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相变随机存储器材料与结构设计最新进展
被引量：
5
1
作者
刘波
宋志棠
封松林
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第9期737-742,共6页
介绍了相变随机存储器(PCRAM)的研究现状,包括新型相变材料、热阻层材料和器件结构等。分析了GeSb和SiSb等相变材料具有组分简单、数据保持力好、优良的存储性能等特点,介绍了PCRAM这一新型半导体存储器的基本原理、特点以及国内外有关...
介绍了相变随机存储器(PCRAM)的研究现状,包括新型相变材料、热阻层材料和器件结构等。分析了GeSb和SiSb等相变材料具有组分简单、数据保持力好、优良的存储性能等特点,介绍了PCRAM这一新型半导体存储器的基本原理、特点以及国内外有关相变材料、过渡层材料和器件结构设计等方面的研究进展,最后提出了我国发展PCRAM的几点思考。
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关键词
相变随机存储器
相变
材料
热阻层材料
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职称材料
PCRAM损耗均衡研究综述
2
作者
何炎祥
陈木朝
+4 位作者
李清安
何静
沈凡凡
帅子琦
徐超
《计算机学报》
EI
CSCD
北大核心
2018年第10期2295-2317,共23页
随着半导体工艺的高速发展,计算机系统中处理器与主存之间性能差距的不断增大,传统存储器件的集成度已接近极限,能耗问题也日益突出,当前传统的主存技术面临挑战.相变随机存储器(PCRAM)具有集成度高、功耗低、非易失、字节级编址等优良...
随着半导体工艺的高速发展,计算机系统中处理器与主存之间性能差距的不断增大,传统存储器件的集成度已接近极限,能耗问题也日益突出,当前传统的主存技术面临挑战.相变随机存储器(PCRAM)具有集成度高、功耗低、非易失、字节级编址等优良特性,是最有发展潜力的、最有可能完全取代DRAM主存的非易失性存储器之一.首先介绍了PCRAM的发展与应用现状,指出T型结构是当前学术界和产业界广泛采用的器件结构,目前已经有PCRAM产品逐步开始量产并投入商业应用.然后,介绍了PCRAM当前面临的挑战,指出PCRAM面临的写耐久性局限是限制期发展与应用的主要障碍之一,分布不均匀的写操作会使PCRAM快速失效.接着,从硬件辅助和软件辅助两个角度分别介绍了当前研究人员所提出的一些具有代表性的PCRAM损耗均衡技术,在分析和归纳当前研究现状的基础上,指出了现有方案的优点和亟待完善之处.最后,展望了未来PCRAM损耗均衡技术的研究方向,为该领域今后的发展提供参考.
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关键词
相变随机存储器
非易失
存储器
损耗均衡
硬件辅助
软件辅助
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职称材料
题名
相变随机存储器材料与结构设计最新进展
被引量：
5
1
作者
刘波
宋志棠
封松林
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第9期737-742,共6页
基金
国家重点基础研究发展计划(2007CB935400
2006CB302700)
+8 种基金
国家863计划资助项目(2006AA03Z360
2008AA031402)
国家自然科学基金资助项目(60706024)
上海市科委资助项目(06QA14060
06XD14025
0652nm003
06DZ22017
0752nm013
07QA14065)
文摘
介绍了相变随机存储器(PCRAM)的研究现状,包括新型相变材料、热阻层材料和器件结构等。分析了GeSb和SiSb等相变材料具有组分简单、数据保持力好、优良的存储性能等特点,介绍了PCRAM这一新型半导体存储器的基本原理、特点以及国内外有关相变材料、过渡层材料和器件结构设计等方面的研究进展,最后提出了我国发展PCRAM的几点思考。
关键词
相变随机存储器
相变
材料
热阻层材料
Keywords
phase change random access memory
phase change material
thermal insulator layer material
分类号
TN333.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
PCRAM损耗均衡研究综述
2
作者
何炎祥
陈木朝
李清安
何静
沈凡凡
帅子琦
徐超
机构
武汉大学计算机学院
广东交通职业技术学院信息管理中心
肯尼索州立大学计算机科学系
南京审计大学工学院
出处
《计算机学报》
EI
CSCD
北大核心
2018年第10期2295-2317,共23页
基金
本课题得到国家自然科学基金(61502346,61462004,61373039,61373039,61462004,61502346,61640220,61662002)、江西省教育厅科技项目(GJJ150605)资助.
文摘
随着半导体工艺的高速发展,计算机系统中处理器与主存之间性能差距的不断增大,传统存储器件的集成度已接近极限,能耗问题也日益突出,当前传统的主存技术面临挑战.相变随机存储器(PCRAM)具有集成度高、功耗低、非易失、字节级编址等优良特性,是最有发展潜力的、最有可能完全取代DRAM主存的非易失性存储器之一.首先介绍了PCRAM的发展与应用现状,指出T型结构是当前学术界和产业界广泛采用的器件结构,目前已经有PCRAM产品逐步开始量产并投入商业应用.然后,介绍了PCRAM当前面临的挑战,指出PCRAM面临的写耐久性局限是限制期发展与应用的主要障碍之一,分布不均匀的写操作会使PCRAM快速失效.接着,从硬件辅助和软件辅助两个角度分别介绍了当前研究人员所提出的一些具有代表性的PCRAM损耗均衡技术,在分析和归纳当前研究现状的基础上,指出了现有方案的优点和亟待完善之处.最后,展望了未来PCRAM损耗均衡技术的研究方向,为该领域今后的发展提供参考.
关键词
相变随机存储器
非易失
存储器
损耗均衡
硬件辅助
软件辅助
Keywords
phase change random access memory
non-volatile memory
wear leveling
hardware assisted
software assisted
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
相变随机存储器材料与结构设计最新进展
刘波
宋志棠
封松林
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
5
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职称材料
2
PCRAM损耗均衡研究综述
何炎祥
陈木朝
李清安
何静
沈凡凡
帅子琦
徐超
《计算机学报》
EI
CSCD
北大核心
2018
0
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职称材料
已选择
0
条
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