现代真空电子器件技术及其应用专题征稿通知

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《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第2期I0002-I0002,共1页

真空电子器件是大功率电磁波源领域的前沿和热点问题,为满足国防、国民经济和前沿技术领域对先进大功率微波毫米波太赫兹频段电磁波源的需求,现代真空电子器件在核心技术和应用技术等方面获得持续进步,相关真空电子器件近年来在高分辨... 真空电子器件是大功率电磁波源领域的前沿和热点问题,为满足国防、国民经济和前沿技术领域对先进大功率微波毫米波太赫兹频段电磁波源的需求,现代真空电子器件在核心技术和应用技术等方面获得持续进步,相关真空电子器件近年来在高分辨率成像、电子对抗和超高速无线通信等方面受到关注和研究。现代真空电子器件在高频率、宽频带、高功率、高效率、高线性度、高可靠、小型化集成化模块化等方面取得了突破进展,可显著提升电子装备往精确探测和成像、远程作用、高传输速率、高机动应用、多功能平台等技术方向发展,牵引大型电子装备系统的革新和换代,对于雷达、对抗、通信、工业、医疗和大科学装置等系统应用具有重要的理论研究和工程应用价值。 展开更多

关键词 真空电子器件 微波毫米波 电子装备 高传输速率 电子对抗 高分辨率成像 大科学装置 高线性度

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现代真空电子器件技术及其应用专题征稿通知

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《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第1期F0002-F0002,共1页

真空电子器件是大功率电磁波源领域的前沿和热点问题,为满足国防、国民经济和前沿技术领域对先进大功率微波毫米波太赫兹频段电磁波源的需求,现代真空电子器件在核心技术和应用技术等方面获得持续进步,相关真空电子器件近年来在高分辨... 真空电子器件是大功率电磁波源领域的前沿和热点问题,为满足国防、国民经济和前沿技术领域对先进大功率微波毫米波太赫兹频段电磁波源的需求,现代真空电子器件在核心技术和应用技术等方面获得持续进步,相关真空电子器件近年来在高分辨率成像、电子对抗和超高速无线通信等方面受到关注和研究。 展开更多

关键词 真空电子器件 微波毫米波 电子对抗 高分辨率成像 超高速无线通信 太赫兹频段 电磁波 应用专题

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太赫兹真空电子器件微加工技术及后处理方法 被引量：11

3

作者 陆希成 童长江 +4 位作者 王建国 李小泽 王光强 李爽 王雪锋 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期506-516,共11页

太赫兹频段真空电子器件的尺寸很小,其加工精度和表面质量要求很高,需要采用微加工技术及其一些特殊的加工工艺。本文主要介绍了几种常用于制作太赫兹真空电子器件的微加工方法,主要讨论了微机械加工、微细电火花加工、LIG-A/UV-LIGA和D... 太赫兹频段真空电子器件的尺寸很小,其加工精度和表面质量要求很高,需要采用微加工技术及其一些特殊的加工工艺。本文主要介绍了几种常用于制作太赫兹真空电子器件的微加工方法,主要讨论了微机械加工、微细电火花加工、LIG-A/UV-LIGA和DRIE等加工技术的特点及适用范围。为了提高器件的表面质量,讨论了清洗、净化及表面化学抛光技术等后处理技术。此外,太赫兹器件的设计结构特征也会限制微加工技术的选择,由此文中分析了几种常见太赫兹真空器件的特点及其可采用的加工方法和工艺。 展开更多

关键词 太赫兹 真空电子器件 微加工技术 表面抛光

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太赫兹真空电子器件的研究现状及其发展评述 被引量：26

4

作者 王明红 薛谦忠 刘濮鲲 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2008年第7期1766-1772,共7页

太赫兹真空电子器件具有输出功率高、可在常温下工作等优点,它在军用、民用领域有着广泛的应用前景。本文介绍了国内外各种太赫兹真空电子器件研究的技术水平及应用现状,并对其今后发展趋势作了相应的评述。

关键词 真空电子器件 高功率微波 太赫兹源 太赫兹波应用

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真空电子学和微波真空电子器件的发展和技术现状 被引量：9

5

作者 丁耀根 刘濮鲲 +1 位作者 张兆传 王勇 《微波学报》 CSCD 北大核心 2010年第S1期397-400,共4页

真空电子学是研究真空中与电子相关的物理现象的学科,主要研究电子的产生和运动、电子与电磁波和物质的相互作用,是各类真空电子器件和粒子加速器等真空电子装置的基础。微波真空电子器件是最重要的真空电子器件,已广泛应用于国防、国... 真空电子学是研究真空中与电子相关的物理现象的学科,主要研究电子的产生和运动、电子与电磁波和物质的相互作用,是各类真空电子器件和粒子加速器等真空电子装置的基础。微波真空电子器件是最重要的真空电子器件,已广泛应用于国防、国民经济和科学研究领域,是军用和民用微波电子系统的核心器件,本文将介绍真空电子学和微波真空电子器件的发展历史,技术现状和应用情况,并对其发展趋势作简要的评述。 展开更多

关键词 真空电子学 微波真空电子器件 速调管 行波管 磁控管 回旋管

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真空电子器件常用金属焊接用钎焊料 被引量：5

6

作者 李银娥 姜婷 +1 位作者 孙晓亮 马光 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2010年第23期203-205,共3页

真空电子器件是由多种材料(包括金属材料和非金属材料)通过焊接方法连接成为结构复杂的构件,尺寸精度要求高,所用钎焊料种类也较多,常用的钎焊料有银基、金基、铜基、钯基和一些活性钎料等。本文就其常用钎焊料进行了简要介绍。

关键词 钎焊 钎焊料 真空电子器件

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集成化真空电子器件的发展与关键技术研究 被引量：4

7

作者 阮存军 张长青 +2 位作者 赵鼎 王树忠 杨修东 《微波学报》 CSCD 北大核心 2012年第S1期146-150,共5页

集成化真空电子器件借鉴了集成电路的概念,通过采用高精度平面高频系统,微加工和微组装技术,发展出结构紧凑、一致性好、频带宽和大功率亚毫米波和太赫兹辐射源,有效地解决了传统真空电子学向高频段发展时的基础科学问题和瓶颈技术,已... 集成化真空电子器件借鉴了集成电路的概念,通过采用高精度平面高频系统,微加工和微组装技术,发展出结构紧凑、一致性好、频带宽和大功率亚毫米波和太赫兹辐射源,有效地解决了传统真空电子学向高频段发展时的基础科学问题和瓶颈技术,已成为真空电子学领域重点开展的新研究方向。本文给出了国际上最近开展的集成化真空电子器件的研究工作,分析了开展集成化真空电子器件研究需要重点解决理论与机理、仿真与设计,以及加工与装配等关键技术的新思路和新方法,对我国开展这类具有重要应用潜力的新型器件的研究具有重要的借鉴意义。 展开更多

关键词 集成化真空电子器件 亚毫米波和太赫兹 平面高频结构 微加工技术

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用于雷达的新型真空电子器件 被引量：13

8

作者 胡银富 冯进军 《雷达学报（中英文）》 CSCD 2016年第4期350-360,共11页

真空电子器件在雷达的发展历程中发挥了重要作用,是雷达系统的核心器件,两者相辅相成、相互促进。随着设计仿真能力的不断提升,以及新材料新工艺的出现,真空电子器件出现了一些新的发展动向。器件性能不断提升,也出现了一些新型真空电... 真空电子器件在雷达的发展历程中发挥了重要作用,是雷达系统的核心器件,两者相辅相成、相互促进。随着设计仿真能力的不断提升,以及新材料新工艺的出现,真空电子器件出现了一些新的发展动向。器件性能不断提升,也出现了一些新型真空电子器件,这都为新型雷达探测技术的发展提供了很好的器件支撑。该文从微波毫米波器件及功率模块、集成真空电子器件、太赫兹、大功率和高功率5个方面介绍了真空电子器件新的发展趋势以及所取得的最新研究成果。 展开更多

关键词 真空电子器件 功率模块 太赫兹 集成行波管 高功率微波

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太赫兹真空电子器件用场发射阴极技术分析 被引量：2

9

作者 李兴辉 白国栋 +2 位作者 李含雁 丁明清 冯进军 《微波学报》 CSCD 北大核心 2015年第S1期48-51,共4页

本文阐述了太赫兹真空电子器件对阴极电子源的需求条件,分析了在该器件中应用场发射阴极的可能性。介绍了当前两种主要场发射阴极,即金属薄膜场发射阴极和碳纳米管场发射阴极的国内外发展情况,指出了它们各自的优势以及实际应用中存在... 本文阐述了太赫兹真空电子器件对阴极电子源的需求条件,分析了在该器件中应用场发射阴极的可能性。介绍了当前两种主要场发射阴极,即金属薄膜场发射阴极和碳纳米管场发射阴极的国内外发展情况,指出了它们各自的优势以及实际应用中存在的障碍,并提出了相应的解决途径。试验和分析结果表明,场发射阴极具有很好的太赫兹真空电子器件应用前景。 展开更多

关键词 太赫兹 真空电子器件 场发射阴极 金属薄膜场发射阴极 碳纳米管

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镍-63——真空电子器件中新的预电离源 被引量：1

10

作者 周志伟 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1999年第1期57-60,共4页

叙述了低能电子源 (β源 )的特点 ,比较了6 3Ni,3H和55Fe低能 β源的特性 ,介绍了6 3Ni放射源的制备方法 ,讨论了6 3Ni用作真空电子器件中预电离源的优点 ,列举了6

关键词 电子源 放射性核素 预电离源 真空电子器件 镍

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微波真空电子器件的发展与应用 被引量：13

11

作者 李晓峰 王玉春 邹雯婧 《微波学报》 CSCD 北大核心 2022年第5期33-38,共6页

根据真空电子器件的工作原理,其百年发展史可分为三个阶段:以静电控制的普通电子管阶段、以动态控制原理工作的微波真空电子器件阶段、基于相对论效应的新型器件阶段,每个阶段的代表管型在各自的应用领域都发挥了重要的作用。随着电磁... 根据真空电子器件的工作原理,其百年发展史可分为三个阶段:以静电控制的普通电子管阶段、以动态控制原理工作的微波真空电子器件阶段、基于相对论效应的新型器件阶段,每个阶段的代表管型在各自的应用领域都发挥了重要的作用。随着电磁波谱的开发利用,微波真空电子器件的技术水平向高频率、高功率、高效率方向发展,推动着军用装备和工业应用的不断拓展,特别在航天领域有长足发展。本文综述微波真空电子器件在厘米波段、毫米波段和太赫兹波段技术发展和装备应用概况,探讨未来的发展方向。 展开更多

关键词 微波管 真空电子器件 新型器件 高功率 高可靠 高效率

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微波真空电子器件用无氧铜材料的蒸发特性 被引量：3

12

作者 李芬 王国建 +4 位作者 田宏 刘泳良 于艳春 吕薇 刘燕文 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2021年第9期2751-2756,共6页

作为微波真空电子器件的常用材料之一,无氧铜材料的蒸发特性会对微波真空电子器件的电性能产生影响。该文利用超高真空测试设备,研究了处理工艺对无氧铜材料的蒸发性能的影响,采用X射线测厚仪测试了蒸发的铜膜厚度,用扫描电镜(SEM)观测... 作为微波真空电子器件的常用材料之一,无氧铜材料的蒸发特性会对微波真空电子器件的电性能产生影响。该文利用超高真空测试设备,研究了处理工艺对无氧铜材料的蒸发性能的影响,采用X射线测厚仪测试了蒸发的铜膜厚度,用扫描电镜(SEM)观测了无氧铜材料的表面形貌。结果表明表面宏观形貌粗糙度对无氧铜材料的蒸发性能影响不大,但处理工艺对蒸发性能影响很大;无氧铜材料经过酸洗后,会大大增加蒸发量;无氧铜材料经过烧氢处理,可降低蒸发量,而经过去油清洗并烧氢处理的无氧铜的蒸发量极低。对无氧铜材料进行了表面分析,发现无氧铜材料的真空蒸发性能与材料的表面形貌状态有关,当表面微观形貌比较光滑、无孔洞等缺陷时,无氧铜材料的真空蒸发量就少。 展开更多

关键词 微波真空电子器件 无氧铜 蒸发 酸洗 烧氢

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第三代电子器件——真空FET的现状 被引量：1

13

作者 苏世民 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1993年第3期1-12,共12页

概述了真空FET的基本原理、特性及现状.为拓宽器件的电路功能,近年来研制了各种结构,以便用一个器件完成除放大和开关以外的更多的电路功能,如倍增、倍频、信号分离器等.此外,为简化器件的制造工艺 ,突破传统真空FET的频率限制,还论述... 概述了真空FET的基本原理、特性及现状.为拓宽器件的电路功能,近年来研制了各种结构,以便用一个器件完成除放大和开关以外的更多的电路功能,如倍增、倍频、信号分离器等.此外,为简化器件的制造工艺 ,突破传统真空FET的频率限制,还论述了平面结构的薄膜真空FET的现状以及用GaAs InP等单晶半绝缘材料取代SiO_2.作阴-栅介质层,以此降低器件的寄生电容,提高器件的输入阻抗,这就显著提高了器件的工作频率.最后,论述了真空微电子器件作为平板显示器的应用概况.现已研制出用于Laptop计算机、导航终端及便携式电视用的<4″的平板显示器.大面积彩色平板显示屏正在研制中. 展开更多

关键词 真空电子器件 真空FET 第三代

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真空电子太赫兹器件研究进展 被引量：8

14

作者 常少杰 吴振华 +6 位作者 黄杰 赵陶 刘頔威 胡旻 魏彦玉 宫玉彬 刘盛纲 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第1期85-102,共18页

太赫兹波因其具有电子学与光子学的特性,所以在深空探测、无损检测、通信及安检等领域有巨大应用潜力。近些年,太赫兹技术的迅猛发展离不开太赫兹真空电子器件的不断进步。由于尺寸共度效应及电子束发射性能的限制,这类器件在迈向更高... 太赫兹波因其具有电子学与光子学的特性,所以在深空探测、无损检测、通信及安检等领域有巨大应用潜力。近些年,太赫兹技术的迅猛发展离不开太赫兹真空电子器件的不断进步。由于尺寸共度效应及电子束发射性能的限制,这类器件在迈向更高频段过程中遇到了不小的困难。针对这些问题,研究人员通过改良高频结构、控制加工精度、制备更优性能的材料、更精准的计算手段等一系列措施进行解决。本文介绍几种主流小型化太赫兹器件研究过程中的解决方案及最新进展,最后根据现阶段发展情况总结未来可能会遇到的问题及解决方法。 展开更多

关键词 真空电子器件 大功率太赫兹辐射源 研究进展

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太赫兹真空器件中超深金属慢波结构的微加工技术

15

作者 姜琪 李兴辉 +2 位作者 冯进军 蔡军 潘攀 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第9期759-767,共9页

太赫兹真空电子器件物理结构尺寸变化随着波长的减小而减小,对微小结构的尺寸精度与表面粗糙度要求也大大增加。随着器件频率进入到太赫兹频段,慢波结构的深度达到几十微米或者百微米量级,加工的难点主要有:材料为金属,结构超深,表面粗... 太赫兹真空电子器件物理结构尺寸变化随着波长的减小而减小,对微小结构的尺寸精度与表面粗糙度要求也大大增加。随着器件频率进入到太赫兹频段,慢波结构的深度达到几十微米或者百微米量级,加工的难点主要有:材料为金属,结构超深,表面粗糙度要求达到几十纳米量级,微电铸后金属含氧量极小,结构密度大不漏气,经得起后续近千摄氏度的高温处理工艺等。文章介绍了太赫兹频段下器件慢波结构的加工方式,着重讨论利用深反应离子刻蚀(DRIE)技术和紫外−光刻、电铸(UV-LIGA)技术加工超深金属慢波结构的技术和和特点,并介绍了本实验室利用UV-LIGA加工折叠波导的研究进展。 展开更多

关键词 太赫兹真空电子器件 微机电系统 深反应离子刻蚀 紫外−光刻、电铸 慢波结构

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微波电真空器件用热阴极的温度测量 被引量：3

16

作者 刘燕文 陆玉新 +3 位作者 田宏 朱虹 孟鸣凤 谷兵 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第7期79-83,共5页

利用红外测温仪、光学测温仪、热电偶测温仪(铂铑-铂)对微波电真空器件用浸渍阴极表面、覆膜阴极表面、阴极侧面(钼筒)进行了温度对比测试研究。结果表明:采用红外测温仪和光学测温仪测试浸渍阴极表面的温度与采用热电偶测温仪测试的温... 利用红外测温仪、光学测温仪、热电偶测温仪(铂铑-铂)对微波电真空器件用浸渍阴极表面、覆膜阴极表面、阴极侧面(钼筒)进行了温度对比测试研究。结果表明:采用红外测温仪和光学测温仪测试浸渍阴极表面的温度与采用热电偶测温仪测试的温度相差不大,而覆膜阴极却相差约50℃;采用红外测温仪和光学测温仪测试阴极侧面(钼筒)的温度相差不大,都低于热电偶测温仪测试的温度约60℃,这说明红外和光学测试温度值低于阴极的实际温度(热电偶测量值)。由于在阴极表面出现了物理、化学变化,红外测温仪和光学测温仪测试的阴极表面温度值在1150℃左右加热100min内增加约30℃。分析认为这些差异主要是因为覆膜阴极的表面与浸渍阴极的表面及阴极侧面(钼筒)的发射系数不同造成的,当然测试结果也会随着这些因素的变化而有一定的变化。 展开更多

关键词 微波真空电子器件 热阴极 温度 热辐射

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真空纳米二极管和三极管综述

17

作者 李兴辉 冯进军 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第9期749-758,共10页

真空纳米二极管和真空纳米三极管具有与传统真空管相似的基本功能,但却可以通过现有先进的微加工工艺线制造,以实现尺寸小、重量轻和高度集成,这使得它们在最近十年发展迅速。综述了真空纳米二极管和三极管的起源、发展历史和最新技术... 真空纳米二极管和真空纳米三极管具有与传统真空管相似的基本功能,但却可以通过现有先进的微加工工艺线制造,以实现尺寸小、重量轻和高度集成,这使得它们在最近十年发展迅速。综述了真空纳米二极管和三极管的起源、发展历史和最新技术状态。介绍了典型的横向结构、垂直结构和环栅结构器件,并分析了各自优缺点。硅基器件对于成熟微加工工艺兼容性最好,但基于金属和一些宽带隙半导体材料,如碳化硅和氮化镓的真空纳米器件显示更好的电性能、耐温性和耐辐射性。尽管当今最发达的真空纳米二极管和三极管在大多数常规应用中仍然无法和固态集成电路抗衡,但它们正得到更多关注,并有望首先在高温或强辐射等恶劣环境实现应用。 展开更多

关键词 真空电子器件 纳米二极管 纳米三极管 耐温性 耐辐射性

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氧化硅水平隧穿结电子源及其应用

18

作者 朱韬远 李志伟 +2 位作者 詹芳媛 杨威 魏贤龙 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第9期737-748,共12页

电子源是真空电子设备的核心部件,片上微型电子源是实现微型化、片上化真空电子器件的关键和基础。氧化硅水平隧穿结电子源是本课题组近几年发展的一种新型片上微型电子源,其具有发射效率高、发射电流密度大、工作电压低、能耐受粗真空... 电子源是真空电子设备的核心部件,片上微型电子源是实现微型化、片上化真空电子器件的关键和基础。氧化硅水平隧穿结电子源是本课题组近几年发展的一种新型片上微型电子源,其具有发射效率高、发射电流密度大、工作电压低、能耐受粗真空和时间响应快等优点,展现出较大的应用潜力。文章将从电子发射微观过程及理论模型、阵列化集成以及在真空电子器件中的应用三个方面系统介绍氧化硅水平隧穿结电子源,并对本课题组在该方向上所做的工作进行梳理与总结。 展开更多

关键词 氧化硅水平隧穿结电子源 片上微型电子源 微型真空电子器件

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第十六届国际真空电子学会议(IVEC-2015)征文通知

19

《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2014年第7期1742-1742,共1页

IEEE第十六届国际真空电子学会议（IVEC-2015）将于2015年4月27日至29日在北京国际会议中心举行。国际真空电子学会议起源于2000年，现在已经成为国际上真空电子器件和系统研究领域的盛会，每年都有来自世界各地的知名专家参会。

关键词 北京国际会议中心 真空电子器件 电子学会 IEEE

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第十六届国际真空电子学会议(IVEC-2015)征文通知

20

《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2014年第8期1871-1871,共1页

2015年4月27-29日,北京http：//cie-china.org/icec2015IEEE第十六届国际真空电子学会议（IVEC-2015）将于2015年4月27日至29日在北京国际会议中心举行。国际真空电子学会议起源于2000年,现在已经成为国际上真空电子器件和系统研究领域... 2015年4月27-29日,北京http：//cie-china.org/icec2015IEEE第十六届国际真空电子学会议（IVEC-2015）将于2015年4月27日至29日在北京国际会议中心举行。国际真空电子学会议起源于2000年,现在已经成为国际上真空电子器件和系统研究领域的盛会,每年都有来自世界各地的知名专家参会。 展开更多

关键词 北京国际会议中心 真空电子器件 电子学会 征文通知

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