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题名硅锗等离子体起辉的瞬态不稳定性研究
被引量：1
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作者
胡瑞丹
王光红
赵雷
王革
刁宏伟
王文静
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机构
中国科学院电工研究所
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出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第10期2491-2496,共6页
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基金
国家重点基础研究发展(973)计划(2011CBA00705)
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文摘
利用光发射谱(OES)监测技术对氢气(H_2)、硅烷(SiH_4)、锗烷(GeH_4)等离子体的起辉稳定时间进行瞬态在线原位监测,探索功率及压强对等离子体起辉稳定时间的影响规律。结果表明,功率对等离子体的起辉稳定性影响较大,即相比于较小功率,在较大功率下起辉时,等离子体需要长很多的时间才能达到稳定状态。但随着功率的增大,气压对起辉稳定性的影响逐渐变得明显。分析认为这种等离子体的起辉不稳定性主要是由硅烷(SiH_4)、锗烷(GeH_4)等气体的反扩散所造成,并进一步发现通过增加氢气流量,可有效降低SiH_4等气体的反扩散程度,缩短硅锗等离子体达稳定状态所需的时间。
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关键词
光发射谱
瞬态不稳定性
反扩散
氢气流量
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Keywords
optical emission spectroscopy
transient instability
back diffusion
flow rate of hydrogen
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分类号
O539
[理学—等离子体物理]
TN304.8
[电子电信—物理电子学]
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