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带数字驱动的Ku波段6bit数控衰减器设计 被引量:5
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作者 张滨 李富强 +2 位作者 杨柳 魏洪涛 方园 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期499-503,共5页
采用GaAs增强/耗尽型(E/D)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺研制了一款带数字驱动的Ku波段6bit数控衰减器微波单片集成电路(MMIC)。该MMIC将数字驱动和6bit数控衰减器集成在一起,数字驱动电路采用的是直接耦合场效应晶体管逻辑... 采用GaAs增强/耗尽型(E/D)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺研制了一款带数字驱动的Ku波段6bit数控衰减器微波单片集成电路(MMIC)。该MMIC将数字驱动和6bit数控衰减器集成在一起,数字驱动电路采用的是直接耦合场效应晶体管逻辑(DCFL)电路,6bit数控衰减器由6个衰减基本态级联组成。版图经过合理优化后,最终的MMIC芯片尺寸为2.4mm×1.3mm。测试结果表明,在12~18GHz,芯片可以实现最大衰减量为31.5dB,步进为0.5dB的衰减量控制。衰减64态均方根误差小于0.6dB,附加相移-2°~2.5°,插入损耗小于6.1dB,输入输出驻波比均小于1.5∶1。 展开更多
关键词 微波单片集成电路(MMIC) 数字驱动 数控衰减器 直接耦合场效应晶体管逻辑(dcfl) 均方根(RMS)误差
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一种超小型DC^18 GHz MMIC 6 bit数字衰减器 被引量:5
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作者 谢媛媛 陈凤霞 高学邦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期580-585,共6页
微波单片集成电路(MMIC)数字衰减器的尺寸是芯片成本最主要的决定因素。基于GaAs E/D PHEMT工艺,研制了一款超小型DC^18 GHz 6 bit数字衰减器,芯片上集成了4 bit反相器。重点介绍了数字衰减器拓扑结构的改进及反相器的逻辑单元等电路设... 微波单片集成电路(MMIC)数字衰减器的尺寸是芯片成本最主要的决定因素。基于GaAs E/D PHEMT工艺,研制了一款超小型DC^18 GHz 6 bit数字衰减器,芯片上集成了4 bit反相器。重点介绍了数字衰减器拓扑结构的改进及反相器的逻辑单元等电路设计的关键点。通过在衰减器拓扑中共用接地通孔、合并两个小衰减位、缩小微带线宽度和线间距、缩小薄膜电阻尺寸、减少控制电压压点个数,实现了芯片的超小型化,从而降低了MMIC数字衰减器的成本。测试结果表明,在DC^18 GHz频段内,数字衰减器的插入损耗小于6 d B,全态输入输出驻波比(VSWR)小于1.6,全态均方根误差小于0.7 d B,工作电流小于5 m A。数字衰减器芯片面积为1.45 mm×0.85 mm。 展开更多
关键词 微波单片集成电路(MMIC) 超小型 数字衰减器 GaAs E/D PHEMT 直接耦合场效应晶体管逻辑(dcfl)单元
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