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IC设计中晶体管直流模型参数的提取
1
作者
邵志标
向凌顶
+1 位作者
林长贵
朱秉升
《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第1期7-12,共6页
提出一种ＩＣ芯片设计中双极型器件直流模型参数的提取方法．采取ＧＰ模型建立双向目标函数进行全局优化提取．分１级和２级参数两层处理．１级参数系提取ＩＣ设计中各管的共同参数，２级参数则为提取与各个管的结构和尺寸相关的特定参...
提出一种ＩＣ芯片设计中双极型器件直流模型参数的提取方法．采取ＧＰ模型建立双向目标函数进行全局优化提取．分１级和２级参数两层处理．１级参数系提取ＩＣ设计中各管的共同参数，２级参数则为提取与各个管的结构和尺寸相关的特定参数，尽管提取对象只是样管，但可以由模型内在关系通过程序计算出各管的特定参数．
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关键词
晶体管
直流模型参数
集成电路
设计
提取
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职称材料
题名
IC设计中晶体管直流模型参数的提取
1
作者
邵志标
向凌顶
林长贵
朱秉升
机构
西安交通大学
出处
《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第1期7-12,共6页
文摘
提出一种ＩＣ芯片设计中双极型器件直流模型参数的提取方法．采取ＧＰ模型建立双向目标函数进行全局优化提取．分１级和２级参数两层处理．１级参数系提取ＩＣ设计中各管的共同参数，２级参数则为提取与各个管的结构和尺寸相关的特定参数，尽管提取对象只是样管，但可以由模型内在关系通过程序计算出各管的特定参数．
关键词
晶体管
直流模型参数
集成电路
设计
提取
Keywords
extraction bipolar transistor modelling parameter global optimization individual parameter
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
IC设计中晶体管直流模型参数的提取
邵志标
向凌顶
林长贵
朱秉升
《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997
0
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