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铱掺杂溴化银微晶的瞬态光电导研究被引量：2: 1; 作者王巍张怀武王豪才《应用光学》 CAS CSCD 2002年第3期18-22,共5页; 研究在 77K时 ,铱掺杂溴化银微晶瞬态光电导 (TPC)的信号强度和衰减时间与铱掺杂浓度间的关系。在溴化银微晶的制备过程中 ,Ir Cl3 -6作为掺杂剂加入 ,使溴化银微晶中的部分银离子所占据的晶格位被铱离子取代 ,在溴化银晶体中同时引入... 展开更多; 关键词铱掺杂溴化银微晶瞬态光电导; 在线阅读下载PDF 职称材料

P型CuInSe_2薄膜的瞬态光电导: 2; 作者邓文荣杨文库《红外研究》 CSCD 北大核心 1990年第3期227-232,共6页; 在低温下观察到P型CuInSe_2薄膜的瞬态光电导现象,并进行了理论和实验研究。认为该现象是由陷阱引起的光电导衰减使陷阱位垒妨碍光生电子和空穴的复合,通过隧道效应实现了光生电子和空穴的复合。理论与实验结果一致。; 关键词瞬态光电导隧道效应 P-CuInSe_2薄膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

超短光脉冲作用下非晶硅的瞬态光电导: 3; 作者郭亨群叶天水曾锦川《高速摄影与光子学》 CSCD 1991年第1期77-79,共3页; 本文对制备时衬底温度不同的辉光放电沉积a-Si样品在超短光脉冲作用下的瞬态光电导进行研究,响应时间与样品缺陷态密度的关系表明a-Si中光生电流衰减的机制是缺陷态对光生载流子的俘获。与化学气相沉积a-Si和进口硅PIN快速光电探测器的... 展开更多; 关键词非晶硅瞬态光电导; 在线阅读下载PDF 职称材料

温度相关的CsPbBr_(3)纳米晶瞬态光电导响应研究: 4; 作者樊家顺夏冬林刘保顺《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第8期893-900,共8页; 近年来,全无机铯铅卤化钙钛矿CsPbX_(3)(X=Cl,Br,I)纳米晶(NCs)材料因具有长载流子寿命、强光吸收、低成本制造和带隙可调性等独特的性能已成为研究的热点,但专注于CsPbBr_(3)纳米晶瞬态光电导的相关研究却很少。本工作通过配体辅助再... 展开更多; 关键词卤化铅钙钛矿 CsPbBr_(3)纳米晶光生电流瞬态光电导载流子弛豫; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名铱掺杂溴化银微晶的瞬态光电导研究被引量：2: 1; 作者王巍张怀武王豪才; 机构电子科技大学信息功能材料学院; 出处《应用光学》 CAS CSCD 2002年第3期18-22,共5页; 文摘研究在 77K时 ,铱掺杂溴化银微晶瞬态光电导 (TPC)的信号强度和衰减时间与铱掺杂浓度间的关系。在溴化银微晶的制备过程中 ,Ir Cl3 -6作为掺杂剂加入 ,使溴化银微晶中的部分银离子所占据的晶格位被铱离子取代 ,在溴化银晶体中同时引入新的电子陷阱与空穴陷阱 ,增强了内部的电子空穴复合 ,使; 关键词铱掺杂溴化银微晶瞬态光电导; Keywords iridium doped silver bromide microcrystal transient photoconductivity (TPC); 分类号 O753.1 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名P型CuInSe_2薄膜的瞬态光电导: 2; 作者邓文荣杨文库; 机构中国科学院长春光学精密机械研究所长春光学精密机械学院; 出处《红外研究》 CSCD 北大核心 1990年第3期227-232,共6页; 文摘在低温下观察到P型CuInSe_2薄膜的瞬态光电导现象,并进行了理论和实验研究。认为该现象是由陷阱引起的光电导衰减使陷阱位垒妨碍光生电子和空穴的复合,通过隧道效应实现了光生电子和空穴的复合。理论与实验结果一致。; 关键词瞬态光电导隧道效应 P-CuInSe_2薄膜; 分类号 O484.41 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名超短光脉冲作用下非晶硅的瞬态光电导: 3; 作者郭亨群叶天水曾锦川; 机构华侨大学应用物理系; 出处《高速摄影与光子学》 CSCD 1991年第1期77-79,共3页; 基金国家自然科学基金; 文摘本文对制备时衬底温度不同的辉光放电沉积a-Si样品在超短光脉冲作用下的瞬态光电导进行研究,响应时间与样品缺陷态密度的关系表明a-Si中光生电流衰减的机制是缺陷态对光生载流子的俘获。与化学气相沉积a-Si和进口硅PIN快速光电探测器的瞬态响应实验结果的比较说明,a-Si的瞬态响应稳定性好。; 关键词非晶硅瞬态光电导; Keywords Amorphous Silicon Transient photoconductivity; 分类号 TN304.12 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名温度相关的CsPbBr_(3)纳米晶瞬态光电导响应研究: 4; 作者樊家顺夏冬林刘保顺; 机构武汉理工大学材料科学与工程学院武汉理工大学硅酸盐建筑材料国家重点实验室; 出处《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第8期893-900,共8页; 基金国家自然科学基金(51772230)。; 文摘近年来,全无机铯铅卤化钙钛矿CsPbX_(3)(X=Cl,Br,I)纳米晶(NCs)材料因具有长载流子寿命、强光吸收、低成本制造和带隙可调性等独特的性能已成为研究的热点,但专注于CsPbBr_(3)纳米晶瞬态光电导的相关研究却很少。本工作通过配体辅助再沉淀法制备了CsPbBr_(3)纳米晶体,并改进了光电导薄膜样品的制样方法和真空瞬态光电导测试装置,研究了不同温度和不同激发功率对CsPbBr_(3)纳米晶瞬态光电导的影响。不同温度的瞬态光电导实验结果表明,在133~273 K温度范围内,光生电流衰减速率随着温度增加而逐渐减小,而在273~373 K温度范围内,光生电流衰减速率随着温度升高而逐渐增大。不同激发功率的瞬态光电导实验表明,激发功率从200 mW逐渐增大到1000 mW时,光生电流衰减速率增大。本工作的研究方法为研究光激发光生载流子的动力学相关行为提供了一个的新思路。; 关键词卤化铅钙钛矿 CsPbBr_(3)纳米晶光生电流瞬态光电导载流子弛豫; Keywords lead halide perovskite CsPbBr_(3)nanocrystals photo-generated current transient photoconductivity carrier relaxation; 分类号 O644 [理学—物理化学] O649 [理学—物理化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	铱掺杂溴化银微晶的瞬态光电导研究	王巍张怀武王豪才	《应用光学》 CAS CSCD	2002	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	P型CuInSe_2薄膜的瞬态光电导	邓文荣杨文库	《红外研究》 CSCD 北大核心	1990	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	超短光脉冲作用下非晶硅的瞬态光电导	郭亨群叶天水曾锦川	《高速摄影与光子学》 CSCD	1991	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	温度相关的CsPbBr_(3)纳米晶瞬态光电导响应研究	樊家顺夏冬林刘保顺	《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料