以90wt%In 和10wt%Sn 铟锡合金为靶材.采用直流磁控反应溅射法在玻璃基片制备 ITO 透明导电薄膜。用紫外-可见光分光光度计、四探针电阻仪、XRD 和 SEM 分别测试了 ITO 薄膜的紫外可见光透射光谱、方块电阻、薄膜的结构和表面形貌。研...以90wt%In 和10wt%Sn 铟锡合金为靶材.采用直流磁控反应溅射法在玻璃基片制备 ITO 透明导电薄膜。用紫外-可见光分光光度计、四探针电阻仪、XRD 和 SEM 分别测试了 ITO 薄膜的紫外可见光透射光谱、方块电阻、薄膜的结构和表面形貌。研究了氧分压对 ITO 薄膜性能的影响。实验结果表明.ITO 薄膜随着氧分压的增加.薄膜紫外透射光谱的吸收截止边带向短波长方向漂移。随着氧分压的增大.ITO 薄膜的方块电阻增加.结晶程度变好,晶粒尺寸变大。展开更多
文摘以90wt%In 和10wt%Sn 铟锡合金为靶材.采用直流磁控反应溅射法在玻璃基片制备 ITO 透明导电薄膜。用紫外-可见光分光光度计、四探针电阻仪、XRD 和 SEM 分别测试了 ITO 薄膜的紫外可见光透射光谱、方块电阻、薄膜的结构和表面形貌。研究了氧分压对 ITO 薄膜性能的影响。实验结果表明.ITO 薄膜随着氧分压的增加.薄膜紫外透射光谱的吸收截止边带向短波长方向漂移。随着氧分压的增大.ITO 薄膜的方块电阻增加.结晶程度变好,晶粒尺寸变大。
