真空微电子器件的进展与问题 被引量：3

1

作者 庄学曾 夏善红 刘光诒 《电子科学学刊》 CSCD 1997年第5期688-694,共7页

本文简要地叙述了真空微电子学的主要进展,在介绍场发射阵列FEA、场发射显示器FED、真空微电子微波毫米波器件等的发展过程中,重点叙述了有关器件对FEA的特殊要求、可能的解决办法和存在的问题,并介绍了发展真空微电子微波管的主要内容... 本文简要地叙述了真空微电子学的主要进展,在介绍场发射阵列FEA、场发射显示器FED、真空微电子微波毫米波器件等的发展过程中,重点叙述了有关器件对FEA的特殊要求、可能的解决办法和存在的问题,并介绍了发展真空微电子微波管的主要内容和意义;最后提到了有效地发展我国真空微电子器件需重视的一个问题. 展开更多

关键词 真空微电子学 场发射阵列 真空微电子器件

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真空微电子平板显示器工艺研究 被引量：3

2

作者 皇甫鲁江 朱长纯 +3 位作者 淮永进 铁执玲 单建安 郭彩林 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第11期119-121,共3页

本文介绍了我们最近开发的真空微电子平板数码管工艺，主要包括阳极支柱（阵列）的制作和平板透明真空封装。利用上述工艺已经制成了平板数码营，其栅阴特性理想，阳阴之间也能测得明显的场致发射特性并伴有荧光激发。目前，数码管玻壳... 本文介绍了我们最近开发的真空微电子平板数码管工艺，主要包括阳极支柱（阵列）的制作和平板透明真空封装。利用上述工艺已经制成了平板数码营，其栅阴特性理想，阳阴之间也能测得明显的场致发射特性并伴有荧光激发。目前，数码管玻壳内真空度的维持等还存在问题，文章最后分析了其原因。 展开更多

关键词 场致发射 平板显示器 真空微电子器件

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真空微电子传感器进展

3

作者 刘君华 《传感器技术》 CSCD 1994年第5期1-5,共5页

概述了真空微电子传感器的现状,重点介绍了力敏、光敏、磁敏真空微电子传感器的工作原理及特点。

关键词 真空微电子器件 传感器 进展

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楔形阴极的真空微电子三极管的计算机模拟

4

作者 钱琳 皮德富 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第9期63-66,共4页

本文对楔形阴极的真空微电子三极管进行了计算机模拟，实现了真空微电子器件的性能分析．通过对模拟结果的分析，总结了楔形阴极的真空微电子三极管的性能，计算了有关参数并提出优化设计方案.

关键词 微电子三极管 楔形阴极 模拟 真空微电子器件

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自封闭低电压真空微电子二极管阵列研究

5

作者 徐秋霞 柴淑敏 +3 位作者 赵玉印 李丽华 李卫宁 汪锁发 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期287-292,共6页

对真空微电子二极管阵列的结构及其制造工艺技术进行了研究，重点集中在该类器件的核心，即场致发射尖锥阵列的制造及自封闭真空空腔形成技术的研究。采用不同的阴极发射尖锥材料，在优化的几何结构和工艺条件下研制成功了性能良好的自... 对真空微电子二极管阵列的结构及其制造工艺技术进行了研究，重点集中在该类器件的核心，即场致发射尖锥阵列的制造及自封闭真空空腔形成技术的研究。采用不同的阴极发射尖锥材料，在优化的几何结构和工艺条件下研制成功了性能良好的自封闭低电压真空微电子二极管阵列，在U≤5V条件下，对Mo锥和Ti锥分别获得3．7μA每尖锥和9．5μA每尖锥的发射电流。同时对真空微电子二极管阵列的结构参数与电流-电压特性间的关系，影响场发射特性的各种因素进行了分析讨论。 展开更多

关键词 真空微电子器件 二极管 尖锥阴极 微电子器件

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功能覆盖膜对场发射阵列(FEA)电子发射性能的影响 被引量：1

6

作者 刘新福 李琼 +4 位作者 徐静芳 范忠 陈春辉 柳襄怀 杨根庆 《华东师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期51-55,共5页

为了寻找适合真空微电子器件的场发射阵列（FEA）覆盖材料，我们采用了一系列功能材料作为覆盖膜，薄膜淀积采用离子束辅助淀积（IBAD）以及其它淀积技术。在10^-6Pa下测量具有不同覆盖膜的硅FEA二极管的I－V特性，测量结果表明除Au和M... 为了寻找适合真空微电子器件的场发射阵列（FEA）覆盖材料，我们采用了一系列功能材料作为覆盖膜，薄膜淀积采用离子束辅助淀积（IBAD）以及其它淀积技术。在10^-6Pa下测量具有不同覆盖膜的硅FEA二极管的I－V特性，测量结果表明除Au和Mo外，其它覆盖材料都对FEA电子发射性能有改进，经TaN覆盖的FEA发射电流最大。由F－N曲线估算出有效表面功函数和有效发射面积，从而说明以上所得的实验结果。 展开更多

关键词 覆盖膜 场发射阵列 电子发射 真空微电子器件

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可低压驱动的金刚石薄膜冷阴极特性研究 被引量：5

7

作者 元光 宋航 +5 位作者 李树玮 蒋红 缪国庆 金亿鑫 三村秀典 横尾邦义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期309-312,共4页

通过在金刚石薄膜表面沉积超薄金属薄膜作为栅极的方法,在10V左右的低压下观察到场发射现象,其发射电子的发散角度为10°左右,接近于面发射;而孤立的金刚石颗粒几乎观测不到场发射。金刚石薄膜的场发射可能来自晶间相。

关键词 低压驱动 金刚石薄膜 冷阴极特性 场致发射 面发射 真空微电子器件 冷阴极材料

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场致发射硅尖阵列的研制 被引量：5

8

作者 吴海霞 仲顺安 +2 位作者 李文雄 邵雷 鲁雪峰 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期638-640,共3页

研究真空微电子器件场致发射硅尖阵列的制作工艺.利用HNA湿法腐蚀工艺制作场致发射硅尖阵列,比较带胶腐蚀与不带胶腐蚀的不同.采用氧化削尖技术对硅尖进行锐化处理.制作了50×60硅尖阵列,同时给出了硅尖阵列的I-V特性.利用HNA湿法... 研究真空微电子器件场致发射硅尖阵列的制作工艺.利用HNA湿法腐蚀工艺制作场致发射硅尖阵列,比较带胶腐蚀与不带胶腐蚀的不同.采用氧化削尖技术对硅尖进行锐化处理.制作了50×60硅尖阵列,同时给出了硅尖阵列的I-V特性.利用HNA湿法腐蚀制备的硅尖结构与理论分析一致,锐化处理改善了硅尖阴极阵列的场致发射特性. 展开更多

关键词 真空微电子器件 湿法腐蚀 场致发射阴极阵列 硅尖

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碳基场发射冷阴极材料的研究 被引量：2

9

作者 钱开友 林仰魁 +2 位作者 徐东 蔡炳初 孙卓 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第5期12-15,共4页

场发射冷阴极材料作为真空微电子器件的核心部件,在真空微电子场发射的研究与应用中占有极其重要的地位。目前碳基材料金刚石、类金刚石和碳纳米管在场发射冷阴级的研究中居统治地位。阐述了以上3种材料的制备工艺,发射特性,提出了改进... 场发射冷阴极材料作为真空微电子器件的核心部件,在真空微电子场发射的研究与应用中占有极其重要的地位。目前碳基材料金刚石、类金刚石和碳纳米管在场发射冷阴级的研究中居统治地位。阐述了以上3种材料的制备工艺,发射特性,提出了改进其发射性能的措施,并对它们目前存在的问题及其应用前景进行了展望。 展开更多

关键词 碳基材料 场发射冷阴极 真空微电子器件 类金刚石 碳纳米管 发射传感器 场发射平板显示器 微波毫米波器件

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双栅极场发射阵列的特性模拟与设计 被引量：1

10

作者 庄学曾 夏善红 陶新昕 《电子科学学刊》 CSCD 1998年第1期114-119,共6页

具有聚焦能力的双栅极场发射阵列(DGFEA)是两类最有发展前途的真空微电子器件(高分辨率场发射显示器和真空微电子微波、毫米波器件)的关键技术。本文简要比较了两种结构的DGFEA的主要性能和优缺点,叙述了双层栅极结构DGFEA的设计与模拟... 具有聚焦能力的双栅极场发射阵列(DGFEA)是两类最有发展前途的真空微电子器件(高分辨率场发射显示器和真空微电子微波、毫米波器件)的关键技术。本文简要比较了两种结构的DGFEA的主要性能和优缺点,叙述了双层栅极结构DGFEA的设计与模拟方法.从模拟计算获得的发射特性和聚焦性能可以看到:这种结构的DGFEA能获得几乎平行的场发射电子束,其最大发射电流密度可达到约500A/cm^2以上,是发展真空微电子微波、毫米波器件和其它强流电子注器件等较理想的电子源。 展开更多

关键词 真空微电子器件 微波器件 毫米波器件

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跑道状场发射结构研究

11

作者 蔡军 汪克林 王保平 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期399-403,共5页

作者设计了一种新颖的单栅和双栅跑道状场发射结构．该结构可提供好的阵列均匀性和大的场发射电流密度．双栅机构可提供小的开启电压．实验结果表明单栅结构的开启电压近似为１００Ｖ，而场发射电流密度近似为２．４Ａ／ｃｍ２，这是火... 作者设计了一种新颖的单栅和双栅跑道状场发射结构．该结构可提供好的阵列均匀性和大的场发射电流密度．双栅机构可提供小的开启电压．实验结果表明单栅结构的开启电压近似为１００Ｖ，而场发射电流密度近似为２．４Ａ／ｃｍ２，这是火山口状场发射结构的１２倍．数值模拟显示双栅结构的开启电压较之单栅结构减小了３０％． 展开更多

关键词 跑道状 场发射结构 微电子学 真空微电子器件

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