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退火温度对硅基溅射银膜微结构和应力的影响
被引量：
7
1
作者
吴桂芳
宋学萍
+2 位作者
杨成浩
江兵
孙兆奇
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第6期682-684,共3页
用直流溅射法在硅(111)基底上制备银膜,膜厚为380nm。用BGS6341型电子薄膜应力分布测试仪对膜应力随退火温度的变化进行了研究,结果表明:膜应力随着退火温度的升高而增大,在400℃退火温度下膜应力变化明显。用MXP18AHF型X射线衍射仪...
用直流溅射法在硅(111)基底上制备银膜,膜厚为380nm。用BGS6341型电子薄膜应力分布测试仪对膜应力随退火温度的变化进行了研究,结果表明:膜应力随着退火温度的升高而增大,在400℃退火温度下膜应力变化明显。用MXP18AHF型X射线衍射仪测量了膜的衍射谱,对膜微结构随退火温度的变化进行了讨论。制备的Ag膜仍为面心立方结构,呈多晶状态,平均晶粒尺寸为23.63nm,薄膜晶格常数(0.40805nm)比标准样品晶格常数(0.40862nm)稍小。
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关键词
溅射
镀膜
退火温度
薄膜应力
微结构
直流溅射法
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职称材料
退火温度对溅射Al膜微结构及应力的影响
被引量：
8
2
作者
宋学萍
周桃飞
+1 位作者
赵宗彦
孙兆奇
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第5期724-726,共3页
用直流溅射法在Si基片上制备了 2 5 0nm厚的Al膜 ,并在不同退火温度下进行退火处理 ,用X射线衍射和光学干涉相位移法对薄膜的微结构及应力随退火温度的变化进行了研究。结构分析表明 :退火后的Al膜均呈多晶状态 ,晶体结构仍为面心立方 ...
用直流溅射法在Si基片上制备了 2 5 0nm厚的Al膜 ,并在不同退火温度下进行退火处理 ,用X射线衍射和光学干涉相位移法对薄膜的微结构及应力随退火温度的变化进行了研究。结构分析表明 :退火后的Al膜均呈多晶状态 ,晶体结构仍为面心立方 ;随着退火温度由 2 0℃升高到 4 0 0℃ ,薄膜的平均晶粒尺寸由 2 2 8nm增加到 2 5 1nm ;薄膜晶格常数在不同退火温度下均比标准值 4 0 4 96 A稍小。应力分析表明 :随退火温度的升高 ,Al膜应力减小 ,30 0℃时平均应力减小为 2 730× 10 8Pa且分布均匀 ;在 4 0 0℃时选区范围内应力差仅为 3 82 8× 10 8Pa。
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关键词
退火处理
温度
Al膜
微结构
应力
直流溅射法
晶体
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职称材料
TiC涂层添加金属W的研究
被引量：
1
3
作者
蒋漫文
《矿冶工程》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期76-77,共2页
采用直流溅射法在GCr15钢上涂附TiC涂层 ,研究了涂层配方中添加金属W对涂层性能的影响。实验结果表明 ,涂层配方中适量添加金属W ,可提高涂层的强韧性及抗摩擦性能 。
关键词
陶瓷涂层
碳化物
钨
直流溅射法
碳化钛
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职称材料
题名
退火温度对硅基溅射银膜微结构和应力的影响
被引量：
7
1
作者
吴桂芳
宋学萍
杨成浩
江兵
孙兆奇
机构
安徽大学物理系
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第6期682-684,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(59972001)
安徽省自然科学基金资助项目(01044901)
文摘
用直流溅射法在硅(111)基底上制备银膜,膜厚为380nm。用BGS6341型电子薄膜应力分布测试仪对膜应力随退火温度的变化进行了研究,结果表明:膜应力随着退火温度的升高而增大,在400℃退火温度下膜应力变化明显。用MXP18AHF型X射线衍射仪测量了膜的衍射谱,对膜微结构随退火温度的变化进行了讨论。制备的Ag膜仍为面心立方结构,呈多晶状态,平均晶粒尺寸为23.63nm,薄膜晶格常数(0.40805nm)比标准样品晶格常数(0.40862nm)稍小。
关键词
溅射
镀膜
退火温度
薄膜应力
微结构
直流溅射法
Keywords
sputtering Ag film
annealing temperature
film stress
microstructure
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
退火温度对溅射Al膜微结构及应力的影响
被引量：
8
2
作者
宋学萍
周桃飞
赵宗彦
孙兆奇
机构
安徽大学物理系
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第5期724-726,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目 (59972 0 0 1 )
安徽省自然科学基金资助项目 (0 1 0 4 4 90 1 )
安徽省教育厅科研基金资助课题
文摘
用直流溅射法在Si基片上制备了 2 5 0nm厚的Al膜 ,并在不同退火温度下进行退火处理 ,用X射线衍射和光学干涉相位移法对薄膜的微结构及应力随退火温度的变化进行了研究。结构分析表明 :退火后的Al膜均呈多晶状态 ,晶体结构仍为面心立方 ;随着退火温度由 2 0℃升高到 4 0 0℃ ,薄膜的平均晶粒尺寸由 2 2 8nm增加到 2 5 1nm ;薄膜晶格常数在不同退火温度下均比标准值 4 0 4 96 A稍小。应力分析表明 :随退火温度的升高 ,Al膜应力减小 ,30 0℃时平均应力减小为 2 730× 10 8Pa且分布均匀 ;在 4 0 0℃时选区范围内应力差仅为 3 82 8× 10 8Pa。
关键词
退火处理
温度
Al膜
微结构
应力
直流溅射法
晶体
Keywords
sputtering Al films
microstructure,stress,annealing temperature
分类号
TG146.21 [金属学及工艺—金属材料]
TG156.2 [金属学及工艺—热处理]
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职称材料
题名
TiC涂层添加金属W的研究
被引量：
1
3
作者
蒋漫文
机构
湖南冶金职业技术学院
出处
《矿冶工程》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期76-77,共2页
文摘
采用直流溅射法在GCr15钢上涂附TiC涂层 ,研究了涂层配方中添加金属W对涂层性能的影响。实验结果表明 ,涂层配方中适量添加金属W ,可提高涂层的强韧性及抗摩擦性能 。
关键词
陶瓷涂层
碳化物
钨
直流溅射法
碳化钛
Keywords
ceramic coating
carbide
metallic W
分类号
TG174.4 [金属学及工艺—金属表面处理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
退火温度对硅基溅射银膜微结构和应力的影响
吴桂芳
宋学萍
杨成浩
江兵
孙兆奇
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
7
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
退火温度对溅射Al膜微结构及应力的影响
宋学萍
周桃飞
赵宗彦
孙兆奇
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2003
8
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
TiC涂层添加金属W的研究
蒋漫文
《矿冶工程》
CAS
CSCD
北大核心
2003
1
在线阅读
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职称材料
已选择
0
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