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直流等离子体喷射CVD技术制备自支撑金刚石膜的新结构和新形貌(英文) 被引量:8
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作者 陈广超 兰昊 +7 位作者 李彬 戴风伟 薛前进 J.C.Askari 宋建华 黑立富 李成名 吕反修 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期1123-1126,共4页
采用30kW高功率直流等离子体喷射CVD技术制备了自支撑金刚石膜的新型结构,通过使甲烷与氢气的浓度比随沉积时间变化的方法,制备了两层、三层和四层结构。扫描电镜结果显示所制备的层结构是由柱状晶和非常细晶粒组成的,而拉曼谱结果表明... 采用30kW高功率直流等离子体喷射CVD技术制备了自支撑金刚石膜的新型结构,通过使甲烷与氢气的浓度比随沉积时间变化的方法,制备了两层、三层和四层结构。扫描电镜结果显示所制备的层结构是由柱状晶和非常细晶粒组成的,而拉曼谱结果表明这层细晶粒具有纳米金刚石的激光散射特征。在甲烷与氢气的浓度比超过15%的沉积条件下,我们发现一种新形貌,这种形貌是由具有非常好的刻面的晶粒构成的。 展开更多
关键词 金刚石膜 层结构 刻面 甲烷/氢气 直流等离子体喷射cvd
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直流电弧等离子体喷射CVD硼掺杂金刚石薄膜的制备及电化学性能研究 被引量:4
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作者 张聪聪 戴玮 +3 位作者 朱宁 尹振超 吴小国 曲长庆 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期1205-1210,共6页
采用直流电弧等离子体喷射CVD(Chemical Vapor Deposition)法在硅(100)衬底上制备了(111)占优的掺硼金刚石(BDD)薄膜,研究了压强对薄膜生长的影响,在压强为5500 Pa时得到了(100)占优的金刚石薄膜,并用SEM、XRD及拉曼光谱分析了薄膜的表... 采用直流电弧等离子体喷射CVD(Chemical Vapor Deposition)法在硅(100)衬底上制备了(111)占优的掺硼金刚石(BDD)薄膜,研究了压强对薄膜生长的影响,在压强为5500 Pa时得到了(100)占优的金刚石薄膜,并用SEM、XRD及拉曼光谱分析了薄膜的表面形貌、晶体结构、薄膜品质。测试结果表明,掺硼金刚石膜具有较好的成膜质量。霍尔测试表明BDD的电阻率为0.0095Ω.cm,载流子浓度为1.1×1020cm-3;研究了BDD薄膜电极在硫酸钠空白底液、铁氰化钾/亚铁氰化钾溶液和多巴胺溶液中的循环伏安曲线(CVs),发现该金刚石薄膜电极在硫酸钠中具有较宽的电化学窗口(约为4 V)、接近零的背景电流和良好的可逆性,利用BDD电极检测多巴胺溶液,具有明显的氧化还原峰值和较好的稳定性。结果表明利用该方法制备的BDD电极在电化学检测方面具有明显的优势。 展开更多
关键词 直流电弧等离子喷射cvd 硼掺杂金刚石(BDD) 循环伏安法 多巴胺
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基于FLUENT软件直流电弧等离子体喷射法等离子体放电特征二维数值模拟 被引量:4
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作者 郭建超 刘金龙 +5 位作者 闫雄伯 化称意 赵云 陈良贤 魏俊俊 李成明 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期312-318,共7页
直流电弧等离子体喷射法制备金刚石膜的过程中氩气主要起维持电弧放电作用,在一定程度上保证电弧放电的稳定性。本文利用自定义标量和自定义函数技术对FLUENT软件进行二次开发,在动量和能量守恒方程中添加相应电磁源项。对纯氩直流电弧... 直流电弧等离子体喷射法制备金刚石膜的过程中氩气主要起维持电弧放电作用,在一定程度上保证电弧放电的稳定性。本文利用自定义标量和自定义函数技术对FLUENT软件进行二次开发,在动量和能量守恒方程中添加相应电磁源项。对纯氩直流电弧等离子放电特征进行二维数值模拟,并经过实验验证后最终得到等离子体放电区域的温度、焦耳热、电流密度和速度等分布。模拟结果表明气压为1000 Pa工作电流为100 A条件下:氩等离子体最高温度和最大速度达到11000K和340 m/s,且均出现在阴极尖端位置附近;较强的外侧气流使阳极斑点稳定维持在阳极内侧下边缘位置,其附近等离子体温度在9000 K左右;基体表面附近等离子体温度受到焦耳热分布和阴极高温射流共同作用,维持在3000~4000 K。 展开更多
关键词 直流电弧等离子体喷射 数值模拟 等离子体放电 FLUENT
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直流等离子体喷射制备无裂纹自支撑金刚石膜体的晶体组织设计(英文) 被引量:6
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作者 陈广超 周祖源 +6 位作者 周有良 杨胶溪 李成明 宋建华 佟玉梅 唐伟忠 吕反修 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期683-689,共7页
在自支撑金刚石膜体中发现网状、河流状和环状三种裂纹形式 ,这几种裂纹形式依沉积温度不同而不同。首次采用了原子力显微镜分析了金刚石自支撑膜体裂纹断裂机制 ,发现了穿晶断裂和沿晶断裂两种机制 ,其中 ,在网状裂纹中 ,穿晶断裂机制... 在自支撑金刚石膜体中发现网状、河流状和环状三种裂纹形式 ,这几种裂纹形式依沉积温度不同而不同。首次采用了原子力显微镜分析了金刚石自支撑膜体裂纹断裂机制 ,发现了穿晶断裂和沿晶断裂两种机制 ,其中 ,在网状裂纹中 ,穿晶断裂机制占主要地位 ;环状裂纹中 ,沿晶断裂机制占主要地位 ,而河流状裂纹是两种机制的混合。对应X射线衍射结果 ,(111)晶面占优的膜体易于开启穿晶断裂机制 ,(2 2 0 )晶面占优的膜体易于开启沿晶断裂机制。使用Raman谱测试的膜体中的本征应力在几十到几百MPa之间 ,且在膜体中存在应力剖面分布。Raman谱的结果还显示低缺陷的膜体组织有利于阻挡裂纹扩展。通过建立简单力学分析模型 ,推测了膜体组织对断裂强度的作用。根据实验结果和力学模型 ,制备了最厚 2mm、最大直径 12 0mm的无裂纹自支撑金刚石膜。 展开更多
关键词 直流等离子体喷射 制备 无裂纹自支撑金刚石膜 组织设计 晶体结构 原子力显微镜
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直流喷射电弧等离子体制备金刚石单晶的研究 被引量:3
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作者 李彬 闫占奇 +4 位作者 李浩 韩晓泉 吕反修 陈广超 李宏 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期279-283,共5页
通过利用光发射谱技术,探测了大功率直流喷射电弧等离子体增强化学气相沉积方法中沉积区域的气相激元分布,进而优选了金刚石生长的位置。在沉积过程中,不断使衬底做背向等离子体的运动,实现了大颗粒金刚石的连续生长,颗粒尺寸达到约1 mm... 通过利用光发射谱技术,探测了大功率直流喷射电弧等离子体增强化学气相沉积方法中沉积区域的气相激元分布,进而优选了金刚石生长的位置。在沉积过程中,不断使衬底做背向等离子体的运动,实现了大颗粒金刚石的连续生长,颗粒尺寸达到约1 mm3。采用劳厄背反射X射线衍射测试技术和拉曼谱技术,对所制备的样品进行了测试,结果表明:所制备的颗粒为金刚石单晶。对于大尺寸衬底,研究了背向运动速度对沉积晶体的形貌和质量的影响,发现了ATG型不稳定形貌。 展开更多
关键词 直流喷射电弧 等离子体 化学气相沉积 金刚石单晶
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直流电弧等离子体喷射化学气相沉积高质量金刚石膜残余应力分布的拉曼谱分析(英文) 被引量:5
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作者 杨胶溪 李成明 +4 位作者 陈广超 吕反修 唐伟忠 宋建华 佟玉梅 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期674-678,共5页
不同工艺条件下在钼衬底 (6 0mm)上用 10 0kW直流电弧等离子体喷射化学气相沉积设备进行金刚石膜的制备。金刚石膜用扫描电镜 (SEM)、拉曼谱 (激光激发波长为 4 88nm)和X射线衍射来表征。研究结果表明 ,在直流电弧等离子体喷射化学气... 不同工艺条件下在钼衬底 (6 0mm)上用 10 0kW直流电弧等离子体喷射化学气相沉积设备进行金刚石膜的制备。金刚石膜用扫描电镜 (SEM)、拉曼谱 (激光激发波长为 4 88nm)和X射线衍射来表征。研究结果表明 ,在直流电弧等离子体喷射化学气相沉积金刚石膜的过程中 ,内应力大小从金刚石膜的中央到边缘是增加的 ,并且应力形式是压应力。这说明了在金刚石膜中存在明显的应力不均。甲烷浓度和衬底温度都影响金刚石膜中的内应力。随着甲烷浓度和衬底温度的提高 ,金刚石膜中的内应力呈增加的趋势。 展开更多
关键词 直流电弧等离子体喷射化学气相沉积 金刚石膜 制备 扫描电镜 拉曼谱 X射线衍射 残余应力
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加氮对直流电弧等离子体喷射金刚石膜生长、形貌和质量的影响 被引量:2
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作者 杨胶溪 张恒大 +4 位作者 李成明 陈广超 吕反修 唐伟忠 佟玉梅 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期386-392,共7页
利用直流等离子体喷射化学气相沉积法制备掺氮的金刚石厚膜。本文研究了在甲烷 /氩气 /氢气中加入氮气对金刚石膜生长、形貌和质量的影响。反应气体的比例由质量流量计控制 ,在固定氢气 (5 0 0 0sccm)、氩气(30 0 0sccm)、甲烷 (10 0sc... 利用直流等离子体喷射化学气相沉积法制备掺氮的金刚石厚膜。本文研究了在甲烷 /氩气 /氢气中加入氮气对金刚石膜生长、形貌和质量的影响。反应气体的比例由质量流量计控制 ,在固定氢气 (5 0 0 0sccm)、氩气(30 0 0sccm)、甲烷 (10 0sccm)流量的情况下改变氮气的流量 ,即反应气体中氮原子和碳原子的变化比例 (N/C比 )范围是从 0 .0 6到 0 .6 8。同时金刚石膜在固定的腔体压力 (4kPa)和衬底温度 (80 0℃ )下生长。金刚石膜用扫描电镜(SEM)、拉曼谱和X射线衍射表征。结果表明 ,氮气在反应气体中的大量加入对直流等离子体喷射制备金刚石膜的形貌、生长速率、晶体取向、成核密度等有非常显著的影响。 展开更多
关键词 直流电弧等离子体 喷射 金刚石膜 生长 形貌 质量 晶体取向 成核密度
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直流电弧等离子体CVD金刚石膜工艺参数优化 被引量:3
8
作者 张鬲君 苗晋琦 钟国防 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2008年第3期70-73,共4页
为了研究工艺对CVD金刚石膜生长的影响,本文采用电镜、激光Raman谱分析等手段研究工艺参数对CVD金刚石膜生长速率和生长质量的影响。结果显示:金刚石薄膜的生长速率随甲烷浓度(3%-10%)、基片温度(800-1200℃)的增加而增加,随工作... 为了研究工艺对CVD金刚石膜生长的影响,本文采用电镜、激光Raman谱分析等手段研究工艺参数对CVD金刚石膜生长速率和生长质量的影响。结果显示:金刚石薄膜的生长速率随甲烷浓度(3%-10%)、基片温度(800-1200℃)的增加而增加,随工作气压的升高先是增加,而后降低,峰值在15-20 kPa处。金刚石薄膜中非金刚石碳的相对含量先随基片温度的增加逐渐降低,在1080-1100℃达到最小值以后又开始急剧增加,膜的质量(结晶形态好和非金刚石碳的相对含量少)在1080-1100℃处达到最佳。 展开更多
关键词 直流电弧等离子体喷射 化学气相沉积 金刚石膜 工艺参数
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直流电弧等离子体喷射制备碳纤维及其结构的研究
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作者 付春生 朱鹤孙 +6 位作者 唐光诗 赵清华 解思深 王刚 李文治 周维亚 赵日安 《高技术通讯》 CAS CSCD 1996年第4期21-23,共3页
采用直流电弧等离子体喷射的方法制备碳纤维,用甲烷作为碳源。所制备的碳纤维呈现象牙棒状,顺着等离子体炬的方向生长。同时报导了一些新结构。
关键词 碳纤维 直流电弧 等离子体喷射
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硬质合金工具强电流直流伸展弧等离子体CVD金刚石涂层的均匀性研究
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作者 苗晋琦 宋建华 +6 位作者 赵中琴 陈利民 刘志凌 张恒大 佟玉梅 唐伟忠 吕反修 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2003年第2期7-10,13,共5页
采用自行研制的强电流直流伸展电弧等离子体CVD设备对真空渗硼预处理的YG6刀片进行了金刚石涂层沉积 ,并对放于有效沉积区域不同位置沉积出的金刚石涂层刀片以及刀片自身不同位置之表面涂层的形貌、厚度、质量进行了分析、研究。结果表... 采用自行研制的强电流直流伸展电弧等离子体CVD设备对真空渗硼预处理的YG6刀片进行了金刚石涂层沉积 ,并对放于有效沉积区域不同位置沉积出的金刚石涂层刀片以及刀片自身不同位置之表面涂层的形貌、厚度、质量进行了分析、研究。结果表明 :( 1)、硬质合金工具强电流直流伸展弧等离子体CVD金刚石涂层的组织、形貌、厚度、质量都是均匀一致的。 ( 2 )、利用强电流直流伸展电弧等离子体CVD设备可进行硬质合金金刚石涂层的批量沉积。 展开更多
关键词 cvd 金刚石涂层 均匀性 硬质合金工具 强电流直流伸展电弧 等离子体
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直流等离子体CVD金刚石膜的阴极发光性质的研究
11
作者 张振刚 廖克俊 王万录 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期219-224,共6页
本文研究了直流等离子体CVD金刚石膜在常温和液氮温度下的阴极发光光谱,探讨了阴极发光谱中各峰的起因,并分析了光谱随测量温度和沉积条件的变化情况,讨论了造成这种变化的原因.研究表明,金刚石膜中缺陷和杂质以及金刚石膜的晶... 本文研究了直流等离子体CVD金刚石膜在常温和液氮温度下的阴极发光光谱,探讨了阴极发光谱中各峰的起因,并分析了光谱随测量温度和沉积条件的变化情况,讨论了造成这种变化的原因.研究表明,金刚石膜中缺陷和杂质以及金刚石膜的晶体结构对它的阴极发光光谱有重要的影响. 展开更多
关键词 金刚石薄膜 阴极发光光谱 直流等离子体 cvd
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直流电弧等离子体喷射法制备氮化碳薄膜研究 被引量:3
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作者 孟兆升 相炳坤 +4 位作者 王仕杰 李文帅 熊鹰 解晖 余琦佩 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期3068-3073,共6页
以H2、N2和CF4气体为前驱体,用直流电弧等离子体喷射设备在不同基底温度条件下于钼/金刚石过渡层基底上制备了氮化碳薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)对表面形貌和组织成分进行了表征。结果表明,当基底温... 以H2、N2和CF4气体为前驱体,用直流电弧等离子体喷射设备在不同基底温度条件下于钼/金刚石过渡层基底上制备了氮化碳薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)对表面形貌和组织成分进行了表征。结果表明,当基底温度为900℃时,所沉积材料已初具晶型;所沉积材料含有α-C3N4和β-C3N4相成分。同时,提出在金刚石表面制备氮化碳时金刚石相刻蚀和氮化碳相生长同时进行的模型,较好地解释了不同基底温度条件下的膜材料沉积现象。 展开更多
关键词 氮化碳 直流电弧等离子体喷射 沉积 刻蚀
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±800 kV混合直流输电工程用DC 80 kV SF_(6)/N_(2)等离子体喷射触发间隙研制 被引量:5
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作者 李志兵 徐晓东 +3 位作者 张然 李晓昂 黄印 赵科 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期937-945,共9页
白鹤滩—江苏±800 kV混合直流输电工程在交流侧故障穿越过程中,为了限制柔直母线上过电压吸收冗余能量需要加装可控自恢复消能装置。为了实现可控自恢复消能装置的1 ms快速投入,需要研制DC 80 kV SF_(6)/N_(2)等离子体喷射触发间... 白鹤滩—江苏±800 kV混合直流输电工程在交流侧故障穿越过程中,为了限制柔直母线上过电压吸收冗余能量需要加装可控自恢复消能装置。为了实现可控自恢复消能装置的1 ms快速投入,需要研制DC 80 kV SF_(6)/N_(2)等离子体喷射触发间隙。根据工程需求,分析了工程应用条件,明确触发间隙关键技术要求。针对高性能触发的要求,提出了高压脉冲型等离子体双级接续触发方法,设计了同轴层压式产品化触发腔,搭建触发特性试验平台,开展触发性能试验研究,并提出通过监测触发过程中储能电容电压变化在线监测触发性能的方法,研究结果表明,最低可触发电压为50 kV,触发时延在0.3 ms以内,空载触发寿命为1800次。针对大直流通流及快速绝缘恢复的要求,依据横磁电极旋弧原理,完成自旋弧主电极设计,开展电场及旋弧仿真,设计搭建了通流及绝缘恢复试验回路开展试验研究,拍摄电弧运动。结果表明,电弧能够沿主电极边缘高速旋转,实现30kA/50ms通流后0.1s恢复耐受1.5倍额定电压、通流寿命50次。基于上述关键问题的解决,完成了双冗余等离子体喷射触发间隙本体及高电位测控的成套装置结构设计,研制了样机并通过了第三方性能试验验证,绝缘、触发和通流关键技术指标全面满足白江工程要求并将工程应用。 展开更多
关键词 混合直流输电工程 等离子体喷射 触发间隙 触发寿命 通流能力
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直流电弧等离子体喷射法制备金刚石自支撑膜研究新进展 被引量:7
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作者 李成明 陈良贤 +3 位作者 刘金龙 魏俊俊 黑立富 吕反修 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2018年第1期16-27,共12页
文章综述了以直流电弧等离子体喷射法制备自支撑金刚石膜的研究新进展,对电弧特性、金刚石晶体质量、力学性能、光学性能及热学性能进行了介绍。研究表明:不同电弧区域的金刚石膜结晶质量及应力状态有所差异,钛过渡层可以降低金刚石的... 文章综述了以直流电弧等离子体喷射法制备自支撑金刚石膜的研究新进展,对电弧特性、金刚石晶体质量、力学性能、光学性能及热学性能进行了介绍。研究表明:不同电弧区域的金刚石膜结晶质量及应力状态有所差异,钛过渡层可以降低金刚石的残余应力;采用四点弯曲测得金刚石的断裂韧性为10.99MPa·m^(1/2);一定温度范围内,金刚石吸收系数与温度的关系基本不受金刚石质量和厚度的影响;金刚石的光学性能越好,其热导率越高,且金刚石形核面热导率略高于生长面,500K以上时多晶金刚石膜的热导率近似于单晶水平。 展开更多
关键词 直流电弧等离子体喷射 金刚石自支撑膜 断裂韧性 吸收系数 热导率
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直流电弧等离子体喷射法制备金刚石涂层拉拔模具 被引量:5
15
作者 崔玉明 李国华 姜龙 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2019年第6期25-29,共5页
线材拉拔加工正向精密、高速、低耗、高生产效率方向发展,金刚石涂层拉拔模具是最受用户青睐的产品之一。在综述直流电弧等离子体喷射技术制备金刚石涂层拉拔模具方法的基础上,利用洛氏硬度计、表面粗糙度轮廓测量仪、拉曼光谱仪和光学... 线材拉拔加工正向精密、高速、低耗、高生产效率方向发展,金刚石涂层拉拔模具是最受用户青睐的产品之一。在综述直流电弧等离子体喷射技术制备金刚石涂层拉拔模具方法的基础上,利用洛氏硬度计、表面粗糙度轮廓测量仪、拉曼光谱仪和光学显微镜进行涂层质量检测。检测结果显示:金刚石涂层的纯度和厚度均匀性均较好;在1470 N载荷下薄膜压痕的边缘区域无严重裂纹及薄膜脱落现象,其表面粗糙度R a平均值为18 nm。 展开更多
关键词 直流电弧等离子体喷射 拉拔模具 金刚石涂层
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直流电弧等离子体喷射化学气相沉积法制备金刚石膜过程中冷阱的设计及作用 被引量:1
16
作者 陈良贤 邵思武 +8 位作者 刘鹏 安康 郑宇亭 黄亚博 白明洁 张建军 刘金龙 魏俊俊 李成明 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2022年第2期150-155,共6页
首先,介绍直流电弧等离子体喷射化学气相沉积法的原理以及气体循环系统的设计和其优缺点;其次,详细介绍冷阱系统的设计及其工作原理;最后,使用拉曼光谱和傅里叶变换红外光谱与光致发光光谱对比添加冷阱系统前后的金刚石薄膜的质量。结... 首先,介绍直流电弧等离子体喷射化学气相沉积法的原理以及气体循环系统的设计和其优缺点;其次,详细介绍冷阱系统的设计及其工作原理;最后,使用拉曼光谱和傅里叶变换红外光谱与光致发光光谱对比添加冷阱系统前后的金刚石薄膜的质量。结果表明:冷阱系统可以有效过滤循环气路中的热油气,避免杂质的掺入;在添加冷阱系统后,金刚石膜内掺入的杂质减少,金刚石拉曼峰半高宽降低到6.76 cm^(−1),接近于Ib型单晶金刚石的,且自支撑金刚石膜的晶体质量明显提高,光学透过率提升较大,在10.6μm波长处达到68.4%。 展开更多
关键词 直流电弧等离子体喷射化学气相沉积法 金刚石膜 循环系统 冷阱
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直流电弧等离子喷射CVD中控制生长(111)晶面占优的金刚石膜 被引量:3
17
作者 周祖源 陈广超 +7 位作者 戴风伟 兰昊 宋建华 李彬 佟玉梅 李成明 黑立富 唐伟忠 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期478-480,共3页
运用光发射谱(OES)技术对大功率直流电弧等离子喷射CVD金刚石膜的气相沉积环境进行了原位诊断,研究了气相环境中主要含碳基团的浓度及分布与沉积参数的关系,发现了C2基元比其他基元对沉积参数更加敏感。利用光发射谱对C2基元发射强度的... 运用光发射谱(OES)技术对大功率直流电弧等离子喷射CVD金刚石膜的气相沉积环境进行了原位诊断,研究了气相环境中主要含碳基团的浓度及分布与沉积参数的关系,发现了C2基元比其他基元对沉积参数更加敏感。利用光发射谱对C2基元发射强度的监测,实时调控沉积各参数,在大功率直流电弧等离子喷射CVD中实现了(111)晶面占优的金刚石膜的可控生长,I(111)/I(220)XRD衍射峰强度的比值达48。 展开更多
关键词 光发射谱 金刚石膜 直流电弧等离子喷射cvd (111)占优晶面
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等离子体稳定性对曲面金刚石膜生长的影响 被引量:1
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作者 李多生 周贤良 +1 位作者 左敦稳 邹爱华 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1869-1872,共4页
采用直流等离子体喷射化学气相沉积(DCPJCVD)制备曲面金刚石膜,等离子体稳定性对金刚石膜生长十分重要。研究表明,曲面金刚石膜长时间生长,阳极积聚石墨碳点,等离子体流动受阻失稳,金刚石膜含较多杂质。通过对阳极除碳处理,可维持稳定... 采用直流等离子体喷射化学气相沉积(DCPJCVD)制备曲面金刚石膜,等离子体稳定性对金刚石膜生长十分重要。研究表明,曲面金刚石膜长时间生长,阳极积聚石墨碳点,等离子体流动受阻失稳,金刚石膜含较多杂质。通过对阳极除碳处理,可维持稳定的等离子体、稳定的电子温度Te、均匀的活性原子及原子基团密度。制备的金刚石膜经SEM、Raman等表征,发现曲面金刚石膜致密、晶粒均匀,仅发现金刚石特征峰,制备的曲面金刚石膜质量较高。 展开更多
关键词 曲面金刚石膜 cvd 直流等离子体 稳定性
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氩气对直流弧光放电PCVD金刚石薄膜晶体特征的影响 被引量:7
19
作者 张湘辉 汪灵 +1 位作者 龙剑平 常嗣和 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期130-134,共5页
本文采用自主研制的直流弧光放电等离子体CVD设备,在YG6硬质合金基体上进行了不同氩气流量下金刚石薄膜的制备研究。采用SEM对金刚石薄膜的晶体特征进行了观察。结果表明,氩气对直流弧光放电等离子体CVD金刚石薄膜的晶体特征有明显影响... 本文采用自主研制的直流弧光放电等离子体CVD设备,在YG6硬质合金基体上进行了不同氩气流量下金刚石薄膜的制备研究。采用SEM对金刚石薄膜的晶体特征进行了观察。结果表明,氩气对直流弧光放电等离子体CVD金刚石薄膜的晶体特征有明显影响。在CH4/H2恒定时(0.8%),硬质合金基体上制备的金刚石薄膜表面形貌随Ar流量增加而变化的规律,即从以(111)八面体晶面为主→(111)和(100)立方八面体混杂晶面→以(100)立方体晶面为主→菜花状的顺序转变;当Ar流量为420~700mL/min时,金刚石晶粒的平均尺寸由1.5μm逐步增大到7μm;Ar流量为700~910mL/min时,金刚石晶粒的平均尺寸由7μm急剧减小到纳米尺度,约50nm。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 晶体特征 直流弧光放电等离子体cvd
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直流弧光放电PCVD金刚石膜制备中基底控温系统的研制与应用 被引量:4
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作者 张湘辉 汪灵 龙剑平 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期75-82,共8页
基于直流弧光放电PCVD金刚石薄膜沉积设备的特点,设计开发了基底自动控温系统。将该系统应用于金刚石薄膜的制备中,并采用SEM、Raman光谱等测试方法对所制备的薄膜的形貌、品质进行了表征。结果证明该系统具有较好的稳定性,其应用时所... 基于直流弧光放电PCVD金刚石薄膜沉积设备的特点,设计开发了基底自动控温系统。将该系统应用于金刚石薄膜的制备中,并采用SEM、Raman光谱等测试方法对所制备的薄膜的形貌、品质进行了表征。结果证明该系统具有较好的稳定性,其应用时所制备的金刚石薄膜的品质明显得到提高,具有广泛的应用前景。 展开更多
关键词 直流弧光放电 等离子体cvd 金刚石薄膜 基底托架 温度自动控制
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