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缺陷俘获势垒测定新方法──瞬态光霍耳谱
被引量：
2
1
作者
封松林
王海龙
+1 位作者
周洁
杨锡震
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第1期1-5,共5页
以瞬态光霍尔测量为基础，建立了直接观测俘获过程的深中心分析测试新手段．该方法不需要做肖特基结、ｐ－ｎ结、或ＭＩＳ结构，几乎可在零电场下测量缺陷参数，克服电场、德拜带尾、非指数瞬态等对缺陷特性的影响，也克服了深能级瞬态...
以瞬态光霍尔测量为基础，建立了直接观测俘获过程的深中心分析测试新手段．该方法不需要做肖特基结、ｐ－ｎ结、或ＭＩＳ结构，几乎可在零电场下测量缺陷参数，克服电场、德拜带尾、非指数瞬态等对缺陷特性的影响，也克服了深能级瞬态谱技术（ＤＬＴＳ）只能通过载流子发射过程间接测量俘获参数的缺点．用此方法测量了Ｇａ０．７Ａｌ０．
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关键词
瞬态光霍耳谱
俘获势垒
缺陷
半导体
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职称材料
题名
缺陷俘获势垒测定新方法──瞬态光霍耳谱
被引量：
2
1
作者
封松林
王海龙
周洁
杨锡震
机构
中国科学院半导体研究所
半导体超晶格国家重点实验室
曲阜师范大学物理系
北京师范大学物理系
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第1期1-5,共5页
基金
国家自然科学基金
文摘
以瞬态光霍尔测量为基础，建立了直接观测俘获过程的深中心分析测试新手段．该方法不需要做肖特基结、ｐ－ｎ结、或ＭＩＳ结构，几乎可在零电场下测量缺陷参数，克服电场、德拜带尾、非指数瞬态等对缺陷特性的影响，也克服了深能级瞬态谱技术（ＤＬＴＳ）只能通过载流子发射过程间接测量俘获参数的缺点．用此方法测量了Ｇａ０．７Ａｌ０．
关键词
瞬态光霍耳谱
俘获势垒
缺陷
半导体
Keywords
TPHS, DLTS, DX center, capture barrier.
分类号
O471.4 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
缺陷俘获势垒测定新方法──瞬态光霍耳谱
封松林
王海龙
周洁
杨锡震
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996
2
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