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沟槽栅场终止型IGBT瞬态数学模型
被引量：
7
1
作者
汪波
罗毅飞
+1 位作者
刘宾礼
普靖
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2017年第12期50-57,共8页
沟槽栅场终止型代表了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的最新结构。由于沟槽栅结构与平面栅结构在基区载流子输运、栅极结电容计算等方面存在较大的不同,沿用平面栅结构的建模方法不可避免会存在较大的偏差。基于对沟槽栅场终止型IGBT结构特...
沟槽栅场终止型代表了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的最新结构。由于沟槽栅结构与平面栅结构在基区载流子输运、栅极结电容计算等方面存在较大的不同,沿用平面栅结构的建模方法不可避免会存在较大的偏差。基于对沟槽栅场终止型IGBT结构特点及模型坐标系的分析,考虑载流子二维效应将基区分成PNP和PIN两部分,根据PIN部分的沟槽栅能否被PNP部分的耗尽层覆盖分析了栅极结电容计算方法,提出一种沟槽栅场终止型IGBT瞬态数学模型,并进行仿真与实验验证。
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关键词
绝缘栅双极型晶体管
沟槽栅
瞬态数学模型
栅极结电容
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题名
沟槽栅场终止型IGBT瞬态数学模型
被引量：
7
1
作者
汪波
罗毅飞
刘宾礼
普靖
机构
海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室
出处
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2017年第12期50-57,共8页
基金
国家自然科学基金重大项目(51490681)
国家自然科学基金青年项目(51507185)资助
国家重点基础研究发展计划(973计划)(2015CB251004)
文摘
沟槽栅场终止型代表了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的最新结构。由于沟槽栅结构与平面栅结构在基区载流子输运、栅极结电容计算等方面存在较大的不同,沿用平面栅结构的建模方法不可避免会存在较大的偏差。基于对沟槽栅场终止型IGBT结构特点及模型坐标系的分析,考虑载流子二维效应将基区分成PNP和PIN两部分,根据PIN部分的沟槽栅能否被PNP部分的耗尽层覆盖分析了栅极结电容计算方法,提出一种沟槽栅场终止型IGBT瞬态数学模型,并进行仿真与实验验证。
关键词
绝缘栅双极型晶体管
沟槽栅
瞬态数学模型
栅极结电容
Keywords
Insulated gate bipolar transistor, trench gate, transient mathematical model, gate junction capacitance
分类号
TN322 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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被引量
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1
沟槽栅场终止型IGBT瞬态数学模型
汪波
罗毅飞
刘宾礼
普靖
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2017
7
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