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Al_(0.3)Ga_(0.22)In_(0.48)P/GaAsHBT高温特性的研究
1
作者
吴杰
夏冠群
+3 位作者
束伟民
顾伟东
张兴宏
P.A.Houston
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第11期31-33,36,共4页
本文研制了Al03Ga022In048P/GaAs高温HBT器件,详细地研究了器件在300K～623K范围内HBT的直流电学特性.结果表明Al03Ga022In048P/GaAsHBT器件具有良好的高温特性,在300K～623K温度范围内,动态电流增益变化小于10%.Al03Ga022In048P/GaAsHB...
本文研制了Al03Ga022In048P/GaAs高温HBT器件,详细地研究了器件在300K～623K范围内HBT的直流电学特性.结果表明Al03Ga022In048P/GaAsHBT器件具有良好的高温特性,在300K～623K温度范围内,动态电流增益变化小于10%.Al03Ga022In048P/GaAsHBT可工作至623K,工作温度超过623K后,器件就不能正常工作,经分析发现导致HBT失效的直接原因是BC结短路.BC结短路的机制有待今后进一步探讨.
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关键词
异质结
双极晶体管
高温
直流电学特性
HBT
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职称材料
SiGe HBT和Si BJT的γ射线辐照效应比较
被引量：
1
2
作者
康爱国
孟祥提
+3 位作者
王吉林
贾宏勇
陈培毅
钱佩信
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第12期68-71,共4页
比较了经剂量为400 krad(Si)的γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流电学性能的变化。 通常SiGe HBT辐照后的Ib增加,Ic下降,直流放大倍数变化很小;Si BJT辐照后的Ib增加,而Ic通常也增加,并且变化幅度很大,直流放大倍数明显下降,相同剂量下...
比较了经剂量为400 krad(Si)的γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流电学性能的变化。 通常SiGe HBT辐照后的Ib增加,Ic下降,直流放大倍数变化很小;Si BJT辐照后的Ib增加,而Ic通常也增加,并且变化幅度很大,直流放大倍数明显下降,相同剂量下变化幅度比SiGe HBT约高一个量级。表明SiGe HBT比Si BJT有更好的抗辐照性能,并对辐照导致的电特性的变化原因进行了初步解释。
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关键词
SiGe
HBT
SI
BJT
γ射线辐射
直流电学特性
硅锗异质结对极晶体管
同硅双极晶体管
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职称材料
题名
Al_(0.3)Ga_(0.22)In_(0.48)P/GaAsHBT高温特性的研究
1
作者
吴杰
夏冠群
束伟民
顾伟东
张兴宏
P.A.Houston
机构
中国科学院上海冶金研究所
英国Sheffield大学
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第11期31-33,36,共4页
基金
国家自然科学基金
上海应用材料研究与发展基金
文摘
本文研制了Al03Ga022In048P/GaAs高温HBT器件,详细地研究了器件在300K～623K范围内HBT的直流电学特性.结果表明Al03Ga022In048P/GaAsHBT器件具有良好的高温特性,在300K～623K温度范围内,动态电流增益变化小于10%.Al03Ga022In048P/GaAsHBT可工作至623K,工作温度超过623K后,器件就不能正常工作,经分析发现导致HBT失效的直接原因是BC结短路.BC结短路的机制有待今后进一步探讨.
关键词
异质结
双极晶体管
高温
直流电学特性
HBT
Keywords
heterojunction bipolar transistor (HBT)
high temperature
DC electric characteristics
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
SiGe HBT和Si BJT的γ射线辐照效应比较
被引量：
1
2
作者
康爱国
孟祥提
王吉林
贾宏勇
陈培毅
钱佩信
机构
清华大学核能技术设计研究院
清华大学微电子学研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第12期68-71,共4页
基金
国家自然科学基金项目 (10075029)
文摘
比较了经剂量为400 krad(Si)的γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流电学性能的变化。 通常SiGe HBT辐照后的Ib增加,Ic下降,直流放大倍数变化很小;Si BJT辐照后的Ib增加,而Ic通常也增加,并且变化幅度很大,直流放大倍数明显下降,相同剂量下变化幅度比SiGe HBT约高一个量级。表明SiGe HBT比Si BJT有更好的抗辐照性能,并对辐照导致的电特性的变化原因进行了初步解释。
关键词
SiGe
HBT
SI
BJT
γ射线辐射
直流电学特性
硅锗异质结对极晶体管
同硅双极晶体管
Keywords
SiGe HBT
Si BJT
γ-ray irradiation
DC electrical performance
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Al_(0.3)Ga_(0.22)In_(0.48)P/GaAsHBT高温特性的研究
吴杰
夏冠群
束伟民
顾伟东
张兴宏
P.A.Houston
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
SiGe HBT和Si BJT的γ射线辐照效应比较
康爱国
孟祥提
王吉林
贾宏勇
陈培毅
钱佩信
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002
1
在线阅读
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职称材料
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