直流磁控溅射法在铜基合金上制备TiN层

1

作者 慕伟意 《稀有金属快报》 CSCD 2004年第11期40-41,共2页

关键词 铜基合金 直流磁控溅射法 铜合金 耐蚀性能 高电导率 力学性能 冶金 制备 注塑模具 低硬度

在线阅读 下载PDF 职称材料

原位直流磁控溅射法制备高质量MgB_2薄膜

2

作者 刘春芳 《稀有金属快报》 CSCD 2003年第1期21-21,共1页

关键词 原位直流磁控溅射法 制备 MgB2薄膜

在线阅读 下载PDF 职称材料

直流反应磁控溅射方法制备碳掺杂TiO_2薄膜及其可见光活性 被引量：24

3

作者 朱蕾 崔晓莉 +2 位作者 沈杰 杨锡良 章壮健 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1662-1666,共5页

室温下通过直流反应磁控溅射的方法,利用碳钛镶嵌靶在Ar/O_2气氛中制备了碳掺杂纳米TiO_2薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、UV-Vis透射光谱以及光电化学的方法对薄膜进行了表征.XRD测试结果表明,靶中碳和钛的面积比小于0.10时,碳掺杂的引入... 室温下通过直流反应磁控溅射的方法,利用碳钛镶嵌靶在Ar/O_2气氛中制备了碳掺杂纳米TiO_2薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、UV-Vis透射光谱以及光电化学的方法对薄膜进行了表征.XRD测试结果表明,靶中碳和钛的面积比小于0.10时,碳掺杂的引入有利于TiO_2薄膜的晶格生长,并随靶中碳面积的增加,薄膜的结晶度也相应提高.由透射光谱计算得到的禁带宽度表明,靶中碳和钛的面积比为0.05时,薄膜的禁带宽度由纯TiO_2薄膜的3.4 eV减小到3.1 eV.光电测试结果表明,靶中碳和钛的面积比小于0.10时,碳的引入可以提高薄膜的光电响应,面积比为0.10时,可见光下0 V时薄膜的光电流密度为0.069μA·cm^(-2);但碳和钛的面积比增加到0.16时,测得的薄膜光电响应异常. 展开更多

关键词 直流反应磁控溅射法 碳/钛镶嵌靶 碳掺杂的二氧化钛薄膜 光电化学

在线阅读 下载PDF 职称材料

直流反应磁控溅射法制备CdIn_2O_4薄膜的光电性能研究 被引量：2

4

作者 杨丰帆 方亮 +4 位作者 孙建生 徐勤涛 吴苏友 张淑芳 董建新 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期460-466,共7页

利用直流反应磁控溅射法制备了CdIn2O4(CIO)薄膜,研究了氧浓度、基片温度、溅射时间和退火处理对薄膜光电性能的影响。结果表明:电阻率随着氧浓度的增加和溅射时间的减小而增加,随着基片温度的升高先减小后增加;透光率随着氧浓度、基片... 利用直流反应磁控溅射法制备了CdIn2O4(CIO)薄膜,研究了氧浓度、基片温度、溅射时间和退火处理对薄膜光电性能的影响。结果表明:电阻率随着氧浓度的增加和溅射时间的减小而增加,随着基片温度的升高先减小后增加;透光率随着氧浓度、基片温度的增加和溅射时间的减小而增加。退火处理后,薄膜的电阻率降低,光吸收边发生"蓝移"。点缺陷对薄膜的光电性能产生重要影响,光吸收边的移动是"Burstein-Moss"效应和多体效应共同作用的结果。综合实验结果和理论研究,推荐了直流反应磁控溅射法制备CIO薄膜的最佳条件。此条件下制备薄膜的电阻率为2.95×10-4Ω.cm,波长为628 nm时薄膜的透光率高达91.7%。 展开更多

关键词 直流反应磁控溅射法 CdIn2O4薄膜 光电性能 最佳条件

在线阅读 下载PDF 职称材料

直流反应磁控溅射法制备二氧化钛薄膜的光响应(英文) 被引量：2

5

作者 张利伟 张兵临 +3 位作者 姚宁 樊志琴 杨仕娥 鲁占灵 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期667-669,617,共4页

采用直流反应磁控溅射的方法在镀有ITO的导电玻璃衬底上沉积了二氧化钛薄膜 ,分别用拉曼光谱和吸收光谱研究了薄膜的结构 ,通过光电流研究了二氧化钛薄膜的紫外光响应。在 10 0s的时间内光电流能达到最大值的96 % ,当停止紫外光照射时 ... 采用直流反应磁控溅射的方法在镀有ITO的导电玻璃衬底上沉积了二氧化钛薄膜 ,分别用拉曼光谱和吸收光谱研究了薄膜的结构 ,通过光电流研究了二氧化钛薄膜的紫外光响应。在 10 0s的时间内光电流能达到最大值的96 % ,当停止紫外光照射时 ,光电流在 2 0 0s的时间内能恢复到暗电流 ,二氧化钛薄膜对紫外光的灵敏性和稳定的光响应表明二氧化钛薄膜有可能成为一种新的紫外光探测器材料。 展开更多

关键词 直流反应磁控溅射法 制备 二氧化钛薄膜 光响应 导电玻璃 光电流 紫外光探测器材料

在线阅读 下载PDF 职称材料

在不同衬底温度下用直流反应磁控溅射法制备p型ZnO薄膜(英文) 被引量：1

6

作者 简二梅 叶志镇 +4 位作者 刘暐昌 何海平 顾修全 朱丽萍 赵炳辉 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期491-494,共4页

采用直流反应磁控溅射方法,通过改变衬底温度并优化生长参数,在玻璃衬底上生长了In-N共掺p型ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)测试表明,所得薄膜结晶性能良好,且具有很好的c轴择优取向。Hall测试的结果所得p型ZnO薄膜最低电阻率为35.6Ω·cm... 采用直流反应磁控溅射方法,通过改变衬底温度并优化生长参数,在玻璃衬底上生长了In-N共掺p型ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)测试表明,所得薄膜结晶性能良好,且具有很好的c轴择优取向。Hall测试的结果所得p型ZnO薄膜最低电阻率为35.6Ω·cm,霍尔迁移率为0.111cm2·V-1·s-1,空穴浓度为1.57×1018cm-3。X光电子能谱(XPS)测试表明,铟元素已有效地掺入了ZnO薄膜中,且铟元素有效地促进了氮元素的掺入。紫外可见(UV)透射谱测试表明,在可见光范围内所有薄膜透光率均可达90%。 展开更多

关键词 P型导电 In-N共掺 直流反应磁控溅射法 ZNO薄膜

在线阅读 下载PDF 职称材料

室温直流反应磁控溅射制备透明导电In_2O_3∶Mo薄膜 被引量：5

7

作者 缪维娜 李喜峰 +4 位作者 张群 黄丽 章壮健 张莉 严学俭 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期301-305,共5页

在室温条件下采用直流反应磁控溅射法制备了新型透明导电In2O3:Mo薄膜.研究了溅射压强中氧气百分含量[P(O2)]为8.0%～18.0%时对薄膜光电特性以及表面形貌结构的影响.结果表明,薄膜的光电性能对溅射压强中P(O2)非常敏感.分析显示P(O2)决... 在室温条件下采用直流反应磁控溅射法制备了新型透明导电In2O3:Mo薄膜.研究了溅射压强中氧气百分含量[P(O2)]为8.0%～18.0%时对薄膜光电特性以及表面形貌结构的影响.结果表明,薄膜的光电性能对溅射压强中P(O2)非常敏感.分析显示P(O2)决定了薄膜中的氧空位含量和载流子浓度,从而影响了薄膜的光电特性.原子力显微镜观察表明,适量的P(O2)条件下可以获得平均粗糙度为0.3 nm、颗粒均匀、表面平整的薄膜.室温制备的IMO薄膜在可见光区域的平均透射率(含玻璃基底)高达82.1%,电阻率低至5.9×10-4 Ω·cm. 展开更多

关键词 透明导电氧化物 In2O3:Mo薄膜 直流反应磁控溅射法 室温

在线阅读 下载PDF 职称材料

氧气分压对反应溅射制备TiO_2薄膜带隙的影响 被引量：3

8

作者 赵青南 李春领 +1 位作者 刘保顺 赵修建 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期603-605,共3页

在不同的氧气分压下 ,用直流反应磁控溅射法制备了玻璃基TiO2 薄膜试样 ,测试了试样的荧光发射光谱。结果表明 ,氧气分压为 0 35和 0 6 5Pa时 ,荧光光谱在 370 ,4 72和 5 14nm处出现发射峰 ;氧气分压为 0 10和 0 15Pa时 ,发射光谱... 在不同的氧气分压下 ,用直流反应磁控溅射法制备了玻璃基TiO2 薄膜试样 ,测试了试样的荧光发射光谱。结果表明 ,氧气分压为 0 35和 0 6 5Pa时 ,荧光光谱在 370 ,4 72和 5 14nm处出现发射峰 ;氧气分压为 0 10和 0 15Pa时 ,发射光谱峰出现在 370和 4 90nm处。试样带隙为 3 35eV。0 35和 0 6 5Pa氧气分压下溅射的试样在带隙中有两个分别低于导带底 0 72和 0 94eV的缺陷能级 ,0 10和 0 15Pa氧气分压下溅射的试样在带隙中有一个位于导带底 0 2 3和 1 2 9eV之间的缺陷能带 ;增加氧气分压 ,缺陷能带转变成两个缺陷能级 ,在 0 6 5Pa氧气分压下 ,缺陷能级几乎消失。 展开更多

关键词 氧气分压 二氧化钛薄膜 带隙结构 直流反应磁控溅射法 制备 荧光发射光谱 缺陷能级

在线阅读 下载PDF 职称材料

高迁移率透明导电In_2O_3:Mo薄膜 被引量：11

9

作者 李喜峰 缪维娜 +3 位作者 张群 黄丽 章壮健 华中一 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期142-145,149,共5页

用直流磁控溅射法成功制备了高价态差掺钼氧化铟(IMO)透明导电薄膜。研究了氧分压,基板温度以及溅射电流对IMO薄膜结构和性能的影响。获得的IMO薄膜的最低电阻率为3.65×10-4Ω·cm,载流子迁移率高达50cm2V-1s-1,可见光区域的... 用直流磁控溅射法成功制备了高价态差掺钼氧化铟(IMO)透明导电薄膜。研究了氧分压,基板温度以及溅射电流对IMO薄膜结构和性能的影响。获得的IMO薄膜的最低电阻率为3.65×10-4Ω·cm,载流子迁移率高达50cm2V-1s-1,可见光区域的平均透射率(含玻璃基底)高于80%。X ray衍射(XRD)研究表明IMO薄膜具有良好的结晶性。分析认为IMO薄膜的载流子迁移率主要受晶界散射的控制。 展开更多

关键词 IN2O3 载流子迁移率 直流磁控溅射法 Mo 透明导电薄膜 掺钼氧化铟 结构和性能 IMO 基板温度 低电阻率 玻璃基底 可见光区 氧分压 透射率 结晶性 cm 散射

在线阅读 下载PDF 职称材料

Ar压强对硅基Al膜应力和微结构的影响 被引量：2

10

作者 宋学萍 饶淑玲 +1 位作者 方伟 孙兆奇 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期150-153,158,共5页

用直流磁控溅射法在室温Si基片上制备了溅射时间分别为5min和10min,氩气压强分别为0.7、3、6Pa的6种Al膜,用光学相移法和X射线衍射法对Al膜的应力和微结构随着压强的变化进行了研究。应力分析表明在同一溅射时间,随着氩气压强的减小,Al... 用直流磁控溅射法在室温Si基片上制备了溅射时间分别为5min和10min,氩气压强分别为0.7、3、6Pa的6种Al膜,用光学相移法和X射线衍射法对Al膜的应力和微结构随着压强的变化进行了研究。应力分析表明在同一溅射时间,随着氩气压强的减小,Al膜厚度增大,在相同选区范围内,Al膜的应力差变小,应力分布趋于均匀。结构分析表明制备的Al膜呈多晶状态,晶体结构仍为面心立方,在相同溅射时间下,压强为0.7Pa的Al膜结晶度最好。随着压强的减小,平均晶粒尺寸和晶格常数增大。 展开更多

关键词 Al膜 微结构 应力和 压强 直流磁控溅射法 硅基 AR X射线衍射法 平均晶粒尺寸 光学相移法 应力分布 面心立方 晶体结构 晶格常数 分析表 时间 膜厚度 应力差 结晶度 制备 氩气 减小 增大 多晶

在线阅读 下载PDF 职称材料

三氧化钨薄膜的光学特性和结构研究 被引量：2

11

作者 许静 唐一科 +1 位作者 徐艳 范瑛 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第F11期336-338,共3页

用溶胶-凝胶法和直流反应磁控溅射法制备了表面均匀致密的三氧化钨薄膜，并用双光束紫外可见分光光度计和X衍射分别对薄膜的透光性、结构形态进行了测定；描述了退火温度对薄膜透光性和结构形态的影响，结果表明在高温（〉300℃）退火... 用溶胶-凝胶法和直流反应磁控溅射法制备了表面均匀致密的三氧化钨薄膜，并用双光束紫外可见分光光度计和X衍射分别对薄膜的透光性、结构形态进行了测定；描述了退火温度对薄膜透光性和结构形态的影响，结果表明在高温（〉300℃）退火处理后薄膜的透光率下降，且退火温度越高透光率越低；在350℃以下退火处理后得到薄膜样品为非晶态，在350～400℃范围内退火处理，样品由非晶态向晶态转变。 展开更多

关键词 溶胶-凝胶法 直流磁控溅射法 透光性 结构形态

在线阅读 下载PDF 职称材料

镀Al膜空芯玻璃微球人工介质材料的制备及其介电性能

12

作者 刘坤 杨剑 +1 位作者 谷宏洁 毛昌辉 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 2011年第2期31-34,共4页

采用直流磁控溅射法在空芯玻璃微球表面镀Al膜,将空芯玻璃微球、镀Al膜玻璃微球和高分子粘合剂按一定比例混合制成人工介质材料。用波导法测量人工介质材料的介电常数,并采用有效媒质理论对测试结果进行分析。结果表明,在8~12 GHz频率... 采用直流磁控溅射法在空芯玻璃微球表面镀Al膜,将空芯玻璃微球、镀Al膜玻璃微球和高分子粘合剂按一定比例混合制成人工介质材料。用波导法测量人工介质材料的介电常数,并采用有效媒质理论对测试结果进行分析。结果表明,在8~12 GHz频率范围内,人工介质材料的介电常数随镀Al膜玻璃微球含量的增加而增加,其介电常数在2~5范围内可调。再经热处理工艺优化,人工介质材料的介电损耗正切值可降至0.015以下。 展开更多

关键词 直流磁控溅射法 空芯玻璃微球 介电常数 介电损耗

在线阅读 下载PDF 职称材料

透明导电ZnO∶Al(ZAO)纳米薄膜的性能分析 被引量：9

13

作者 陆峰 徐成海 +3 位作者 曹洪涛 裴志亮 孙超 闻立时 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2003年第1期9-11,15,共4页

用直流反应磁控溅射法制备ZAO纳米薄膜 ,对这种薄膜进行了XRD分析 ,并对其光、电性能作了详细的研究。结果表明 :ZAO薄膜的结构为标准的ZnO纤锌矿相 ,没有Al2 O3 相出现 ;其最低电阻率为 4 5× 10 -4Ω·cm、可见光透射率在 8... 用直流反应磁控溅射法制备ZAO纳米薄膜 ,对这种薄膜进行了XRD分析 ,并对其光、电性能作了详细的研究。结果表明 :ZAO薄膜的结构为标准的ZnO纤锌矿相 ,没有Al2 O3 相出现 ;其最低电阻率为 4 5× 10 -4Ω·cm、可见光透射率在 80 %以上 ,红外波段的反射率达 70 %以上 。 展开更多

关键词 纳米薄膜 直流反应磁控溅射法 结构 电阻率 透射率 反射率 半导体 氧化锌 氧化铝

在线阅读 下载PDF 职称材料

AlCrON太阳能选择性吸收涂层的制备及性能研究 被引量：6

14

作者 崔银芳 尹万里 +2 位作者 王启 孙守建 谢光明 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期907-910,共4页

采用直流反应磁控溅射及空气中300℃热处理法在Cu基底上制备Al Cr ON太阳能选择性吸收涂层。对所制备涂层的光谱选择性吸收性能和热稳定性能进行表征,涂层的吸收比和发射比分别为0.921和0.075。结果表明涂层具有较高的光学性能。另外,... 采用直流反应磁控溅射及空气中300℃热处理法在Cu基底上制备Al Cr ON太阳能选择性吸收涂层。对所制备涂层的光谱选择性吸收性能和热稳定性能进行表征,涂层的吸收比和发射比分别为0.921和0.075。结果表明涂层具有较高的光学性能。另外,空气中300℃、100 h热处理后涂层的光学性能几乎不变,表明该涂层适用于平板太阳集热器。 展开更多

关键词 太阳选择性吸收涂层 直流反应磁控溅射法 AlCrON涂层 热稳定性能

在线阅读 下载PDF 职称材料