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GaN E-D HEMT集成逻辑门电路特性研究被引量：1: 1; 作者刘涛刘昊 +6 位作者周建军孔岑陆海燕董逊张有涛孔月婵陈堂胜《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期509-513,521,共6页; 基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的高质量AlGaN/GaN异质结构材料,采用选择性栅挖槽结合栅介质工艺实现GaN增强型/耗尽型(E/D)HEMT器件的集成,应用直接耦合场效应管逻辑(DCFL)设计并研制GaN E/D HEMT集成逻辑门电路。通过对GaN E/D... 展开更多; 关键词铝镓氮氮化镓氮化镓增强型耗尽型高电子迁移率晶体管直接耦合场效应管逻辑逻辑门结构阈值电压漂移; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs DCFL超高速集成电路研究被引量：1: 2; 作者许艳阳王长河郑晓光《半导体情报》 1995年第3期16-25,共10页; 直接耦合场效应逻辑（ＤＣＦＬ）具有简单的结构、良好的速度／功耗性能，是ＧａＡｓＦＥＴＬＳＩ电路中一种重要的逻辑形式。传统Ｅ／Ｄ型ＤＣＦＬ电路具有较低的成品率和较差的温度特性，本文研究了改进的Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路。对Ｅ... 展开更多; 关键词砷化镓超高速集成电路直接耦合场效应逻辑; 在线阅读下载PDF 职称材料

带数字驱动的Ku波段6bit数控衰减器设计被引量：5: 3; 作者张滨李富强 +2 位作者杨柳魏洪涛方园《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期499-503,共5页; 采用GaAs增强/耗尽型（E/D）赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺研制了一款带数字驱动的Ku波段6bit数控衰减器微波单片集成电路（MMIC）。该MMIC将数字驱动和6bit数控衰减器集成在一起,数字驱动电路采用的是直接耦合场效应晶体管逻辑... 展开更多; 关键词微波单片集成电路(MMIC) 数字驱动数控衰减器直接耦合场效应晶体管逻辑(dcfl) 均方根(RMS)误差; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种超小型DC^18 GHz MMIC 6 bit数字衰减器被引量：5: 4; 作者谢媛媛陈凤霞高学邦《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期580-585,共6页; 微波单片集成电路(MMIC)数字衰减器的尺寸是芯片成本最主要的决定因素。基于GaAs E/D PHEMT工艺,研制了一款超小型DC^18 GHz 6 bit数字衰减器,芯片上集成了4 bit反相器。重点介绍了数字衰减器拓扑结构的改进及反相器的逻辑单元等电路设... 展开更多; 关键词微波单片集成电路(MMIC) 超小型数字衰减器 GaAs E/D PHEMT 直接耦合场效应晶体管逻辑(dcfl)单元; 在线阅读下载PDF 职称材料

半速率时钟10Gb/s光纤传输用2∶1复接器设计被引量：1: 5; 作者夏春晓王志功朱恩《光电子技术》 CAS 2004年第4期211-213,222,共4页; 介绍了使用 0 2 μmGaAsHEMT工艺设计的一个 1 0Gb/s以上的光纤传输用2∶1复接器。该复接器使用了半速率时钟的结构。为了减小功耗 ,设计时使用了 3 3V的电源 ,并对每个单元进行了优化。整个芯片的功耗约为 460mW。测试结果显示 ,该电... 展开更多; 关键词光纤数字传输系统复接器源极耦合场效应晶体管逻辑砷化镓高电子迁移率晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

带数字驱动的DC-18 GHz单刀三掷开关设计: 6; 作者杨柳《通信电源技术》 2023年第5期23-26,共4页; 设计了一款带数字驱动的DC-18 GHz单刀三掷开关(Single-Pole Three-Throw,SP3T)芯片。该芯片集成了单刀三掷开关和数字驱动器。单刀三掷开关由2个单刀双掷开关级联组成。单刀双掷开关采用吸收式开关结构,可以实现更好的关态驻波比。驱... 展开更多; 关键词微波单片集成电路(MMIC) 增强/耗尽型(E/D)高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单刀三掷开关(SP3T) 数字驱动直接耦合场效应晶体管逻辑(dcfl); 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaN E-D HEMT集成逻辑门电路特性研究被引量：1: 1; 作者刘涛刘昊周建军孔岑陆海燕董逊张有涛孔月婵陈堂胜; 机构南京电子器件研究所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期509-513,521,共6页; 文摘基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的高质量AlGaN/GaN异质结构材料,采用选择性栅挖槽结合栅介质工艺实现GaN增强型/耗尽型(E/D)HEMT器件的集成,应用直接耦合场效应管逻辑(DCFL)设计并研制GaN E/D HEMT集成逻辑门电路。通过对GaN E/D器件性能以及逻辑门电路性能的分析讨论,研究了GaN E/D器件性能对逻辑门电路性能的影响。同时还对选择性栅挖槽结合栅介质工艺实现GaN E/D器件存在的问题进行了分析讨论。; 关键词铝镓氮氮化镓氮化镓增强型耗尽型高电子迁移率晶体管直接耦合场效应管逻辑逻辑门结构阈值电压漂移; Keywords AIGaN/GaN GaN E/D HEMT direct coupled field-effect transistor logic （DC-FL） logic gate shift of the threshold voltage; 分类号 TN325.3 [电子电信—物理电子学] TN431.2 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs DCFL超高速集成电路研究被引量：1: 2; 作者许艳阳王长河郑晓光; 出处《半导体情报》 1995年第3期16-25,共10页; 文摘直接耦合场效应逻辑（ＤＣＦＬ）具有简单的结构、良好的速度／功耗性能，是ＧａＡｓＦＥＴＬＳＩ电路中一种重要的逻辑形式。传统Ｅ／Ｄ型ＤＣＦＬ电路具有较低的成品率和较差的温度特性，本文研究了改进的Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路。对Ｅ／Ｄ、Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路的直流、瞬态及温度特性进行了分析、模拟和比较，Ｅ／Ｅ逻辑具有良好的高温性能。经优化设计，最后制作出单门延迟约１００ｐｓ、单门功耗约１ｍＷ的Ｅ／Ｄ和Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路，且Ｅ／Ｅ型电路较Ｅ／Ｄ型电路具有更高的成品率。; 关键词砷化镓超高速集成电路直接耦合场效应逻辑; Keywords GaAs VHSIC,dcfl; 分类号 TN431.202 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名带数字驱动的Ku波段6bit数控衰减器设计被引量：5: 3; 作者张滨李富强杨柳魏洪涛方园; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路重点实验室中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期499-503,共5页; 文摘采用GaAs增强/耗尽型（E/D）赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺研制了一款带数字驱动的Ku波段6bit数控衰减器微波单片集成电路（MMIC）。该MMIC将数字驱动和6bit数控衰减器集成在一起,数字驱动电路采用的是直接耦合场效应晶体管逻辑（DCFL）电路,6bit数控衰减器由6个衰减基本态级联组成。版图经过合理优化后,最终的MMIC芯片尺寸为2.4mm×1.3mm。测试结果表明,在12~18GHz,芯片可以实现最大衰减量为31.5dB,步进为0.5dB的衰减量控制。衰减64态均方根误差小于0.6dB,附加相移-2°~2.5°,插入损耗小于6.1dB,输入输出驻波比均小于1.5∶1。; 关键词微波单片集成电路(MMIC) 数字驱动数控衰减器直接耦合场效应晶体管逻辑(dcfl) 均方根(RMS)误差; Keywords monolithic microwave integrated circuit（MMIC） digital driver digital attenuator direct coupled field-effect transistor logic（dcfl） root mean square（RMS） error; 分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN715 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种超小型DC^18 GHz MMIC 6 bit数字衰减器被引量：5: 4; 作者谢媛媛陈凤霞高学邦; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期580-585,共6页; 文摘微波单片集成电路(MMIC)数字衰减器的尺寸是芯片成本最主要的决定因素。基于GaAs E/D PHEMT工艺,研制了一款超小型DC^18 GHz 6 bit数字衰减器,芯片上集成了4 bit反相器。重点介绍了数字衰减器拓扑结构的改进及反相器的逻辑单元等电路设计的关键点。通过在衰减器拓扑中共用接地通孔、合并两个小衰减位、缩小微带线宽度和线间距、缩小薄膜电阻尺寸、减少控制电压压点个数,实现了芯片的超小型化,从而降低了MMIC数字衰减器的成本。测试结果表明,在DC^18 GHz频段内,数字衰减器的插入损耗小于6 d B,全态输入输出驻波比(VSWR)小于1.6,全态均方根误差小于0.7 d B,工作电流小于5 m A。数字衰减器芯片面积为1.45 mm×0.85 mm。; 关键词微波单片集成电路(MMIC) 超小型数字衰减器 GaAs E/D PHEMT 直接耦合场效应晶体管逻辑(dcfl)单元; Keywords microwave monolithic integrated circuit（MMIC） microminiature digital attenuator Ga As E/D PHEMT direct coupled field-effect-transistor logic（dcfl） unit; 分类号 TN715 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名半速率时钟10Gb/s光纤传输用2∶1复接器设计被引量：1: 5; 作者夏春晓王志功朱恩; 机构东南大学射频与光电集成电路研究所; 出处《光电子技术》 CAS 2004年第4期211-213,222,共4页; 基金国家高技术研究发展计划 (86 3计划 )资助项目 (No .2 0 0 1AA312 0 6 0 ); 文摘介绍了使用 0 2 μmGaAsHEMT工艺设计的一个 1 0Gb/s以上的光纤传输用2∶1复接器。该复接器使用了半速率时钟的结构。为了减小功耗 ,设计时使用了 3 3V的电源 ,并对每个单元进行了优化。整个芯片的功耗约为 460mW。测试结果显示 ,该电路可以工作在 1 0Gb/s以上的数据速率。; 关键词光纤数字传输系统复接器源极耦合场效应晶体管逻辑砷化镓高电子迁移率晶体管; Keywords Optic-fiber link systems multiplexer SCFL logic GaAs HEMT; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名带数字驱动的DC-18 GHz单刀三掷开关设计: 6; 作者杨柳; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《通信电源技术》 2023年第5期23-26,共4页; 文摘设计了一款带数字驱动的DC-18 GHz单刀三掷开关(Single-Pole Three-Throw,SP3T)芯片。该芯片集成了单刀三掷开关和数字驱动器。单刀三掷开关由2个单刀双掷开关级联组成。单刀双掷开关采用吸收式开关结构,可以实现更好的关态驻波比。驱动电路采用直接耦合场效应晶体管逻辑(Direct Coupled Field Effect Transistor Logic,DCFL)式逻辑电路,具有结构简单、功耗低的优点。版图经过合理布局后,芯片尺寸为1.5 mm×2 mm。测试结果表明:在DC-18 GHz频段内,芯片插入损耗小于3.5 dB,隔离度大于50 dB。芯片采用5 V/0 V逻辑控制,开关速度小于8 ns,1 dB压缩输入功率23 dBm。; 关键词微波单片集成电路(MMIC) 增强/耗尽型(E/D)高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单刀三掷开关(SP3T) 数字驱动直接耦合场效应晶体管逻辑(dcfl); Keywords Monolithic Microwave Integrated Circuit(MMIC) Enhanced/Depleted(E/D)Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor(PHEMT) Single-Pole Three-Throw(SP3T)switch digital driver Direct Coupled Field Effect Transistor Logic(dcfl); 分类号 TN722 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	GaN E-D HEMT集成逻辑门电路特性研究	刘涛刘昊周建军孔岑陆海燕董逊张有涛孔月婵陈堂胜	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2013	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	GaAs DCFL超高速集成电路研究	许艳阳王长河郑晓光	《半导体情报》	1995	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	带数字驱动的Ku波段6bit数控衰减器设计	张滨李富强杨柳魏洪涛方园	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2016	5	在线阅读下载PDF 职称材料
4	一种超小型DC^18 GHz MMIC 6 bit数字衰减器	谢媛媛陈凤霞高学邦	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2016	5	在线阅读下载PDF 职称材料
5	半速率时钟10Gb/s光纤传输用2∶1复接器设计	夏春晓王志功朱恩	《光电子技术》 CAS	2004	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	带数字驱动的DC-18 GHz单刀三掷开关设计	杨柳	《通信电源技术》	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料