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ZnSe及ZnSe/GaAs异质结构中压力导致的直接禁带向间接禁带的转变
被引量：
1
1
作者
郭子政
梁希侠
班士良
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期456-460,共5页
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层Γ、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明 ,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同 ,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数 ,但比Γ点的压力系数小 ,这是ZnSe材料...
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层Γ、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明 ,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同 ,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数 ,但比Γ点的压力系数小 ,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层Γ、X、L对称点压力系数的影响 。
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关键词
ZNSE
ZnSe/GaAs
静压
异质结构
直接禁带-间接禁带转变
压力系数
半导体材料
硒化锌
砷化镓
光致发光
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职称材料
题名
ZnSe及ZnSe/GaAs异质结构中压力导致的直接禁带向间接禁带的转变
被引量：
1
1
作者
郭子政
梁希侠
班士良
机构
内蒙古大学理工学院物理系
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期456-460,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目 (60 1660 0 2 )
文摘
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层Γ、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明 ,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同 ,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数 ,但比Γ点的压力系数小 ,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层Γ、X、L对称点压力系数的影响 。
关键词
ZNSE
ZnSe/GaAs
静压
异质结构
直接禁带-间接禁带转变
压力系数
半导体材料
硒化锌
砷化镓
光致发光
Keywords
hydrostatic pressure
heterojunction
direct gap indirect gap transformation
pressure coefficient
分类号
O471.5 [理学—半导体物理]
O472.3 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ZnSe及ZnSe/GaAs异质结构中压力导致的直接禁带向间接禁带的转变
郭子政
梁希侠
班士良
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
1
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职称材料
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