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直接型半导体中子探测器的研究进展及展望
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作者 王林靖 王川 +4 位作者 李华 李德源 陈法国 刘立业 张鹏鹏 《辐射防护》 北大核心 2025年第5期445-458,共14页
直接型半导体中子探测器具有体积小、理论探测效率100%及器件结构简单等显著优势,是未来半导体中子探测器重点发展方向。当前,具有明显中子响应且适用于制备直接型半导体中子探测器的新型报道材料有h-BN、LiInSe 2及LiInP 2Se 6三种。... 直接型半导体中子探测器具有体积小、理论探测效率100%及器件结构简单等显著优势,是未来半导体中子探测器重点发展方向。当前,具有明显中子响应且适用于制备直接型半导体中子探测器的新型报道材料有h-BN、LiInSe 2及LiInP 2Se 6三种。本文介绍国内外基于这三种材料类型直接型半导体中子探测器研究的最新进展,主要包括:晶体的制备、表征及生长工艺的优化;晶体的电学特性及载流子传输能力;探测器结构设计及中子探测性能测试等方面。同时对研究现状及发展趋势进行了总结,并在此基础上对直接型半导体中子探测器的发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 直接型半导体中子探测器 晶体制备 电学特性 器件结构 中子探测能力
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