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直流电弧等离子体喷射化学气相沉积法制备金刚石膜过程中冷阱的设计及作用 被引量:1
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作者 陈良贤 邵思武 +8 位作者 刘鹏 安康 郑宇亭 黄亚博 白明洁 张建军 刘金龙 魏俊俊 李成明 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2022年第2期150-155,共6页
首先,介绍直流电弧等离子体喷射化学气相沉积法的原理以及气体循环系统的设计和其优缺点;其次,详细介绍冷阱系统的设计及其工作原理;最后,使用拉曼光谱和傅里叶变换红外光谱与光致发光光谱对比添加冷阱系统前后的金刚石薄膜的质量。结... 首先,介绍直流电弧等离子体喷射化学气相沉积法的原理以及气体循环系统的设计和其优缺点;其次,详细介绍冷阱系统的设计及其工作原理;最后,使用拉曼光谱和傅里叶变换红外光谱与光致发光光谱对比添加冷阱系统前后的金刚石薄膜的质量。结果表明:冷阱系统可以有效过滤循环气路中的热油气,避免杂质的掺入;在添加冷阱系统后,金刚石膜内掺入的杂质减少,金刚石拉曼峰半高宽降低到6.76 cm^(−1),接近于Ib型单晶金刚石的,且自支撑金刚石膜的晶体质量明显提高,光学透过率提升较大,在10.6μm波长处达到68.4%。 展开更多
关键词 直流电弧等离子体喷射化学沉积 金刚石膜 循环系统 冷阱
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基底温度复合控制对化学气相沉积纳米金刚石薄膜的影响
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作者 张湘辉 汪灵 +2 位作者 龙剑平 邓苗 冯珊 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第21期3018-3022,共5页
采用自主研制的具有基底温度开-闭环复合自动控制系统的直流弧光放电PCVD设备,当开环流量不同时,在硬质合金基体表面分别进行了纳米金刚石薄膜制备研究。并采用SEM、XRD、激光Raman光谱仪对所制备薄膜的形貌、物相和品质进行了分析。研... 采用自主研制的具有基底温度开-闭环复合自动控制系统的直流弧光放电PCVD设备,当开环流量不同时,在硬质合金基体表面分别进行了纳米金刚石薄膜制备研究。并采用SEM、XRD、激光Raman光谱仪对所制备薄膜的形貌、物相和品质进行了分析。研究结果表明,当开环流量从10→5→15→20mL/min变化时,所制备纳米金刚石薄膜的表面粗糙度及石墨成分会随之增加,金刚石晶粒转变为以(110)面生长为主,且尺寸增大;并加剧了硬质合金基体中Co相粘结剂向基体表面的扩散。温控中基底温度的波动(稳定性)是影响纳米金刚石薄膜生长性能的主要原因。 展开更多
关键词 直流弧光放电等离子体化学气相沉积法 纳米金刚石薄膜 基底温度 开-闭环复合控制
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电化学两步处理对精磨YG6硬质合金性能及金刚石涂层的影响
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作者 张湘辉 汪灵 +4 位作者 龙剑平 常嗣和 朱必武 陈伟 冯艳华 《工具技术》 2011年第8期43-48,共6页
采用电化学两步腐蚀法进行表面预处理研究,探讨了电化学腐蚀中电流类型、腐蚀时间等参数对精磨YG6硬质合金基体的影响;在此基体上,采用直流弧光放电等离子体CVD法制备了金刚石薄膜,并采用SEM、激光拉曼光谱仪、原子吸收分光光度计、电... 采用电化学两步腐蚀法进行表面预处理研究,探讨了电化学腐蚀中电流类型、腐蚀时间等参数对精磨YG6硬质合金基体的影响;在此基体上,采用直流弧光放电等离子体CVD法制备了金刚石薄膜,并采用SEM、激光拉曼光谱仪、原子吸收分光光度计、电动轮廓仪、洛氏硬度计等进行了表征。结果表明:直、交电化学腐蚀都可以有效地去除YG6硬质合金基体表面因开刃精磨而形成的结构复杂的WC"表皮"。但交流电化学对精磨基体的腐蚀效率较低,处理后基体表面性能较差,不利于金刚石薄膜的形核与生长。而直流电化学两步法可以通过电化学腐蚀时间、酸蚀时间来有效调控基体表面微观结构、Co含量与机械性能,在直流1 A电化学腐蚀5min,王水再腐蚀90s后的精磨硬质合金基体上获得了较高品质、膜基附着性能的金刚石涂层,适合作为精磨基体前处理技术。 展开更多
关键词 化学两步腐蚀 金刚石薄膜涂层 直流弧光放电等离子体化学沉积 精磨硬质WC-6%wt- CO合金
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脉冲辉光PECVD制备DLC薄膜的结构和性能研究 被引量:6
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作者 苟伟 李剑锋 +2 位作者 楚信谱 张礼平 李国卿 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期33-37,共5页
类金刚石碳膜以其优异的性能,诸如高电阻率、高硬度、低摩擦系数、良好的光学特性等显示出良好的应用前景,越来越受到人们的关注。本文利用脉冲辉光PECVD在不同的脉冲电压下成功地制备了DLC薄膜。采用拉曼光谱仪、原子力显微镜、纳米压... 类金刚石碳膜以其优异的性能,诸如高电阻率、高硬度、低摩擦系数、良好的光学特性等显示出良好的应用前景,越来越受到人们的关注。本文利用脉冲辉光PECVD在不同的脉冲电压下成功地制备了DLC薄膜。采用拉曼光谱仪、原子力显微镜、纳米压痕仪等设备对薄膜的相结构、表面形貌和力学性能进行了综合分析。 展开更多
关键词 脉冲放电 等离子体辅助化学沉积 类金刚石碳膜 RAMAN光谱 表面形貌
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制膜技术与装置
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《中国光学》 EI CAS 2001年第1期70-72,共3页
O484.1 2001010471直流辉光放电等离子体增强化学气相法制备金刚石及氮化碳薄膜=Synthesis of diamond and carbonnitride by DC.glow discharge plasma enhancedchemical vapor deposition[刊,中]/于威,王淑芳, 丁学成,韩理,刘志强,张... O484.1 2001010471直流辉光放电等离子体增强化学气相法制备金刚石及氮化碳薄膜=Synthesis of diamond and carbonnitride by DC.glow discharge plasma enhancedchemical vapor deposition[刊,中]/于威,王淑芳, 丁学成,韩理,刘志强,张连水,傅广生(河北大学物理系.河北,保定(071002))∥河北大学学报.自然科学版.-2000,20(1).-78-82采用直流辉光放电等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术方法,在Si(100)衬底上制备了金刚石薄膜。 展开更多
关键词 直流辉光放电 等离子体增强化学沉积 制备 氮化碳薄膜 金刚石薄膜 自然科学版 光学膜 多晶硅薄膜 技术方 大学学报
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