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GaN HEMT器件热特性的电学测试法
被引量：
7
1
作者
迟雷
茹志芹
+2 位作者
童亮
黄杰
彭浩
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第3期235-240,共6页
基于JEDEC颁布的结到壳热阻瞬态热测试界面法,对测试GaN HEMT器件热特性的电学法进行了研究。通过合理的测试电路设计,有效解决了GaN HEMT器件电学法测试中的栅极保护问题和自激问题,实现了GaN HEMT器件的界面热阻测量。根据测得的热阻...
基于JEDEC颁布的结到壳热阻瞬态热测试界面法,对测试GaN HEMT器件热特性的电学法进行了研究。通过合理的测试电路设计,有效解决了GaN HEMT器件电学法测试中的栅极保护问题和自激问题,实现了GaN HEMT器件的界面热阻测量。根据测得的热阻-热容结构函数曲线可知,GaN HEMT器件结到壳热阻主要由金锡焊接工艺和管壳热特性决定。结合结构函数分析,对金锡焊接部分热阻和管壳热阻进行排序可剔除有工艺缺陷的器件。与红外热成像法的结温测试结果进行对比分析,证实了电学法测试结果的准确性。
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关键词
GaN
HEMT
电学
测试
法
热
特性
测试
瞬态热测试界面法
红外
热
成像
法
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职称材料
题名
GaN HEMT器件热特性的电学测试法
被引量：
7
1
作者
迟雷
茹志芹
童亮
黄杰
彭浩
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第3期235-240,共6页
文摘
基于JEDEC颁布的结到壳热阻瞬态热测试界面法,对测试GaN HEMT器件热特性的电学法进行了研究。通过合理的测试电路设计,有效解决了GaN HEMT器件电学法测试中的栅极保护问题和自激问题,实现了GaN HEMT器件的界面热阻测量。根据测得的热阻-热容结构函数曲线可知,GaN HEMT器件结到壳热阻主要由金锡焊接工艺和管壳热特性决定。结合结构函数分析,对金锡焊接部分热阻和管壳热阻进行排序可剔除有工艺缺陷的器件。与红外热成像法的结温测试结果进行对比分析,证实了电学法测试结果的准确性。
关键词
GaN
HEMT
电学
测试
法
热
特性
测试
瞬态热测试界面法
红外
热
成像
法
Keywords
GaN HEMT
electrical measurement method
thermal characteristics test
transient thermal testing interface method
infrared thermography method
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaN HEMT器件热特性的电学测试法
迟雷
茹志芹
童亮
黄杰
彭浩
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2017
7
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