直流射频等离子体增强化学气相沉积类金刚石碳薄膜的结构及摩擦学性能研究 被引量：22

1

作者 李红轩 徐洮 +2 位作者 陈建敏 周惠娣 刘惠文 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期1-5,共5页

利用直流射频等离子增强化学气相沉积技术在单晶硅表面制备了类金刚石碳薄膜.采用Raman光谱、红外光谱、X射线光电子能谱和原子力显微镜等研究了薄膜的微观结构和表面形貌,在UMT-2MT型摩擦磨损试验机上考察了薄膜在不同载荷与滑动速度... 利用直流射频等离子增强化学气相沉积技术在单晶硅表面制备了类金刚石碳薄膜.采用Raman光谱、红外光谱、X射线光电子能谱和原子力显微镜等研究了薄膜的微观结构和表面形貌,在UMT-2MT型摩擦磨损试验机上考察了薄膜在不同载荷与滑动速度下的摩擦学性能.结果表明:所制备的类金刚石碳薄膜具有典型的类金刚石结构特征,薄膜均匀、致密,表面粗糙度小,硬度较高;薄膜与Si3N4陶瓷球对摩时显示出良好的抗磨减摩性能;随着试验载荷与滑动速度的提高,薄膜的摩擦系数降低,耐磨寿命降低;薄膜的减摩抗磨性能同其在Si3N4陶瓷球偶件磨损表面形成的转移膜相关. 展开更多

关键词 直流射频等离子增强化学气相沉积 类金刚石碳薄膜 结构 摩擦学性能

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射频等离子体增强化学气相沉积SiN_x薄膜的研究 被引量：4

2

作者 潘永强 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1097-1101,共5页

采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,以N2和SiH4作为反应气体,在P型硅基片上进行SiNx薄膜的沉积.使用椭偏仪对薄膜厚度和光学常量进行了测量,用傅里叶变换红外光谱仪对SiNx薄膜的化学键合结构进行了分析.研究了基片温度、射频功率以... 采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,以N2和SiH4作为反应气体,在P型硅基片上进行SiNx薄膜的沉积.使用椭偏仪对薄膜厚度和光学常量进行了测量,用傅里叶变换红外光谱仪对SiNx薄膜的化学键合结构进行了分析.研究了基片温度、射频功率以及N2和SiH4的气体流量比率等实验工艺参量对薄膜沉积速率和光学常量的影响.结果表明,射频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的SiNx薄膜是低含氢量的SiNx薄膜,折射率在1.65～2.15之间,消光系数k在0.2～0.007之间,当SiNx薄膜为富氮时k≤0.01,最高沉积速率高达6.0nm/min,N2和SiH4气体流量比率等于10是富硅和富氮SiNx薄膜的分界点. 展开更多

关键词 氮化硅薄膜 射频等离子体增强化学气相沉积 光学常量

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射频辉光放电等离子体化学气相沉积类金刚石膜的性能研究

3

作者 陈灵 刘正义 +3 位作者 邱万奇 黄元盛 刘铁林 欧阳光胜 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期379-381,共3页

用自行设计的RF PCVD(射频辉光放电等离子体化学气相沉积 )设备沉积类金刚石膜 ,并对膜的力学、光学、化学性能进行了分析。表明用该设备制备的类金刚石膜具有显微硬度高、磨擦系数小、膜基结合力高、对红外有良好的增透性 ,并且耐磨耐... 用自行设计的RF PCVD(射频辉光放电等离子体化学气相沉积 )设备沉积类金刚石膜 ,并对膜的力学、光学、化学性能进行了分析。表明用该设备制备的类金刚石膜具有显微硬度高、磨擦系数小、膜基结合力高、对红外有良好的增透性 ,并且耐磨耐蚀、化学稳定性好。 展开更多

关键词 射频辉光放电等离子体 化学气相沉积 类金刚石膜 制备 力学性能 光学性能 化学性能

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大气压射频等离子体化学气相沉积TiO_2体系的发射光谱诊断 被引量：5

4

作者 常大磊 李小松 +1 位作者 赵天亮 朱爱民 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2013年第3期625-630,共6页

开展了大气压射频(RF)等离子体化学气相沉积(PCVD)TiO2放电体系的发射光谱诊断研究,分别考察了氧气分压、钛酸四异丙酯(TTIP)分压和输入功率对氧原子谱线相对强度、氩原子激发温度、OH振动温度以及转动温度的影响.结果表明:随着氧气分... 开展了大气压射频(RF)等离子体化学气相沉积(PCVD)TiO2放电体系的发射光谱诊断研究,分别考察了氧气分压、钛酸四异丙酯(TTIP)分压和输入功率对氧原子谱线相对强度、氩原子激发温度、OH振动温度以及转动温度的影响.结果表明:随着氧气分压的增加,氧原子谱线相对强度先迅速增加至峰值后缓慢下降,OH振动温度缓慢增加,而氩原子激发温度和OH转动温度基本不变.随着TTIP分压的增加,氧原子谱线相对强度下降,氩原子激发温度没有明显变化,而OH振动温度和转动温度增加.随着输入功率的增加,氧原子谱线相对强度下降,氩原子激发温度、OH振动温度和转动温度升高. 展开更多

关键词 大气压射频等离子体 介质阻挡放电 等离子体化学气相沉积 发射光谱诊断 TIO2

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射频辉光放电等离子体辅助化学气相沉积法制备类金刚石碳膜工艺与性能表征 被引量：2

5

作者 陈冲 费振义 +5 位作者 亓永新 曹宁 张益博 王风 吕震 李木森 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2009年第5期7-12,共6页

使用射频辉光放电等离子体辅助化学气相沉积技术(简称RFGDPECVD)在玻璃载玻片表面沉积类金刚石薄膜。用原子力显微镜(AFM)、摩擦试验仪、划痕试验机测定了其表面形貌、耐磨性及附着性。采用X射线光电子能谱(XPS)、分光光度计对两种气源(... 使用射频辉光放电等离子体辅助化学气相沉积技术(简称RFGDPECVD)在玻璃载玻片表面沉积类金刚石薄膜。用原子力显微镜(AFM)、摩擦试验仪、划痕试验机测定了其表面形貌、耐磨性及附着性。采用X射线光电子能谱(XPS)、分光光度计对两种气源(C4H10、C2H2)制备的DLC薄膜微观组成和透光率进行了检测和对比。结果表明:DLC薄膜的表面光滑、平整,表面粗糙度随沉积时间的增加单调递增;耐磨性及附着性优良;与C4H10相比使用C2H2作为碳源气体可以得到较高sp3含量和较低sp1含量的DLC膜;C2H2制备DLC薄膜的透光率低于C4H10;同一种碳源气体,反应流量比例越小,则DLC薄膜的透光性越好。 展开更多

关键词 射频辉光放电等离子体辅助化学气相沉积 类金刚石薄膜 放电特性

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金刚石的射频喷射等离子体化学气相沉积及其Ni-N掺杂的研究

6

作者 石彦超 李彬 +6 位作者 李佳君 左勇刚 白旸 刘浩 孙占峰 马殿理 陈广超 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期2670-2678,共9页

对自行设计的RF喷射等离子体增强化学气相沉积系统(RF plasma jet CVD)进行了电子温度和电子密度的模拟计算分析。在优化的参数下进行了金刚石膜体的制备,并应用光发射谱技术(OES)在线分析了等离子体的成分。通过Raman、XRD和SEM分析了... 对自行设计的RF喷射等离子体增强化学气相沉积系统(RF plasma jet CVD)进行了电子温度和电子密度的模拟计算分析。在优化的参数下进行了金刚石膜体的制备,并应用光发射谱技术(OES)在线分析了等离子体的成分。通过Raman、XRD和SEM分析了沉积样品的成分、晶体结构和形貌。通过在反应气体中加入NH3,并利用载气技术将含有Ni元素的金属有机物引入到沉积区,进行了Ni、N共掺杂沉积。利用XPS以及PL谱分析了掺杂样品的化学价键和光致发光特性,结果发现Ni-N价键的存在以及在800 nm附近的光发射峰。 展开更多

关键词 化学气相沉积 射频喷射等离子体 金刚石 Ni-N掺杂

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取向碳纳米管阵列的等离子体复合化学气相沉积法制备 被引量：4

7

作者 陈易明 张海燕 +3 位作者 朱清锋 陈雨婷 陈列春 杨大勇 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期470-474,共5页

采用热丝和射频等离子体复合化学气相沉积技术,用旋涂法制备负载催化剂的硅片衬底,以CH4为碳源制备出取向碳纳米管阵列薄膜.利用扫描电子显微镜对不同还原时间和不同N i(NO3)2浓度下制备的催化剂基片和取向碳纳米管阵列薄膜进行形貌分析... 采用热丝和射频等离子体复合化学气相沉积技术,用旋涂法制备负载催化剂的硅片衬底,以CH4为碳源制备出取向碳纳米管阵列薄膜.利用扫描电子显微镜对不同还原时间和不同N i(NO3)2浓度下制备的催化剂基片和取向碳纳米管阵列薄膜进行形貌分析,用透射电子显微镜和拉曼光谱对碳纳米管进行表征.结果表明,在H2-N2气氛中热还原后硅片上的催化剂粒径均匀,排列致密,利用该法制备的碳纳米管为竹节型多壁碳纳米管,管径分布均匀,管长约5μm.碳纳米管阵列薄膜垂直于硅片衬底生长,生长排列均匀致密,具有良好的取向性. 展开更多

关键词 取向碳纳米管阵列 热丝射频等离子体复合化学气相沉积 旋涂法

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射频等离子体聚合类聚乙烯氧抗菌功能材料的研究

8

作者 岳蕾 谢芬艳 +1 位作者 陈强 翁静 《包装工程》 CAS CSCD 北大核心 2007年第8期37-39,共3页

以乙二醇二甲基醚为单体,采用射频等离子体化学气相沉积的方法制备类聚乙烯氧(PEO- like)功能材料。通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)和接触角测量仪等对材料的化学成分及表面性能进行了测试,研究等离子体工艺参数对... 以乙二醇二甲基醚为单体,采用射频等离子体化学气相沉积的方法制备类聚乙烯氧(PEO- like)功能材料。通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)和接触角测量仪等对材料的化学成分及表面性能进行了测试,研究等离子体工艺参数对PEO-like薄膜化学成分的影响。材料生物测试的结果表明:制备的PEO-like薄膜能够较好地阻抗血小板的吸附。 展开更多

关键词 射频等离子体化学气相沉积 类聚乙烯氧 抗吸附

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射频等离子体功率参数对硅基发光薄膜生长与结构的影响

9

作者 邵宇光 杨沁玉 +4 位作者 王德信 石建军 徐金洲 郭颖 张菁 《东华大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期123-128,共6页

采用射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以SiH4和Ar的混合气体为源气体,在石英玻璃衬底上制备了硅基发光薄膜.利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和傅里叶红外光谱(FTIR)对薄膜的形貌、结构... 采用射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以SiH4和Ar的混合气体为源气体,在石英玻璃衬底上制备了硅基发光薄膜.利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和傅里叶红外光谱(FTIR)对薄膜的形貌、结构和性能进行了表征,并利用发射光谱(OES)对薄膜等离子体生长过程进行了分析.研究结果表明,随着射频功率的增加,等离子体发射光谱中Hβ谱线强度激增,薄膜的红外光谱中Si—O键在1095cm-1处振动吸收峰强度减小,Si—Si键在613cm-1处特征吸收峰强度增加,说明射频功率增加加剧了硅烷的裂解与氧化硅的还原,提高了薄膜结晶度和纳米晶粒的融合度,并降低了沉积薄膜的表面粗糙度. 展开更多

关键词 射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD) 硅基发光薄膜 生长与结构

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射频PECVD方法生长含氢非晶碳膜的结构及摩擦学性能 被引量：4

10

作者 李明 蔺增 +1 位作者 王凤 巴德纯 《东北大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1745-1748,共4页

利用射频等离子体增强化学气相沉积技术在不锈钢表面制备了含氢非晶碳膜.采用Raman光谱、红外光谱、X射线光电子能谱和原子力显微镜等研究了薄膜的微观结构和表面形貌,在栓盘摩擦磨损试验机上考察了薄膜在不同载荷与滑动速度下的摩擦学... 利用射频等离子体增强化学气相沉积技术在不锈钢表面制备了含氢非晶碳膜.采用Raman光谱、红外光谱、X射线光电子能谱和原子力显微镜等研究了薄膜的微观结构和表面形貌,在栓盘摩擦磨损试验机上考察了薄膜在不同载荷与滑动速度下的摩擦学性能.结果表明:所制备的含氢非晶碳膜具有典型的类金刚石结构特征,薄膜均匀、致密,表面粗糙度小;薄膜与不锈钢球对磨时显示出良好的抗磨减摩性能;薄膜的抗磨减摩性能同对磨件表面上形成的转移膜以及摩擦过程中薄膜结构的石墨化相关. 展开更多

关键词 射频等离子体增强化学气相沉积 含氢非晶碳膜 结构 摩擦学性能

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射频功率对筒状聚酯内壁类金刚石薄膜结构与性能的影响研究 被引量：5

11

作者 李景 田雷 +2 位作者 田修波 巩春志 杨士勤 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期311-315,共5页

利用偏压/射频耦合等离子体增强化学气相沉积技术在聚对苯二甲酸乙二醇酯(简称聚酯,PET)筒内壁制备了类金刚石薄膜(DLC)。采用X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、三维表面轮廓仪、紫外/可见光分光光度计和气体渗透率测试仪考察了射频功... 利用偏压/射频耦合等离子体增强化学气相沉积技术在聚对苯二甲酸乙二醇酯(简称聚酯,PET)筒内壁制备了类金刚石薄膜(DLC)。采用X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、三维表面轮廓仪、紫外/可见光分光光度计和气体渗透率测试仪考察了射频功率对类金刚石薄膜的结构、沉积速率、表面形貌、光学透过率和气体阻隔性能的影响。结果表明,膜层沉积可有效阻挡近紫外区域的光线,同时对O2,CO2的阻隔能力明显提高,这是由于DLC膜层的致密性质以及PET表面原有缺陷的覆盖。与未镀膜PET相比,150 W时制备的DLC膜的气体透过率分别从58.5,61.7cm3m-2atm-1d-1降低至0.7,1.5 cm3m-2.atm-1d-1,相应的对O2,CO2的阻隔率分别可以提高80倍和40倍。 展开更多

关键词 等离子体增强化学气相沉积 类金刚石薄膜 射频功率 气体透过率

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射频功率对富硅-氮化硅薄膜结构及性质影响 被引量：2

12

作者 乌仁图雅 周炳卿 +2 位作者 高爱明 部芯芯 丁德松 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期2322-2325,共4页

采用等离子体增强化学气相沉积法,以SiH_4、NH_3和N_2为反应气源,通过改变射频功率制备富硅-氮化硅薄膜材料。利用傅里叶变换红外吸收光谱,紫外-可见光透射光谱,扫描电镜等对薄膜材料结构与性质进行表征。实验表明,随着射频功率的逐渐增... 采用等离子体增强化学气相沉积法,以SiH_4、NH_3和N_2为反应气源,通过改变射频功率制备富硅-氮化硅薄膜材料。利用傅里叶变换红外吸收光谱,紫外-可见光透射光谱,扫描电镜等对薄膜材料结构与性质进行表征。实验表明,随着射频功率的逐渐增加,薄膜光学带隙缓慢减小、有序度增加,薄膜材料中的Si-H键、N-H键缓慢减小,Si-N键增多。分析结果发现,适量的增加射频功率有利于提高样品反应速率,使薄膜有序度增加,致密性增强,提高薄膜质量,但过高的射频功率会使薄膜质量变差。 展开更多

关键词 富硅-氮化硅薄膜 等离子增强化学气相沉积 射频功率 沉积速率

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RF等离子体聚合类聚氧化乙烯(PEO-like)功能薄膜研究 被引量：2

13

作者 周美丽 陈强 葛袁静 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期412-416,共5页

采用射频等离子体,以乙二醇二甲基醚(Ethylene Glycol Dimethyl Ether)为聚合单体,用氩气作为工作气体,合成类聚氧化乙烯(PEO-like)官能聚合物。实验采用连续和脉冲射频等离子体两种放电模式聚合PEO功能薄膜,研究了等离子体放电参数:等... 采用射频等离子体,以乙二醇二甲基醚(Ethylene Glycol Dimethyl Ether)为聚合单体,用氩气作为工作气体,合成类聚氧化乙烯(PEO-like)官能聚合物。实验采用连续和脉冲射频等离子体两种放电模式聚合PEO功能薄膜,研究了等离子体放电参数:等离子体放电功率、工作气压、放电模式(连续或脉冲)和聚合时间对聚合物表面结构、官能团含量以及表面特性等影响。利用接触角测试仪、表面张力仪、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、膜厚仪和X-射线光电子能谱(XPS)等多种手段对聚合薄膜的组成、结构和性能进行了表征。结果表明,较小的功率以及较长的脉冲条件下有利于EO基团的形成。 展开更多

关键词 射频等离子体增强化学气相沉积 乙二醇二甲基醚 类聚氧化乙烯

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射频放电辅助热丝CVD金刚石生长速率的研究 被引量：1

14

作者 孙心瑗 周灵平 +2 位作者 李宇农 易学华 陈本敬 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期460-463,共4页

在传统的HFCVD系统中,引入射频电源后,通过与灯丝或者衬底的连接,组成了射频放电辅助下的四种不同沉积金刚石的生长模式。在各种生长模式下,分别以酒精和丙酮为碳源,沉积出了金刚石多晶球,并就不同辅助模式下的金刚石的生长速率进行了... 在传统的HFCVD系统中,引入射频电源后,通过与灯丝或者衬底的连接,组成了射频放电辅助下的四种不同沉积金刚石的生长模式。在各种生长模式下,分别以酒精和丙酮为碳源,沉积出了金刚石多晶球,并就不同辅助模式下的金刚石的生长速率进行了研究。结果表明,等离子体增强法能够明显促进金刚石的生长,而电子促进法的生长速率最慢,甚至慢于偏压等离子体的生长速率;与等离子体促进增强法相比,偏压等离子体增强法的生长速率也有所变慢,并且随着偏压射频电流的增大,其生长速率越来越慢;而传统热丝法的生长速率与沉积金刚石时所选用碳源的分子结构有很大的关系。 展开更多

关键词 金刚石多晶球 射频放电 等离子体增强 热丝化学气相沉积

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射频功率对类金刚石薄膜性能的影响 被引量：5

15

作者 陈林林 张殷华 黄伟 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期1375-1378,共4页

在不同射频功率条件下,实验研究了射频等离子体化学气相沉积类金刚石薄膜的金刚石相分数、光学常数和硬度。利用Raman光谱仪、椭圆偏振仪、数字式显微硬度计分别测试了不同条件下单层类金刚石薄膜的金刚石相分数、光学常数和硬度。实验... 在不同射频功率条件下,实验研究了射频等离子体化学气相沉积类金刚石薄膜的金刚石相分数、光学常数和硬度。利用Raman光谱仪、椭圆偏振仪、数字式显微硬度计分别测试了不同条件下单层类金刚石薄膜的金刚石相分数、光学常数和硬度。实验表明,随着功率的增加,金刚石相的相对分数减少,薄膜的折射率先减小再增加然后减小,射频功率大于910W时,沉积速率急剧增大。而薄膜的硬度先增加后减小,在射频功率为860W处获得最大值。 展开更多

关键词 射频功率 射频等离子体化学气相沉积 类金刚石薄膜 RAMAN光谱

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氮掺杂对氢终端金刚石射频器件特性的影响

16

作者 刘晓晨 郁鑫鑫 +4 位作者 葛新岗 姜龙 李义锋 安晓明 郭辉 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第11期2045-2052,共8页

采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,通过改变气源中的氮含量,得到不同结晶质量的单晶金刚石,通过激光切割以及抛光控制样品尺寸为5 mm×5 mm×0.5 mm,然后对样品进行表面氢化处理并研制了金刚石射频器件,系统研究了氮含... 采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,通过改变气源中的氮含量,得到不同结晶质量的单晶金刚石,通过激光切割以及抛光控制样品尺寸为5 mm×5 mm×0.5 mm,然后对样品进行表面氢化处理并研制了金刚石射频器件,系统研究了氮含量对金刚石材料晶体质量和金刚石射频器件性能的影响。随着氮含量的增加,虽然单晶金刚石生长速率有所增加,但是其拉曼半峰全宽(FWHM)、XRD摇摆曲线半峰全宽也逐渐增加,光致发光光谱中对应的NV缺陷逐渐增多,晶体结晶质量逐渐变差,不仅导致沟道载流子的迁移率出现退化,而且也使金刚石射频器件出现了严重的电流崩塌和性能退化问题。通过降低氮浓度,提升材料的结晶质量,沟道载流子迁移率得到显著提升,金刚石射频器件的电流崩塌得到有效抑制,电流增益截止频率f_(T)和功率增益截止频率f_(max)分别从17 GHz和22 GHz大幅度提升至32 GHz和53 GHz。 展开更多

关键词 氮含量 微波等离子体化学气相沉积 晶体质量 氢终端金刚石 沟道载流子迁移率 电流崩塌 金刚石射频器件 频率特性

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RF-PECVD制备铜基石墨烯薄膜及其力学性能研究

17

作者 马会中 及元书 张兰 《热加工工艺》 北大核心 2025年第2期59-63,67,共6页

采用射频等离子体化学气相沉积设备,以甲烷为气相碳源,以紫铜箔片为基底制备石墨烯薄膜镀层。研究了温度对其力学性能的影响。结果表明:随反应温度的增加,铜基石墨烯薄膜的平均摩擦系数呈下降趋势,其显微硬度与抗腐蚀能力均呈先上升后... 采用射频等离子体化学气相沉积设备,以甲烷为气相碳源,以紫铜箔片为基底制备石墨烯薄膜镀层。研究了温度对其力学性能的影响。结果表明:随反应温度的增加,铜基石墨烯薄膜的平均摩擦系数呈下降趋势,其显微硬度与抗腐蚀能力均呈先上升后下降趋势。当温度为750℃时,铜基石墨烯薄膜缺陷度相对达到最低,微观形貌平整性与覆盖率最高,其平均摩擦系数、显微硬度与腐蚀电位分别为0.186、113.6 HV、0.805 V。此时,样品的综合力学性能达到相对最优值。 展开更多

关键词 射频等离子体化学气相沉积 铜基石墨烯薄膜 力学性能 温度因素

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RF-PECVD生长参数对石墨烯薄膜品质的影响

18

作者 袁强华 任江枫 殷桂琴 《真空科学与技术学报》 北大核心 2025年第2期98-105,共8页

对比不同工艺参数条件下生长的石墨烯薄膜的形貌和品质,分别研究了高频功率、放电气压、气体流量比、生长时间、生长温度以及基底种类对双频放电的RF-PECVD制备的石墨烯薄膜品质影响。实验结果表明,石墨烯的缺陷程度随着高频功率的增加... 对比不同工艺参数条件下生长的石墨烯薄膜的形貌和品质,分别研究了高频功率、放电气压、气体流量比、生长时间、生长温度以及基底种类对双频放电的RF-PECVD制备的石墨烯薄膜品质影响。实验结果表明,石墨烯的缺陷程度随着高频功率的增加而降低,但是薄膜的厚度随着高频功率的增加而减小。在3 Torr及5 Torr的条件下,石墨烯薄膜存在着较多的边界状缺陷。甲烷/氩气流量比为10:30、生长时间为40 min时,能够生长出品质较好的石墨烯薄膜。生长温度对石墨烯薄膜的生长影响较大,在300℃时,镍基底表面无法生长出石墨烯薄膜,并且生长温度低于600℃时,都无法生长出品质较好的石墨烯薄膜。最后发现,相同的生长条件,在镍基底上生长的石墨烯薄膜厚度更小,但是铜基底生长的石墨烯薄膜缺陷更少,品质更好,这与薄膜在两种基底上不同的生长方式有关。 展开更多

关键词 射频等离子体增强化学气相沉积 双频放电 石墨烯薄膜

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基于RFPECVD方法不锈钢上沉积类金刚石薄膜的机械与摩擦特性 被引量：16

19

作者 蔺增 巴德纯 +1 位作者 王志 闻立时 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期77-80,共4页

讨论用射频等离子体增强化学气相沉积 (RFPECVD)工艺 ,在室温下实现在 1Cr18Ni9Ti不锈钢基底上镀类金刚石(DLC)膜。为提高DLC膜的结合力 ,首先在不锈钢基底上沉积Ti/TiN/TiC功能梯度膜。借助所设计的界面过渡层 ,成功地在不锈钢基底上... 讨论用射频等离子体增强化学气相沉积 (RFPECVD)工艺 ,在室温下实现在 1Cr18Ni9Ti不锈钢基底上镀类金刚石(DLC)膜。为提高DLC膜的结合力 ,首先在不锈钢基底上沉积Ti/TiN/TiC功能梯度膜。借助所设计的界面过渡层 ,成功地在不锈钢基底上沉积了一定厚度的DLC膜。通过优化沉积参数 ,所沉积的DLC膜在与 10 0Cr6钢球对磨时摩擦系数低于 0 0 2 0。在摩擦过程中DLC膜的磨损机制借助SEM、Raman分析进行了研究。 展开更多

关键词 RFPECVD法 不锈钢 类金刚石薄膜 射频等离子体增强化学气相沉积 DLC 摩擦系数

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沉积参数对含氢非晶碳膜结构及性能的影响 被引量：8

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作者 李明 王凤 +2 位作者 张艳 蔺增 巴德纯 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期64-66,共3页

本文利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以CH4、H2为气源,Ar为稀释气体,通过增加过渡层和改变输入功率和气体成分比例(CH4/H2),在不锈钢基底上制备了含氢非晶碳膜(a-C:H)。利用拉曼光谱(Raman)、X射线光电子能谱(XPS)、... 本文利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以CH4、H2为气源,Ar为稀释气体,通过增加过渡层和改变输入功率和气体成分比例(CH4/H2),在不锈钢基底上制备了含氢非晶碳膜(a-C:H)。利用拉曼光谱(Raman)、X射线光电子能谱(XPS)、纳米显微硬度计和摩擦磨损试验机等研究手段对含氢非晶碳膜的形貌、结构、显微硬度和耐磨性进行了表征。Ramas光谱和XPS分析表明,薄膜是由sp2和sp3杂化组成的非晶碳膜。显微硬度和摩擦学测试表明,在较低射频功率和富氢等离子体中沉积的a-C:H膜表面光滑、结构致密,薄膜的硬度、摩擦系数、耐磨性和结合力等性能较好。 展开更多

关键词 含氢非晶碳膜 射频等离子体增强化学气相沉积 过渡层 硬度 摩擦磨损

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