度过流保护的新型Rogowski线圈研制
被引量:
1
5
作者
张璐
孙蕾
刘石
邓俊
机构
国网陕西省电力公司电力科学研究院
中国电建集团西北勘测设计研究院有限公司
国网浙江省电力公司电力科学研究院
出处
《高压电器》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第11期246-251,共6页
文摘
气体放电包含大量ns级上升沿m A级幅值的预放电电流,预放电完成后间隙击穿电流高达上kA。为了能安全、准确测量预放电电流,需研制一种新型Rogowski线圈。文中采用在自积分Rogowski线圈出口电阻两端并联贴片瞬态电压抑制二极管(transient voltage suppressor,TVS)的方案,研制了一种带深度过电流保护功能的新型Rogowski线圈。通过大量实验,对自积分电阻和过压保护器参数进行了优化选择,结果表明:满足电流测量灵敏度时,减小积分电阻值以拓宽线圈频带,电阻最优值为10~50Ω;过压保护器响应时间必须短于待测电流上升时间;确保线圈保护峰值电流大于回路最大击穿电流时,须尽量降低TVS的杂散电容,其值不超过0.5~1 nF。测试表明:新研制的Rogowski线圈既能准确测量上升沿小于5 ns的mA级小电流,又能在通过kA级大电流时有效保护后级设备。
关键词
ROGOWSKI线圈
纳秒脉冲
小电流
过流保护
瞬态电压抑制二极管
Keywords
Rogowski coil
nanosecond pulse
small current
overcurrent protection
transient vohage suppressor
分类号
TM55 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
瞬态电压抑制二极管对半导体桥换能元电爆特性影响的模拟
王军
李勇
卢兵
周彬
陈厚和
黄亦斌
《含能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
7
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职称材料
2
半导体桥火工品的防静电与防射频设计
袁玉红
李军福
周彬
黄寅生
《爆破器材》
CAS
CSCD
北大核心
2024
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
TVS器件在发射装置中的应用
付炜
陈晓东
《航空兵器》
2004
5
在线阅读
下载PDF
职称材料
4
空空导弹发射装置电源特性设计
王大明
聂玉林
赵月琴
《航空兵器》
2010
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
5
一种深度过流保护的新型Rogowski线圈研制
张璐
孙蕾
刘石
邓俊
《高压电器》
CAS
CSCD
北大核心
2017
1
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职称材料
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