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MOS磁传感器的直流电路模型
1
作者 薛靓 《实用测试技术》 1998年第3期47-48,20,共3页
本文建立了一种MOS磁传感器的直流电路模型，并用一种新的实验方法选取其输人阻抗、输出阻抗、补偿电压源以及霍尔电压源的值。由这个电路，我们可得出MOS磁传感器的全部特性，从而有助于我们设计信号处理的继电器。从实验中我们得知输... 本文建立了一种MOS磁传感器的直流电路模型，并用一种新的实验方法选取其输人阻抗、输出阻抗、补偿电压源以及霍尔电压源的值。由这个电路，我们可得出MOS磁传感器的全部特性，从而有助于我们设计信号处理的继电器。从实验中我们得知输人、输出阻抗均与栅极偏压成反比。该电路模型可以简化在SPICE环境下MOS磁传感器装置的模拟电路和计算机辅助设计。 展开更多
关键词 直流电路模型 磁传感器 智能式 传感器
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碳化硅MOSFET用于500V低压直流断路器的可行性研究 被引量：4
2
作者 丁锐 石新春 《电测与仪表》 北大核心 2017年第14期64-69,共6页
碳化硅MOSFET具有低导通损耗、开断速度快、耐高温等优点,其优异的开断性能是研制低压直流断路器的理想选择。从现有直流电压等级、绝缘水平和用电安全等角度确定断路器的工作电压等级,并搭建简易低压直流电路模型,估算模型中的各元件... 碳化硅MOSFET具有低导通损耗、开断速度快、耐高温等优点,其优异的开断性能是研制低压直流断路器的理想选择。从现有直流电压等级、绝缘水平和用电安全等角度确定断路器的工作电压等级,并搭建简易低压直流电路模型,估算模型中的各元件参数。在此基础上对断路器正常和短路两种状态下的过电压进行计算,同时根据厂家提供的碳化硅MOSFET参数及特性曲线,利用仿真软件saber建立模型,进行操作过电压分析。并设计两种过电压保护电路使Si C-MOSFET更加安全可靠工作,证明碳化硅MOSFET用于500 V直流断路器的可行性。 展开更多
关键词 碳化硅MOSFET 直流断路器 直流电路模型 操作过电压 过电压保护电路
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