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偏压对活性屏离子渗氮工艺的影响
被引量:
8
1
作者
郑少梅
赵程
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第6期701-704,共4页
通过对40C钢进行活性屏离子渗氮处理,研究了在活性屏离子渗氮工艺过程中工件所加的偏压对渗氮层的影响。试验结果表明,在不加偏压或偏压较低的情况下,对距离活性屏较近的工件,其表面有一定厚度的渗氮层形成,硬度提高;而距离活性屏较远...
通过对40C钢进行活性屏离子渗氮处理,研究了在活性屏离子渗氮工艺过程中工件所加的偏压对渗氮层的影响。试验结果表明,在不加偏压或偏压较低的情况下,对距离活性屏较近的工件,其表面有一定厚度的渗氮层形成,硬度提高;而距离活性屏较远的工件,其表面几乎没有渗氮层的形成,但当增大偏压至400~450 V时,工件表面产生弱的辉光放电,距离活性屏较远的工件表面也有渗氮层形成。通过控制偏压值,可以使工件表面形成厚度均匀的渗氮层,提高工件硬度;同时也可以避免直流离子渗氮过程中产生的打弧、边缘效应等问题。
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关键词
活性屏
离子
渗氮
直流离子渗氮
偏压
渗氮
层
辉光放电
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职称材料
题名
偏压对活性屏离子渗氮工艺的影响
被引量:
8
1
作者
郑少梅
赵程
机构
青岛理工大学机械工程学院
青岛科技大学机电工程学院
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第6期701-704,共4页
基金
山东省自然科学基金项目(ZR2010EM018)
文摘
通过对40C钢进行活性屏离子渗氮处理,研究了在活性屏离子渗氮工艺过程中工件所加的偏压对渗氮层的影响。试验结果表明,在不加偏压或偏压较低的情况下,对距离活性屏较近的工件,其表面有一定厚度的渗氮层形成,硬度提高;而距离活性屏较远的工件,其表面几乎没有渗氮层的形成,但当增大偏压至400~450 V时,工件表面产生弱的辉光放电,距离活性屏较远的工件表面也有渗氮层形成。通过控制偏压值,可以使工件表面形成厚度均匀的渗氮层,提高工件硬度;同时也可以避免直流离子渗氮过程中产生的打弧、边缘效应等问题。
关键词
活性屏
离子
渗氮
直流离子渗氮
偏压
渗氮
层
辉光放电
Keywords
Active screen plasma nitriding
Direct current plasma nitriding
Bias voltage
Nitride layer
Glow discharge
分类号
TB156.8 [天文地球—天文学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
偏压对活性屏离子渗氮工艺的影响
郑少梅
赵程
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
8
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